Produkte > SH8

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SH8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
130+1.8 EUR
186+1.15 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.76 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 3524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 11647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 40V 13.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 9896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0084 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0084ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
71+3.27 EUR
112+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.45 EUR
246+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
119+1.96 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
133+1.76 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.77 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.71 EUR
145+1.18 EUR
185+0.9 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
7500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1RohmMOSFET 60V N&N-CHANNEL Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
80+2.14 EUR
112+1.5 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+3.21 EUR
100+2.5 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
73+3.2 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 60V 10.5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
69+3.42 EUR
100+2.19 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+3.24 EUR
100+2.61 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 4661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.78 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
65+3.57 EUR
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+4.06 EUR
63+2.75 EUR
100+2.63 EUR
200+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.63 EUR
291+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.63 EUR
291+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M11TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M12TB1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 4V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M13GZETBRohmMOSFET N/P-CH 30V ±7A/±6A 8-SOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M13GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
auf Bestellung 6536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.07 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M13GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M14GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.18 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M14TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.81 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M14TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M14TB1RohmMOSFET N/P-CH 30V ±9A/±7A 8-SOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 45V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET - halogen free
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
11+2.01 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 45V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.39 EUR
100+1.75 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.56 EUR
100+2 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
13+1.7 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M3
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
77+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.95 EUR
100+1.84 EUR
250+1.73 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
11+1.96 EUR
100+1.54 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M4
auf Bestellung 6082 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41
auf Bestellung 6067 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.49 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.49 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 2319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.57 EUR
100+2.25 EUR
200+1.86 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
117+1.83 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5  [ Nächste Seite >> ]