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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+1.09 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
100000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 28W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; Idm: 112A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.07 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
608+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
100000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 608 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.62 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.33 EUR
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
auf Bestellung 6042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.27 EUR
100+0.87 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 26A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 40285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
50+1.14 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.33 EUR
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.89 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+1.58 EUR
100+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.87 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS040N10MCLTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
auf Bestellung 6262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
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NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
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NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
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NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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243+0.71 EUR
261+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
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NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
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NVTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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195+0.88 EUR
225+0.74 EUR
243+0.65 EUR
261+0.6 EUR
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1000+0.49 EUR
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NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
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NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
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NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
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NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
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NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
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NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
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NVTFS4824NTAGONN
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NVTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 10500 Stücke:
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NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
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NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
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NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
115+2.03 EUR
121+1.78 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28.3A; Idm: 500A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28.3A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.64 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs T6 30V NCH U8FL
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+2.98 EUR
100+2.56 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.93 EUR
50+3.01 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.65 EUR
115+2.03 EUR
121+1.78 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFETs T6 30V U8FL
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+3.28 EUR
100+2.89 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
55+4.27 EUR
100+2.84 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.32 EUR
50+3.32 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C02NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
87+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.9 EUR
92+1.86 EUR
100+1.8 EUR
250+1.74 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.65 EUR
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
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NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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97+1.77 EUR
120+1.38 EUR
149+1.07 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.87 EUR
1500+0.75 EUR
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NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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90+1.93 EUR
91+1.83 EUR
92+1.75 EUR
100+1.67 EUR
250+1.58 EUR
500+1.5 EUR
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3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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120+1.44 EUR
149+1.14 EUR
500+1 EUR
1000+0.95 EUR
1500+0.84 EUR
3000+0.77 EUR
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NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.73 EUR
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NVTFS4C05NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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5+4.94 EUR
10+3.17 EUR
50+2.4 EUR
100+2.17 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C05NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.92 EUR
100+2.12 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.55 EUR
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NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.52 EUR
70+3.34 EUR
100+2.25 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVTFS4C06NTAGONN
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 367A
Power dissipation: 37W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
10+2.21 EUR
100+1.57 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.92 EUR
100+1.87 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.92 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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