Produkte > DMN

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.061 EUR
20000+0.055 EUR
30000+0.051 EUR
50000+0.049 EUR
70000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
auf Bestellung 51516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
10+0.37 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.083 EUR
2500+0.071 EUR
10000+0.061 EUR
20000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 114215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
121+0.18 EUR
181+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.052 EUR
21000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN68M7SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 TUBE 50PCS
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+2.09 EUR
100+1.89 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN68M7SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN7022LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN80H2D0SCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8100 COLSILOGIC02+
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8100COLSI
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8102LSIBGA
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8600-D0LSI04+ BGA2727
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8602-B0LSI
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8602B0
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8602BOLSIQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8652LSI06+;
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8652BOLSI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8802-BC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN8802BOLSILOGIC
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance:
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 900V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN90H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.23 EUR
50+1.88 EUR
100+1.61 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+3.58 EUR
100+2.83 EUR
250+2.62 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
10+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: >800V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.64 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.07 EUR
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-285FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-288FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-485FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 18-22 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Red
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-488FIB-MPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.878" (22.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIM-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIM-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63FIMX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-24AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF1-63M-CPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.110
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-288-CPanduitQuick Disconnect Terminal 13-15AWG Blue F 18.8mm Tin
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.89 EUR
40+10.89 EUR
60+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.839" (21.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF2-63FIBX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF6-63FIB-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNF6-63M-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR1485FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR163FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNFR263FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Part Status: Obsolete
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Terminal Type: Angled - 90°
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Color: Blue
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNG1-63FL-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+3.12 EUR
100+2.44 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.08 EUR
5000+1.04 EUR
12500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.73 EUR
100+1.93 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 7420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
11+2.03 EUR
100+1.58 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.18 EUR
100+1.69 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.75 EUR
5000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+3.22 EUR
100+2.57 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
135+1.73 EUR
187+1.14 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+2.05 EUR
100+1.59 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.38 EUR
135+1.73 EUR
187+1.14 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.87 EUR
293+0.8 EUR
299+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH15H110SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4004SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH4004SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46  Nächste Seite >> ]