Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN67D8LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 250000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN67D8LW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | auf Bestellung 51516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN67D8LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V | auf Bestellung 114215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN67D8LW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN68M7SCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN68M7SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 TUBE 50PCS | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN68M7SCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN68M7SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN7022LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN7022LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN80H2D0SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8100 CO | LSILOGIC | 02+ | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8100CO | LSI | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN8102 | LSI | BGA | auf Bestellung 9360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8600-D0 | LSI | 04+ BGA2727 | auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8602-B0 | LSI | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN8602B0 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN8602BO | LSI | QFP | auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8652 | LSI | 06+; | auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN8652BO | LSI | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN8802-BC | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN8802BO | LSILOGIC | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN90H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB TUBE 50PCS | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube On-state resistance: 7Ω Drain current: 2.5A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 900V Polarisation: unipolar Case: TO220AB Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN90H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: >800V | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN95H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: >800V | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN95H8D5HCTI | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN95H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: >800V | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNF1-285-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-285FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-285FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-288-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-288FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-288FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-485FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-488-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-488FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 Contact Material: Electrolytic Copper Tab Width: 0.187" (4.75mm) Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Termination: Crimp Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Terminal Type: Standard Insulation: Fully Insulated Wire Gauge: 18-22 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Color: Red Gender: Female Features: Butted Seam Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-488FIB-M | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.780" (19.81mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Electrolytic Copper | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.878" (22.30mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Electrolytic Copper | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63FIM-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63FIM-L | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63FIMX-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-24AWG 0.250 CRIMP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF1-63M-C | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-288-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.110 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-288-C | Panduit | Quick Disconnect Terminal 13-15AWG Blue F 18.8mm Tin | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNF2-488-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-488FIB-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-488FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-63-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-63FIB-C | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.839" (21.30mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Electrolytic Copper | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF2-63FIBX-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF6-63FIB-2K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNF6-63M-L | Panduit Corp | Description: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNFR1485FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNFR163FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNFR263FIB-KD | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Part Status: Obsolete Contact Material: Electrolytic Copper Tab Width: 0.250" (6.35mm) Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Termination: Crimp Terminal Type: Angled - 90° Insulation: Fully Insulated Wire Gauge: 14-16 AWG Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle Color: Blue Gender: Female Features: Butted Seam Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNG1-63FL-3K | Panduit Corp | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH10H021SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB | auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A | auf Bestellung 2048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | auf Bestellung 7420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W | auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH15H110SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T& Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNH15H110SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V TO252 T&R 2.5K | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNH15H110SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNH15H110SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMNH15H110SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMNH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
