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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
30+7.87 EUR
34+6.32 EUR
50+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 10233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+8.95 EUR
25+7.98 EUR
70+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY26P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 26 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchP Series
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 26A; 150W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTY26P10T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
70+3.45 EUR
140+3.37 EUR
560+3.08 EUR
1050+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+6.76 EUR
70+5.02 EUR
560+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY2N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
70+2.7 EUR
140+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PALittelfuseMOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.64 EUR
25+6.26 EUR
70+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PAIXYSMOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+6.62 EUR
70+3.96 EUR
560+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PAIXYSDescription: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY32P05T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 3 Rds
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY44N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 44A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+3.42 EUR
70+2.84 EUR
560+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
70+2.83 EUR
140+2.59 EUR
560+2.21 EUR
1050+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.11 EUR
26+3.28 EUR
34+2.55 EUR
50+2.06 EUR
70+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY44N10T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 10377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.28 EUR
10+5.45 EUR
70+4.96 EUR
560+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
70+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY48P05T TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 48A
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N60PIXYSMOSFET PolarHV Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.58 EUR
70+3.56 EUR
560+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTY4N65X2 TRL
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO252
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY55N075Tвариант замены STD30NF06LT4 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY5N50PIXYSMOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY64N055T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY64N055T TRL
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+4.16 EUR
70+3.8 EUR
560+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+6.06 EUR
25+5.71 EUR
70+4.24 EUR
280+3.61 EUR
560+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2IXYSMOSFETs TO252 N-CH 55V 90A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+2.73 EUR
70+2.48 EUR
560+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
70+2.68 EUR
140+2.42 EUR
560+2.03 EUR
1050+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY90N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTY90N055T2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2IXYSMOSFET 550Amps 55V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A DE475
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DE475
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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