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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5807NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5807NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862Nonsemionsemi NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862N
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862NT4GonsemiMOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862NT4GONN
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862NT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5862NT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NL
auf Bestellung 27600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5863NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5865NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 34A 18MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5865NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4G-TB01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5867NLT4G-TB01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890Nonsemionsemi NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.43 EUR
136+1.26 EUR
153+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4GON SemiconductorMOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.43 EUR
136+1.24 EUR
153+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4GONN
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4G-VF01onsemiDescription: POWER MOSFET 40V, 123A, 3.7 MOHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5890NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL IN DPAK
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+4.16 EUR
100+3.47 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.17 EUR
2500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V SL IN DPAK
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.32 EUR
50+4.69 EUR
100+3.59 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
59+3.95 EUR
100+2.83 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.46 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL DPAK
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+3.2 EUR
100+2.32 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 101W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.14 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
91+2.55 EUR
103+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+3.01 EUR
100+2.39 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
103+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.01 EUR
10+3.06 EUR
100+2.2 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C454NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+3.36 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
2500+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4GON Semiconductor
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C460NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
552+0.32 EUR
558+0.3 EUR
563+0.29 EUR
569+0.27 EUR
575+0.26 EUR
580+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 552 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
153+1.11 EUR
157+1.04 EUR
222+0.7 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
110+2.13 EUR
113+1.9 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
auf Bestellung 3054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL DPAK
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.03 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
110+2.13 EUR
113+1.9 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.56 EUR
100+1.81 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.84 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
69+3.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C486NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLonsemi T6 60V LL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLT4GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm DPAK 2500 tape and reel
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.94 EUR
100+3.64 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.42 EUR
2500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C632NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLonsemi T6 60V LL DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.45 EUR
58+2.89 EUR
100+2.38 EUR
250+2.32 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 294425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GONN
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 292500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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