Produkte > IPB

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB020N10N5LF-VBVBSEMIIPB020N10N5LF-VB IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.49 EUR
24+10.02 EUR
100+6.83 EUR
500+6.21 EUR
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1InfineonIPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LF MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.72 EUR
10+17.58 EUR
50+15.29 EUR
100+13.61 EUR
200+12.95 EUR
500+11.72 EUR
1000+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V
auf Bestellung 12676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
10+7.31 EUR
100+5.27 EUR
500+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.54 EUR
26+8.94 EUR
100+6.4 EUR
500+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020N10N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.83 EUR
10+9.92 EUR
100+7.96 EUR
500+7.08 EUR
1000+6.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3 GInfineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.04 EUR
10+8.54 EUR
100+6.31 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GRochester Electronics, LLCDescription: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
auf Bestellung 5372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.05 EUR
2000+4.65 EUR
3000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.99 EUR
2000+4.49 EUR
3000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.11 EUR
21+8.38 EUR
100+6.05 EUR
500+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.66 EUR
2000+4.33 EUR
3000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5 EUR
2000+4.51 EUR
3000+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 7434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
10+8.29 EUR
100+6 EUR
500+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.03 EUR
21+8.14 EUR
100+5.78 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5 EUR
2000+4.61 EUR
3000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+5.21 EUR
500+4.89 EUR
1000+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB020NE7N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020NE7N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.84 EUR
31+7.64 EUR
100+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N06N3GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.96 EUR
2000+5.63 EUR
3000+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.13 EUR
10+7.44 EUR
100+5.34 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB021N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.41 EUR
10+10.4 EUR
100+7.56 EUR
500+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
335+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.59 EUR
10+9.01 EUR
25+8.98 EUR
100+6.62 EUR
500+6.12 EUR
1000+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB022N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+10.36 EUR
100+7.59 EUR
500+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB023N03LF2SATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+3.08 EUR
100+2.23 EUR
250+2.2 EUR
500+2.08 EUR
800+1.56 EUR
2400+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
67+3.5 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+1.74 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 394 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+1.74 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB023N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.07 EUR
45+3.61 EUR
100+3.44 EUR
250+3.26 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+6.2 EUR
25+5.84 EUR
100+5.01 EUR
250+4.74 EUR
500+4.44 EUR
1000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
46+5.08 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.07 EUR
45+3.75 EUR
100+3.63 EUR
250+3.53 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.63 EUR
10+5.71 EUR
100+4.06 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.11 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.09 EUR
39+6.01 EUR
46+4.71 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 29600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+3.39 EUR
100+2.89 EUR
500+2.57 EUR
800+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.04 EUR
10+5.99 EUR
100+4.25 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.5 EUR
33+7.08 EUR
100+4.65 EUR
500+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 45788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+6.87 EUR
100+5.11 EUR
500+4.3 EUR
1000+3.97 EUR
2000+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB024N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.28 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.62 EUR
10+6.12 EUR
100+4.88 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.94 EUR
23+3.71 EUR
100+2.98 EUR
250+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.59 EUR
25+10.26 EUR
100+9.92 EUR
250+9.69 EUR
500+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.84 EUR
18+9.33 EUR
25+8.9 EUR
100+6.97 EUR
250+6.63 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.83 EUR
2000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.76 EUR
22+8.15 EUR
50+6.07 EUR
200+5.58 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.97 EUR
31+7.7 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
10+6.9 EUR
100+4.94 EUR
500+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+8.73 EUR
100+7.02 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GInfineonN-channel, 100V, 180A, 2.5mOhm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.36 EUR
25+6.91 EUR
100+4.96 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.59 EUR
21+8.18 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.54 EUR
10+7.72 EUR
100+5.56 EUR
500+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+8.71 EUR
100+6.89 EUR
500+6.14 EUR
1000+5.09 EUR
2000+5.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.52 EUR
33+5.32 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
25+9.53 EUR
100+6.58 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 424000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.03 EUR
2000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Nächste Seite >> ]