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PSMN3R0-60ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PSMN3R0-60ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
152+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.51 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+5.89 EUR
500+5.5 EUR
1000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.51 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN3R0-60PS/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.51 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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PSMN3R0-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
40+5.91 EUR
100+3.94 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R0-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 824A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+3.51 EUR
500+3.31 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2081 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN3R2-40YLBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+2.07 EUR
50+1.55 EUR
100+1.37 EUR
1500+0.95 EUR
3000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
85+2.76 EUR
128+1.69 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
128+1.69 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
131+1.77 EUR
188+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
76+3.08 EUR
122+1.77 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 11899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.96 EUR
50+1.45 EUR
100+1.3 EUR
1500+0.87 EUR
3000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R2-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-100SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
42+5.59 EUR
100+4.12 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.82 EUR
50+4.53 EUR
100+4.13 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN3R3-100SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+5.87 EUR
100+4.16 EUR
500+3.42 EUR
2000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
auf Bestellung 1051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.45 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.96 EUR
10000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.06 EUR
4500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaMOSFET PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.52 EUR
87+2.69 EUR
135+1.58 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
135+1.58 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperiaMOSFET PSMN3R3-60PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 6718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.93 EUR
50+4.63 EUR
100+3.97 EUR
250+3.75 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10115 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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PSMN3R3-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.62 EUR
100+3.28 EUR
500+2.73 EUR
800+2.7 EUR
2400+2.59 EUR
4800+2.53 EUR
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PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN3R3-80BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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PSMN3R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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PSMN3R3-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.81 EUR
104+6.38 EUR
500+5.9 EUR
1000+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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PSMN3R3-80ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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PSMN3R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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PSMN3R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PSMN3R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+6.81 EUR
104+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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PSMN3R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+8.7 EUR
100+8.13 EUR
500+7.54 EUR
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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PSMN3R3-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN3R3-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.6 EUR
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PSMN3R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+8.7 EUR
100+8.13 EUR
500+7.54 EUR
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
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PSMN3R3-80YSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.4 EUR
61+3.86 EUR
100+2.44 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
50+2.61 EUR
100+2.34 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.32 EUR
53+4.39 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.25 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+2.64 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.78 EUR
1500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 465A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 465A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NXPDescription: NXP - PSMN3R4-30BL,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
594+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 594 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.78 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
auf Bestellung 8865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.88 EUR
50+2.98 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+2.24 EUR
100+2.07 EUR
500+2 EUR
800+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH