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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MRFE6S9201HS
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9201HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-780S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9201HSR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 40W
Gain: 20.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+239.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205H
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HR3
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HSR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880S
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HSR3
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HSR3NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+35.76 EUR
251+27.5 EUR
501+23.59 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6S9205HSR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 80-84 Tag (e)
1+258.87 EUR
10+239.62 EUR
25+230.91 EUR
50+225.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+278.29 EUR
5+250.74 EUR
10+232.7 EUR
25+223.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+257.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+194.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.9 EUR
10+78.71 EUR
25+74.41 EUR
100+69.7 EUR
250+67.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1,528NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270BB
Current Rating (Amps): 5µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+67.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150GNR1,528NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1,528 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+63.38 EUR
25+61.23 EUR
100+57.44 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.21 EUR
10+78.87 EUR
25+74.98 EUR
100+65.62 EUR
500+62.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+60.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+53.54 EUR
10+49.8 EUR
25+46.83 EUR
100+43.95 EUR
250+41.16 EUR
500+38.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+53.54 EUR
10+50.9 EUR
25+48.62 EUR
100+46.41 EUR
250+44.59 EUR
500+42.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+152.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 27dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
480+170.99 EUR
Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
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MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
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MRFE6VP5300NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 27dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 909W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MRFE6VP5600-225NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600 REF BOARD - 225
Packaging: Bulk
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MRFE6VP5600-225NXP / FreescaleRF MOSFET Transistors MRFE6VP5600-225
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MRFE6VP5600-434NXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP5600-434
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MRFE6VP5600-434NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600H REF BRD 434MHZ 600W
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 434MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP5600H
Packaging: Bulk
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MRFE6VP5600HNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
auf Bestellung 50 Stücke:
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MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+1152.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRFE6VP5600HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
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MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
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MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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10+270.36 EUR
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MRFE6VP5600HR6NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121 Stücke:
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 114 Stücke:
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1+1493.12 EUR
10+1317.07 EUR
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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1+280.03 EUR
5+270.88 EUR
10+231.46 EUR
25+221.39 EUR
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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1+340.55 EUR
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MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
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1+293.37 EUR
10+264.48 EUR
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MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
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3+305.53 EUR
25+292.12 EUR
100+276.95 EUR
500+262.15 EUR
1000+249.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HSR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 529 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+305.53 EUR
25+292.12 EUR
100+276.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS (Dual)
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+326.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MRFE6VP5600HSR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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MRFE6VP61K25-VHFNXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP61K25H 174-230 MHz VHF Reference Circuit
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MRFE6VP61K25-VHFNXP USA Inc.Description: MRFE6VP61K25H REF BRD 230MHZ
Utilized IC / Part: MRFE6VP61K25H
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 174MHz ~ 230MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP61K25H
Packaging: Bulk
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MRFE6VP61K25GNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
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MRFE6VP61K25GNR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistor
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25GSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+763.66 EUR
10+662.27 EUR
25+636.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MRFE6VP61K25HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP61K25HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.333kW
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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