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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250mW 60Vdss
auf Bestellung 5669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
262+0.88 EUR
387+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
262+0.88 EUR
387+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
19+1.13 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.3pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 400mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LDWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS-Single
auf Bestellung 6607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
272+0.86 EUR
391+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
272+0.86 EUR
391+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
206+1.13 EUR
308+0.69 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
auf Bestellung 66160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
27+0.77 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFET NMOS-SINGLE
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.77 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN66D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.8 EUR
206+1.13 EUR
308+0.69 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN66DOLDW-7DIODES09NOPB
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7LDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.065 EUR
30000+0.064 EUR
50000+0.058 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
60+0.35 EUR
123+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
2000+0.086 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.065 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
521+0.48 EUR
747+0.31 EUR
1323+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 34570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.35 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.065 EUR
24000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 570mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 57171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
60+0.35 EUR
123+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D7L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D7L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 3.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
521+0.48 EUR
747+0.31 EUR
1323+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.056 EUR
30000+0.051 EUR
50000+0.045 EUR
100000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1329000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.045 EUR
21000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.037 EUR
150000+0.035 EUR
300000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1191+0.19 EUR
2494+0.086 EUR
2584+0.083 EUR
2689+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
911+0.19 EUR
1109+0.15 EUR
1132+0.14 EUR
1916+0.08 EUR
1938+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 911 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1938+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1191+0.19 EUR
2494+0.086 EUR
2584+0.083 EUR
2689+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3449+0.05 EUR
9000+0.037 EUR
24000+0.035 EUR
45000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 1333313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
141+0.14 EUR
212+0.099 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 19082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.33 EUR
17+0.2 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.042 EUR
45000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3449+0.05 EUR
9000+0.037 EUR
24000+0.036 EUR
45000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4017+0.043 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.046 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
53+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LDW-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LWDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
auf Bestellung 51516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
10+0.37 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.083 EUR
2500+0.071 EUR
10000+0.061 EUR
20000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
96+0.23 EUR
110+0.19 EUR
127+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 114215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
121+0.18 EUR
181+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.052 EUR
21000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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6000+0.036 EUR
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DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
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DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMN68M7SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 TUBE 50PCS
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.09 EUR
100+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN68M7SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN7022LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
187+1.25 EUR
272+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DMN7022LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN7022LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 7.8 A, 0.0146 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DMN7022LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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DMN80H2D0SCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
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DMN8100 COLSILOGIC02+
auf Bestellung 135 Stücke:
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DMN8100COLSI
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN8102LSIBGA
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN8600-D0LSI04+ BGA2727
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN8602-B0LSI
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8602B0
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8602BOLSIQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN8652LSI06+;
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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