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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HGTG20N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.61 EUR
500+4.31 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+4.61 EUR
500+4.31 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 3695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
auf Bestellung 8602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+17.66 EUR
100+16.52 EUR
500+15.33 EUR
1000+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+17.66 EUR
100+16.52 EUR
500+15.33 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1Harris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 24827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+18.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1HARRIS9718
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
auf Bestellung 15430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+17.66 EUR
100+16.52 EUR
500+15.33 EUR
1000+14.15 EUR
10000+13.13 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+20.55 EUR
100+19.24 EUR
500+17.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 9092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+21.03 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
auf Bestellung 8180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+20.55 EUR
100+19.24 EUR
500+17.84 EUR
1000+16.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG24N60DIDHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNonsemi / FairchildIGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNFAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BNONS/FAIIGBT 72A, 1200V, NPT Series Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N60C3DRHARRISHGTG27N60C3DR
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+12.76 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N60C3DRHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
41+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+6.35 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG2ON60C3DRHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
82+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG2ON60C3DRHARRISHGTG2ON60C3DR
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+6 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N120CNFSC
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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FAIR/ONTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/150
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+23.9 EUR
10+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4ONS/FAIIGBT, TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4onsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DonsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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ONTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+15.28 EUR
10+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DONS/FAIIGBT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+5.94 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
48+4.89 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
auf Bestellung 15421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+5.94 EUR
500+5.53 EUR
1000+5.12 EUR
10000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D
Produktcode: 95788
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3DonsemiIGBTs 600V IGBT UFS N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 170 nC
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D..ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D_Qonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 600V 60A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3_NLFAIRCHILDHGTG30N60B3_NL
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+11.94 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3HARRISHGTG30N60C3
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.57 EUR
500+4.26 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 5413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+13.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DONS/FAI63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+13.11 EUR
100+12.28 EUR
500+11.39 EUR
1000+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-247
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 265 nC
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.7 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.7 EUR
100+14.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.7 EUR
100+14.7 EUR
500+13.63 EUR
1000+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.7 EUR
100+14.7 EUR
500+13.63 EUR
1000+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG34N100E2HARRISHGTG34N100E2
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+16.15 EUR
100+15.12 EUR
500+14.03 EUR
1000+12.96 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG34N100E2Harris CorporationDescription: IGBT 1000V 55A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+16.42 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60A4ON-SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+33.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60A4onsemiIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60A4
Produktcode: 47773
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.2 EUR
18+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3
Produktcode: 148092
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.51 EUR
10+23.54 EUR
25+22.4 EUR
100+18.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3FAIRCHIL05+ BGA
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3-FSFairchild SemiconductorDescription: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60C3ON SemiconductorHGTG40N60C3
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+12.65 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+17.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60C3RHARRISHGTG40N60C3R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+16.54 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BND
Produktcode: 58070
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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