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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN3R3-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-100SSFJNexperiaMOSFETs NextPower 100 V, 3.3 mOhm, 180 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+5.74 EUR
100+4.49 EUR
500+3.97 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.84 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperiaMOSFET PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+2.23 EUR
100+1.74 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.2 EUR
1500+1.13 EUR
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
11+1.95 EUR
100+1.52 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaMOSFET PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
134+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.06 EUR
4500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
65+3.57 EUR
100+2.92 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
50+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-40YS/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperiaMOSFET PSMN3R3-60PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 6718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.93 EUR
50+4.63 EUR
100+3.97 EUR
250+3.75 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 6054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+4.69 EUR
100+3.28 EUR
500+2.92 EUR
800+2.68 EUR
2400+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+4.76 EUR
50+3.68 EUR
100+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+4.75 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
78+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN3R3-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 8905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+6.66 EUR
50+6.28 EUR
100+5.4 EUR
250+5.09 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.19 EUR
100+5.15 EUR
500+4.28 EUR
1000+4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
58+4.03 EUR
100+2.4 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.27 EUR
100+2.44 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
auf Bestellung 4055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.47 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PSMN3R3-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.37 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.8 EUR
1500+1.73 EUR
4500+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NXPDescription: NXP - PSMN3R4-30BL,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
594+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 594 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 465A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 465A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+2.69 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLENexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
50+2.96 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+2.24 EUR
100+2.07 EUR
500+2 EUR
800+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PLNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PLNXPMOSFET N-CH 30V TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127NexperiaMOSFETs PSMN3R4-30PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
250+2.4 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127
Produktcode: 103007
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R4-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.14 EUR
165+1.01 EUR
166+0.96 EUR
167+0.93 EUR
201+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.05 EUR
166+1.02 EUR
167+1 EUR
201+0.81 EUR
250+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.72mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1334 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2061 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.8 EUR
39+2.21 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
250+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
11+1.9 EUR
50+1.43 EUR
100+1.26 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.18 EUR
50+1.62 EUR
100+1.44 EUR
1500+0.96 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.71 EUR
1500+0.65 EUR
4500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
154+1.51 EUR
161+1.33 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R5-40YSD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
57+4.13 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 20 V
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
1500+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.58 EUR
500+4.28 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Packaging: Tube
auf Bestellung 4668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80PSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R5-80PS - POWE
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80PSNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R5-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+7.59 EUR
100+7.09 EUR
500+6.59 EUR
1000+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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