Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| IRF5803D2 | IR | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IRF5803D2HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1330 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TR | IR | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IRF5803D2TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | IOR | 09+ | auf Bestellung 80043 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803D2TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5803D2TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.112 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803PBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 190mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF5803 TIRF5803 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 3,4 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1110 @ 25, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 112 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 1975 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5803TRPBF (TSOP6) Produktcode: 54658
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Id, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1110/25 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804 | IR | 09+ TO-220 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804TR | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5804TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRPBF | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF5805TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.098 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5805TRPBF-INF | Infineon Technologies | Description: IRF5805 - TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5806 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6 Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5806TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5806TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5806TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -20V -4A 86mOhm 8.3nC | auf Bestellung 16549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5810 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5810 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5810TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5810TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5810TRPBF | IR | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| IRF5810TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TR | IR | 09+ | auf Bestellung 97318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TRPBF | International Rectifier | TSOP-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5850TRPBF Produktcode: 34942
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 1,8/2,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/3,6 Anmerkung: 2P Montage: SMD | auf Bestellung: 20 St.
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| IRF5851 Produktcode: 23586
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 2,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/4 Bemerkung: N+P Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF5851 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TR | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF5851TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TRPBF | International Rectifier | TSOP6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5851TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852 Produktcode: 104324
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В Drain-Strom Idd, A: 2,7 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/4 Montage: SMD ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF5852 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 960mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852PBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852TRBF | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF5852TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852TRPBF | International Rectifier | TSOP-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5852TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 960mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF59430MPBF | IOR | 2007 | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3205SCV | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3205SCV | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3205SCX | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3205SCX | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3415 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3415 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3415SCV | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3415SCV | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3415SCX | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3710 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M3710 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5M4905 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M4905 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M4905SCV | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRF5M4905SCV | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |