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OptiMOS -T Power-Transistor

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IPD70P04P4-09

MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2

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1+	3.47 EUR
10+	3.12 EUR
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500+	2.06 EUR
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IPD70P04P4-09

auf Bestellung 25000 Stücke:

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IPD70P04P409ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P409ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	1.48 EUR

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IPD70P04P409ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPD70P04P409ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	1.58 EUR
114+	1.49 EUR
149+	1.12 EUR
200+	1.06 EUR
2000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2245 Stücke:

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439+	1.48 EUR

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IPD70P04P409ATMA2

Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.44 EUR
131+	1.64 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.19 EUR

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IPD70P04P409ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 8072 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.67 EUR
10+	2.33 EUR
50+	1.75 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm

auf Bestellung 7434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	3.72 EUR
91+	2.57 EUR
124+	1.74 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	1.73 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.17 EUR
2500+	1 EUR

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IPD70P04P4L-08

MOSFET P-Ch -40V -70A DPAK-2 OptiMOS-P2

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.93 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.8 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.39 EUR
2500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 627 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm

auf Bestellung 4751 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.32 EUR
91+	2.55 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 4998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.81 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7329 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 27454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA1

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm

auf Bestellung 4751 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	1.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

auf Bestellung 6479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	3.82 EUR
89+	2.62 EUR
122+	1.76 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 10096 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.76 EUR
11+	2.09 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.62 EUR
113+	1.5 EUR
149+	1.12 EUR
200+	1.05 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 107 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 11799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.7 EUR
106+	1.61 EUR
250+	1.5 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.36 EUR
2500+	1.29 EUR
5000+	1.23 EUR
10000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR
5000+	1 EUR
7500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA2

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

auf Bestellung 6479 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
130+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70R1K4CE

MOSFET CONSUMER

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IPD70R1K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	2.4 EUR
161+	1.44 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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2500+	0.48 EUR
5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 1366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.49 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

auf Bestellung 2299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	2.4 EUR
161+	1.44 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 14900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
15+	1.46 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.12 EUR
10000+	0.43 EUR
15000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.61 EUR
5000+	0.56 EUR
7500+	0.54 EUR
12500+	0.51 EUR

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IPD70R1K4P7S

Infineon / IR

MOSFETs CONSUMER

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR
7500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1565+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1565 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.93 EUR
120+	1.94 EUR
193+	1.11 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 18283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.07 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
2500+	0.35 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

621+	0.27 EUR
661+	0.26 EUR
668+	0.25 EUR
685+	0.24 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 621 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2.93 EUR
120+	1.94 EUR
193+	1.11 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

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IPD70R1K4P7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.88 EUR
18+	1.17 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.33 EUR
5000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R1K4P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

579+	0.3 EUR
615+	0.27 EUR
621+	0.26 EUR
661+	0.24 EUR
668+	0.23 EUR
685+	0.2 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 579 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 9010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R2K0CEAUMA1 - IPD70R2K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1056+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1056 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R2K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1126+	0.57 EUR
10000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7S

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7S

Infineon / IR

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R360P7S
Produktcode: 184520

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IPD70R360P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.92 EUR
141+	1.21 EUR
194+	0.86 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70R360P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70R360P7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

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IPD70R360P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

192+	0.89 EUR
224+	0.74 EUR
231+	0.69 EUR
267+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 192 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IPD70R360P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 324 Stücke:

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231+	0.74 EUR
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IPD70R360P7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

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IPD70R360P7SAUMA1

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 Транзистори

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IPD70R600CE

MOSFET CONSUMER

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IPD70R600CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)

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IPD70R600CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 42500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

622+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR
10000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 622 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

MOSFET CONSUMER

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10+	2.24 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R600CEAUMA1 - IPD70R600 - 700V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Mindestbestellmenge: 632 Stücke

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IPD70R600CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

622+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 622 Stücke

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IPD70R600P7S

auf Bestellung 255000 Stücke:

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IPD70R600P7S

Infineon / IR

MOSFETs CONSUMER

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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303+	0.57 EUR

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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501+	0.35 EUR
509+	0.32 EUR
517+	0.31 EUR
525+	0.3 EUR
534+	0.27 EUR
543+	0.26 EUR
1000+	0.25 EUR

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IPD70R600P7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2175 Stücke:

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95+	2.65 EUR
184+	1.26 EUR
227+	0.95 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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IPD70R600P7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

auf Bestellung 7375 Stücke:

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9+	2.4 EUR
14+	1.51 EUR
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500+	0.77 EUR
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IPD70R600P7SAUMA1
Produktcode: 143681

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

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1156+	0.56 EUR
10000+	0.49 EUR

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.39 EUR
7500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1090 Stücke:

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517+	0.33 EUR
525+	0.32 EUR
534+	0.31 EUR
543+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 517 Stücke

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IPD70R600P7SAUMA1