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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTY08N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100D2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.27 EUR
24+10.02 EUR
27+7.97 EUR
50+6.69 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
350+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.25 EUR
70+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100P-TRLIXYSDescription: IXTY08N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N120PIXYSMOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
51+4.57 EUR
100+3.69 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.25 EUR
70+3.88 EUR
140+3.52 EUR
560+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
auf Bestellung 21506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+3.81 EUR
70+3.25 EUR
560+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.53 EUR
5000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+5.18 EUR
100+3.64 EUR
500+3.06 EUR
2500+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
10+5.14 EUR
100+3.62 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY10P15TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+7.1 EUR
70+4.96 EUR
560+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY12N06TIXYSMOSFETs 12 Amps 6V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY12N06TIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2IXYSMOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
36+6.57 EUR
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 16.7nC
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.56 EUR
17+5.06 EUR
25+4.44 EUR
70+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO252/DPAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 320ns
Gate charge: 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15N20TIXYSMOSFETs 15 Amps 200V 180 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
70+6.1 EUR
140+5.24 EUR
560+4.65 EUR
1050+3.99 EUR
2030+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15P15TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+5.45 EUR
70+4.8 EUR
560+4.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
70+4.44 EUR
140+4.05 EUR
560+3.46 EUR
1050+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10TIXYSMOSFETs -100V -18A
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+8.38 EUR
70+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N100PIXYSMOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.51 EUR
28+3.15 EUR
31+2.77 EUR
70+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80IXYSMOSFETs 1 Amps 800 V 11 W Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80PIXYSMOSFETs POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1N80P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.83 EUR
10+5.45 EUR
70+4.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PHVIXYSMOSFETs TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.23 EUR
10+6.12 EUR
100+4.14 EUR
1000+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N60P TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+5.93 EUR
70+4.94 EUR
560+4.41 EUR
1050+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
70+5.01 EUR
140+4.58 EUR
560+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.12 EUR
140+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Mounting: SMD
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.02 EUR
16+5.39 EUR
18+4.91 EUR
25+4.16 EUR
70+3.44 EUR
140+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1R6N100D2 TRL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 423-427 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+5.81 EUR
25+5.46 EUR
100+4.69 EUR
250+4.41 EUR
500+4.16 EUR
1000+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+4.94 EUR
70+4.44 EUR
560+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.55 EUR
19+4.55 EUR
25+3.76 EUR
30+3.61 EUR
50+3.21 EUR
70+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
52+4.47 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
70+3.97 EUR
140+3.68 EUR
560+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.7 EUR
50+5.25 EUR
100+4.78 EUR
500+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.9 EUR
10+6.59 EUR
100+4.69 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.59 EUR
30+7.89 EUR
34+6.32 EUR
50+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
auf Bestellung 10233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+8.95 EUR
25+7.98 EUR
70+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY26P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 26 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchP Series
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 26A; 150W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IXTY26P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTY26P10T TRL
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IXTY2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
70+3.45 EUR
140+3.37 EUR
560+3.08 EUR
1050+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTY2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+6.76 EUR
70+5.02 EUR
560+3.69 EUR
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IXTY2N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY2N100P TRL
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IXTY2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTY2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXTY2N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
70+2.7 EUR
140+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXTY2N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
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IXTY2N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
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IXTY2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
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IXTY2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
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IXTY2P50PALittelfuseMOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.64 EUR
25+6.26 EUR
70+4.24 EUR
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IXTY2P50PAIXYSDescription: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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