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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RF4825-000LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - RF4825-000 - Rückstellbare Sicherung, PPTC, PolySwitch TS, 60 VDC, 130 mA, 260 mA, 2.4 s
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4825-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V .13A-HD 3A MAX
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4828-000LittelfuseGas Discharge Tubes - GDTs / Gas Plasma Arrestors GTCA25-501M-R02-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4835-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 250V .13A-HD 3A MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4849-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-72N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4862-000LittelfuseThermal Cut-offs GTCS25-351M-R05-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4866-000LittelfuseThermal Cut-offs MHP-TAM15-9-82N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4897-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 350MA-HD 20A SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF48F6000MOYOBGINTELPGA
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF48M00000S300TGSDescription: OSC 48MHZ 3.3V HCMOS//15PF SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 48 MHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5)
Current - Supply (Max): 30mA
Voltage - Supply: 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Function: Tri-State (Output Enable)
Output: HCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4900
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4906-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC PPTC-STRAPS-PSW
auf Bestellung 9972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.63 EUR
100+1.36 EUR
250+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4927-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 50MA-HD 40A SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4929-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 16V 200MA-HD 40A SMD
auf Bestellung 20396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+1.23 EUR
50+1.02 EUR
100+0.94 EUR
200+0.84 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4929-000Littelfuse Inc.Description: PICOASMDCH020F-2
auf Bestellung 5152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
14+1.56 EUR
15+1.44 EUR
50+1.19 EUR
100+1.09 EUR
250+0.99 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4929-000Littelfuse Inc.Description: PICOASMDCH020F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.083" L x 0.055" W (2.10mm x 1.40mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Trip (It): 700 mA
Voltage - Max: 16V
Thickness (Max): 0.031" (0.80mm)
Grade: Automotive
Current - Max: 40 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 750 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 3.4 Ohms
Qualification: AEC-Q200
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4965-000LittelfuseLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4983-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC 30V 500MA-HD 20A SMD
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.4 EUR
50+1.14 EUR
100+1.07 EUR
200+0.96 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4983-000Littelfuse Inc.Description: MINIASMDCH050F-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1812 (4532 Metric), Concave
Size / Dimension: 0.181" L x 0.128" W (4.60mm x 3.24mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Polymeric
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Trip (It): 1.6 A
Voltage - Max: 30V
Ratings: AEC-Q200
Height - Seated (Max): 0.032" (0.82mm)
Current - Max: 20 A
Time to Trip: 100 ms
Resistance - Initial (Ri) (Min): 200 mOhms
Resistance - Post Trip (R1) (Max): 1.35 Ohms
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
15+1.4 EUR
17+1.3 EUR
50+1.07 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4989-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4990-000LittelfuseResettable PTCs Radial Leaded Automotive AEC-Q200
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4991-000LittelfuseResettable Fuses - PPTC AHRL RADIAL RESETTABLE FUSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
auf Bestellung 6799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1 EUR
250+0.95 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C050APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C100BCTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.36 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4C100BCTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4D-18A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.64 EUR
283+0.61 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E060AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E060AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)
auf Bestellung 2684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
100+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.26 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.12 EUR
193+1.2 EUR
288+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.64 EUR
553+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070BNTR1ROHMDescription: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.12 EUR
193+1.2 EUR
288+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E070GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
24000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs DFN-2020 MOSFET 30V 7.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCR1ROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E075ATTCR1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.52 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
116+0.74 EUR
164+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.07 EUR
100+0.74 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTR1Rohm SemiconductorRF4E080BNTR1
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080BNTR1ROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080GNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.86 EUR
151+0.57 EUR
228+0.37 EUR
257+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E080GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 3061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.94 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E100AJTCRROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
auf Bestellung 5746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E100AJTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
78+1.11 EUR
116+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E100AJTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
auf Bestellung 5915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2697 Stücke:
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344+0.51 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110BNTRROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.11 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110BNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 6210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
254+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
307+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRROHMDescription: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
254+0.92 EUR
350+0.61 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 4932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
auf Bestellung 9288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4E110GNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRROHMDescription: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RF4G060ATTCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.67 EUR
283+0.61 EUR
284+0.6 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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