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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCT01F12S05XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 5 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 200mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.4 EUR
31+7.66 EUR
32+6.7 EUR
50+6.45 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
34+6.99 EUR
36+6.08 EUR
50+5.74 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
34+6.99 EUR
36+6.08 EUR
50+5.74 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S15XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 15VDC; Iout: 67mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 15V DC
Output current: 67mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 81%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.45 EUR
26+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 10.8...13.2V DC
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 303mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S3V3XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F12S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F12S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 10.8V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 12V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 13.2V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
34+6.99 EUR
36+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S05XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S05 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 5 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 100mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
34+6.99 EUR
36+6.08 EUR
50+5.74 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 5VDC; Iout: 200mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 79%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S05XP PowerIsolated DC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 12VDC; Iout: 84mA
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Manufacturer series: SCT01F
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...95°C
Switching frequency: 50kHz
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Number of outputs: 1
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.45 EUR
26+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S12XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S12XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S12 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 12 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 12V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 84mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.4 EUR
31+7.66 EUR
32+6.7 EUR
50+6.45 EUR
100+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S15XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S15 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 15 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 15V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 67mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
34+6.99 EUR
36+6.08 EUR
50+5.74 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S15XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S3V3XP POWERDescription: XP POWER - SCT01F24S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Durchsteckmontage, ITE & Industrie, SIP, 1 W, 1 Ausgang, 3.3 V
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 21.6V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 10.2mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 11.6mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 6mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1kV
DC-Eingangsspannung, max.: 26.4V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: SIP
Ausgangsregelung: Ungeregelt
Produktpalette: SCT01F Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 303mA
Eingangsverhältnis: -
Anwendungen für das Netzteil: ITE & Industrie
Ausgangsleistung, max.: 1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S3V3XP PowerDC/DC Converters - Through Hole DC-DC, 1W SIP, fixed input, single output
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+6.2 EUR
25+5.89 EUR
41+5.65 EUR
82+5.45 EUR
287+5.18 EUR
533+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT01F24S3V3XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 21.6÷26.4VDC; Uout: 3.3VDC; Iout: 303mA
Input voltage: 21.6...26.4V DC
Output voltage: 3.3V DC
Case: SIP4
Mounting: PCB; THT
Operating temperature: -40...95°C
Efficiency: 78%
Output current: 303mA
Number of outputs: 1
Power: 1W
Protection: short circuit protection SCP
Insulation voltage: 1kV DC
Switching frequency: 50kHz
Manufacturer series: SCT01F
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 11.6x6x10.2mm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.95 EUR
10+30.62 EUR
100+26.48 EUR
600+24.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics85-PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 1.2kV; 100A; 555W; D2PAK-7
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 22V
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 555W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Application: automotive industry
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+19.9 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT020HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.028 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+62.72 EUR
5+52.56 EUR
10+43.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+18.4 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT020W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 541W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.3 EUR
30+22.69 EUR
120+19.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.96 EUR
5+28.94 EUR
10+26.04 EUR
40+24.11 EUR
75+23.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-100-100PowerUC ElectronicsDescription: 100A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50/60Hz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.96 EUR
5+27.74 EUR
10+24.85 EUR
40+22.91 EUR
75+22.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+26.36 EUR
10+23.66 EUR
40+21.86 EUR
75+21.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+28.79 EUR
10+26.06 EUR
40+24.25 EUR
75+23.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Frequency Range: 50/60Hz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+26.36 EUR
10+23.66 EUR
40+21.86 EUR
75+21.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-400A
Produktcode: 171735
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-D-150-5PowerUC ElectronicsDescription: 150A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+30.65 EUR
10+27.98 EUR
40+26.2 EUR
75+25.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 250 A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+30.65 EUR
10+27.98 EUR
40+26.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-D-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+30.65 EUR
10+27.98 EUR
40+26.2 EUR
75+25.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT024TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.087" L x 1.629" W (53.00mm x 41.40mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 2.953" (75.00mm)
Current Rating (Amps): 100 A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+30.65 EUR
10+27.98 EUR
40+26.2 EUR
75+25.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+30.82 EUR
50+28.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.2 EUR
10+25.05 EUR
1000+21.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+41.44 EUR
10+30.82 EUR
50+28.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT025W120G3-4AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 388W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+47.09 EUR
10+40.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.78 EUR
10+39.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.61 EUR
10+35.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 240A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 389W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HiP247™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.99 EUR
30+21.13 EUR
120+18.33 EUR
510+17.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT025W120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.31 EUR
10+31.81 EUR
100+27.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.42 EUR
10+17.04 EUR
100+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSCT027H65G3AG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.42 EUR
10+21.22 EUR
100+20.28 EUR
1000+17.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: SIC MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.3mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1277 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027TO65G3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT027TO65G3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0393ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+30.1 EUR
10+26.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT027W65G3-4AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 60A; Idm: 264A; 313W
Technology: SiC
Case: HIP247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 39.3mΩ
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 313W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-100-1PowerUC ElectronicsDescription: 100A/1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 1000:1
Current Rating (Amps): 100 A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+36.2 EUR
10+33.31 EUR
25+31.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-250-5PowerUC ElectronicsDescription: 250A/5A 1%
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 50:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:50
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+32.56 EUR
10+29.86 EUR
25+28.6 EUR
50+27.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-300-100PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.1A 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:3000
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Ratio: 3000:1
Current Rating (Amps): 300 A
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+31.44 EUR
10+28.75 EUR
25+27.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT036TS-300-333PowerUC ElectronicsDescription: 300A/0.333V 1%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+33.67 EUR
10+30.98 EUR
25+29.71 EUR
50+29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-300-5-1PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 0.5%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 300 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+34.22 EUR
10+31.54 EUR
25+30.27 EUR
50+29.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-300-5-2PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5A 1%
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 400 A
Current Ratio: 60:1
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:60
Termination Style: Terminal Block
Type: Non-Invasive (Split Core)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+32.77 EUR
10+30.06 EUR
25+28.8 EUR
50+28.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-D-200-5PowerUC ElectronicsDescription: 200A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 200 A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+36.12 EUR
10+33.45 EUR
25+32.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCT036TS-D-300-5PowerUC ElectronicsDescription: 300A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 300 A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+36.12 EUR
10+33.45 EUR
25+32.2 EUR
50+31.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-D-400-5PowerUC ElectronicsDescription: 400A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 400 A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+36.12 EUR
10+33.45 EUR
25+32.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT036TS-D-500-5PowerUC ElectronicsDescription: 500A/5V 2%
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 2.598" L x 1.909" W (66.00mm x 48.50mm)
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Type: Non-Invasive (Split Core)
Termination Style: Terminal Block
Frequency Range: 50Hz ~ 1kHz
Height - Seated (Max): 3.622" (92.00mm)
Current Rating (Amps): 500 A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+36.12 EUR
10+33.45 EUR
25+32.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.22 EUR
50+21.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.74 EUR
8+29.1 EUR
10+22.22 EUR
50+21.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H120G3AGSTMicroelectronicsDescription: H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.38 EUR
11+21.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.063 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.04 EUR
10+25.38 EUR
11+21.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.03 EUR
10+13.86 EUR
100+11.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.22 EUR
11+22.53 EUR
12+18.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.01 EUR
17+10.04 EUR
100+9.01 EUR
1000+8.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040H65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.22 EUR
11+22.53 EUR
12+18.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040H65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.54 EUR
10+16.45 EUR
100+14.41 EUR
500+14.39 EUR
1000+12.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.56 EUR
8+33.07 EUR
10+27.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.34 EUR
10+17.05 EUR
100+15.02 EUR
600+14.72 EUR
1200+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 5mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.93 EUR
10+18.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU120G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU120G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.55 EUR
10+17.14 EUR
100+13.92 EUR
600+13.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.03 EUR
10+17.46 EUR
100+14.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.43 EUR
11+20.11 EUR
50+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.43 EUR
10+17.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCT040HU65G3AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCT040HU65G3AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.055 ohm, HU3PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.46 EUR
9+26.43 EUR
11+20.11 EUR
50+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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