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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STH300NH02L-6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH300NH02L-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 24V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 223W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
10+9.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 223W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.99 EUR
21+11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH30N65DM6-7AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: MDmesh™ DM6
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 0.115Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 223W
Drain-source voltage: 650V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.45 EUR
26+6.72 EUR
100+5.01 EUR
500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
auf Bestellung 6538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.3 EUR
10+7.5 EUR
100+5.46 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
10+8.12 EUR
100+5.85 EUR
500+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 180A; 315W
Case: D2PAK; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.58 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+8.44 EUR
100+6.12 EUR
500+5.76 EUR
1000+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.29 EUR
25+7.07 EUR
100+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
10+8.45 EUR
100+6.12 EUR
500+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH310N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 315W; H2PAK-2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: H2PAK-2
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.52 EUR
30+5.84 EUR
100+4.2 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+6.64 EUR
100+4.76 EUR
500+4.25 EUR
1000+3.53 EUR
2000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.17 EUR
10+6.77 EUR
100+4.83 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.52 EUR
30+5.71 EUR
100+4.05 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.59 EUR
100+4.7 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+6.47 EUR
100+4.84 EUR
500+4.11 EUR
1000+4.08 EUR
2000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH315N10F7-6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 180A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 11mOhm typ 200A STripFET
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-6STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.95 EUR
10+5.95 EUR
100+4.24 EUR
500+4 EUR
1000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH320N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 15 V
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.81 EUR
10+6.53 EUR
100+4.68 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STH33N20ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH345N6F7-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 397A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.04 EUR
32+7.33 EUR
100+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH345N6F7-6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH345N6F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 397 A, 0.0012 ohm, H2PAK-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 397A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: H2PAK-6
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
32+7.45 EUR
100+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STH35N10
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STH360N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH360N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
auf Bestellung 6097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+7.79 EUR
100+5.59 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
auf Bestellung 35270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.24 EUR
500+5.91 EUR
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.82 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
auf Bestellung 35270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
22+10.7 EUR
100+7.24 EUR
500+5.91 EUR
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH3N150-2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH4Altech CorporationDescription: HINGED STUD TERM M4 50A 600V 22-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH4AltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 50A, 600V, 22-8AWG, 11mm, Gray
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH400N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH400N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V 180 A STripFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH400N4F6-2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH400N4F6-6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH400N4F6-6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V 180 A STripFET Pwr MOSFET
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
10+8.65 EUR
100+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.44 EUR
10+8.43 EUR
100+6.24 EUR
500+6.22 EUR
1000+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
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STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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STH410N4F7-6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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STH4180-6
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STH41C100-6
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STH4388
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STH47N60DM6-2AGSTMicroelectronicsDescription: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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STH47N60DM6-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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STH48D50Teledyne RelaysSolid State Relays - Industrial Mount 50A 12-280VAC 3-32VDC Zero Cross
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STH4984
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STH4985
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STH4988SQSTH07+
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STH49I
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STH4DTAltech CorporationDescription: CONN TERM BLK FEED THRU 8-22AWG
Number of Positions: 2
Current - IEC: 41 A
Current - UL: 35 A
Part Status: Active
Wire Gauge or Range - mm²: 1.5-6mm²
Wire Gauge or Range - AWG: 8-22 AWG
Voltage - UL: 600V
Voltage - IEC: 1000V
Terminal - Width: 11.0mm
Number of Levels: 1
Termination Style: Screw
Type: Disconnect
Color: Gray
Packaging: Bulk
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10+15.01 EUR
25+14.27 EUR
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STH4DTAltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 35A
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STH4DTFTAltechDIN Rail Terminal Blocks DIN Term Blk, Ring Lug M4, Feed-Thru
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STH4DTSHAltechTerminal Block Tools & Accessories Hinged Stud Terminal, M4, 35A, Dual Terminal
auf Bestellung 198 Stücke:
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STH52N10LF3-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
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STH52N10LF3-2AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
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STH5302
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STH5N75
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STH5NA90F1
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STH6AltechDIN Rail Terminal Blocks DIN Term Blk, Ring Lug M6, Feed-Thru
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STH6Altech CorporationDescription: FEED-THROUGH TERM BLOCK STUD TYP
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STH60N099DM9-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
10+7.45 EUR
100+5.36 EUR
500+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STH60N099DM9-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STH60N099DM9-2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STH60N099DM9-2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.49 EUR
26+9.03 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH60N099DM9-2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+8.29 EUR
25+7.83 EUR
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STH60N10
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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