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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.92 EUR
15+15.59 EUR
19+11.72 EUR
50+10.77 EUR
100+10.41 EUR
250+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDonsemiIGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+11.6 EUR
120+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120RWDonsemiIGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.39 EUR
10+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120RWDonsemiDescription: FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L
Packaging: Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
10+9.25 EUR
450+5.75 EUR
900+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120SWDonsemiDescription: 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
Power - Max: 384 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 148 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.52mJ (on), 1.13mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26.8ns/121.6ns
IGBT Type: Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 192.54 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
10+8.82 EUR
450+5.46 EUR
900+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L40T120SWDonsemiIGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 246W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.9 EUR
16+14.78 EUR
21+10.23 EUR
50+9.72 EUR
100+9.19 EUR
250+9 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.34 EUR
10+13.48 EUR
25+12.53 EUR
100+11.47 EUR
450+10.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.41 EUR
10+12.59 EUR
100+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.38 EUR
44+5.33 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
10+6.14 EUR
30+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L50T65SQDonsemiIGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+5.59 EUR
120+4.84 EUR
1020+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
30+12.94 EUR
120+11.02 EUR
510+9.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50ON SemiconductorIGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop IV, MQ Medium Speed
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+10.82 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.69 EUR
10+12.98 EUR
120+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH4L75T65MQDC50ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 110A; 385W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.54 EUR
10+17.67 EUR
100+14.24 EUR
250+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 180 nC
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 70 nC
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2FAIRCHILDFGH50N6S2
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+10.98 EUR
100+10.28 EUR
500+9.54 EUR
1000+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
54+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DONS/FAIIGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+21.21 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2DFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+21 EUR
100+19.67 EUR
500+18.22 EUR
1000+16.83 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 35009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.67 EUR
30+5.45 EUR
120+4.52 EUR
510+3.83 EUR
1020+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155onsemiIGBTs 650V FS4 Trench IGBT
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.81 EUR
10+5.53 EUR
120+4.57 EUR
510+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.46 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH50T65UPDonsemiIGBTs 650 V 100 A 240 W
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.72 EUR
10+7.94 EUR
120+7.14 EUR
510+7.03 EUR
1020+6.64 EUR
2520+6.62 EUR
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FGH50T65UPDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 170W
Pulsed collector current: 150A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 230nC
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+7.37 EUR
100+6.9 EUR
500+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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FGH50T65UPDON SemiconductorТранзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 100 А, Pmax, Вт = 340, tз, мс = 32, Uce(on), В = 2,3, Р, Вт = 340, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.57 EUR
30+7.85 EUR
120+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGH60N60SFonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
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FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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FGH60N60SFDTUonsemiIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
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FGH60N60SFDTUONS/FAIIGBT,120 A,2.2 V,378 W,600 V, TO-247AB, 3 Pins Транзистори
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FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
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КитайTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 105 St.
  • 105 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+6.03 EUR
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FGH60N60SFDTUONS/FAIIGBT 600V 120A 378W TO247 Транзистори
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FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBTs N-Ch/ 60A 600V FS
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FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
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FAIR/ONTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 378 Вт
auf Bestellung: 36 St.
  • 36 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+8.27 EUR
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FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUfairchild2011+
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
10000+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUonsemiIGBTs N-CH / 600V 60A/ FS
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.91 EUR
10+10 EUR
100+8.04 EUR
450+7.12 EUR
900+6.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
74+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 6590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.02 EUR
100+6.58 EUR
500+6.1 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.53 EUR
24+7.2 EUR
120+6.16 EUR
510+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDonsemiIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 7593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
10+8.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
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FAIR/ONTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 120 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 300 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/115
verfügbar: 1 St.
  • 1 St. - stock Köln
auf Bestellung: 67 St.
  • 67 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+6.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDONS/FAITrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.44 EUR
120+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.61 EUR
24+7.08 EUR
120+6.05 EUR
510+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SMD - IGBT, Universal, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
28+8.45 EUR
100+7.18 EUR
500+6.53 EUR
1000+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON-SemiconductorIGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.44 EUR
120+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.91 EUR
15+5.9 EUR
30+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 21474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
30+8.21 EUR
120+6.9 EUR
510+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+11.54 EUR
60+10.75 EUR
120+9.71 EUR
270+9.09 EUR
510+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
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FGH60N60SMD-F085onsemiIGBTs 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
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FGH60N60UFDonsemiIGBTs FSPIGBT TO247 60A 600V
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FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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72+9.12 EUR
100+8.53 EUR
500+7.9 EUR
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FGH60N60UFDTUONS/FAIIGBT 600V 120A 298W TO-247-3 Транзистори
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FGH60N60UFDTUfairchild2011+
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FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
auf Bestellung 32 Stücke:
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1+15.79 EUR
10+14.28 EUR
120+11.82 EUR
270+11.47 EUR
510+10.31 EUR
1020+8.63 EUR
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FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
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FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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