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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN65D8LT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN65D8LV-13Diodes ZetexDMN65D8LV-13
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LV-7Diodes ZetexDMN65D8LV-7
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 4614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.55 EUR
100+0.31 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
166+0.51 EUR
187+0.45 EUR
304+0.29 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 27029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
31+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-13Diodes ZetexDMN65D9L-13
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.063 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7Diodes ZetexDMN65D9L-7
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 15063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 335mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
auf Bestellung 120527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
86+0.25 EUR
138+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D9L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN65D9L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 335 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
863+0.27 EUR
1378+0.15 EUR
1905+0.11 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7
Produktcode: 209227
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
262+0.88 EUR
387+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW 60Vdss
auf Bestellung 5669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
19+1.13 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
262+0.88 EUR
387+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 400mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN66D0LT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
272+0.86 EUR
391+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-Single
auf Bestellung 6607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
272+0.86 EUR
391+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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DMN66D0LW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFET NMOS-SINGLE
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.77 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
206+1.13 EUR
308+0.69 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
auf Bestellung 66160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
27+0.77 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
206+1.13 EUR
308+0.69 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66DOLDW-7DIODES09NOPB
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN67D7LDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.065 EUR
30000+0.064 EUR
50000+0.058 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
60+0.35 EUR
123+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
2000+0.086 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
521+0.48 EUR
747+0.31 EUR
1323+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.065 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
521+0.48 EUR
747+0.31 EUR
1323+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 57171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
60+0.35 EUR
123+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 34570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.35 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.065 EUR
24000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.056 EUR
30000+0.051 EUR
50000+0.045 EUR
100000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1329000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.037 EUR
150000+0.035 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 19082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.33 EUR
17+0.2 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.042 EUR
45000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.19 EUR
1109+0.15 EUR
1132+0.14 EUR
1916+0.082 EUR
1938+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 911 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1938+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1191+0.19 EUR
2494+0.086 EUR
2584+0.083 EUR
2689+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3449+0.051 EUR
9000+0.037 EUR
24000+0.036 EUR
45000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3449+0.051 EUR
9000+0.038 EUR
24000+0.037 EUR
45000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 1333313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
141+0.14 EUR
212+0.099 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1191+0.19 EUR
2494+0.086 EUR
2584+0.083 EUR
2689+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4017+0.044 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4017 Stücke
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DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.048 EUR
9000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
53+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LWDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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