Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon | N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2585000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD78CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD78CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD800N06NG | infineon | 07+ to-252/d-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N04S306BATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V Part Status: Not For New Designs Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80P03P4L-07 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 7296 Stücke: Lieferzeit 682-686 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD80P03P4L07ATMA1 - IPD80P03 - 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 | auf Bestellung 9999 Stücke: Lieferzeit 682-686 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm | auf Bestellung 26009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 21997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm | auf Bestellung 26009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 11294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CE | Infineon technologies | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD80R1K0CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V | auf Bestellung 4244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 310000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 8670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CE | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 | auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 8224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET, | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 464 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO252-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | auf Bestellung 15209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 3344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7 | Infineon / IR | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 5622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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