Produkte > PSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PSMN8R0-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40BS,118 | Nexperia | MOSFETs PSMN8R0-40BS/SOT404/D2PAK | auf Bestellung 3482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V | auf Bestellung 3525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40HLX | Nexperia | MOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 4578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40HLX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40HLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40HLX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40HLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40PS,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40PS,127 | Nexperia | MOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R0-80YLX | Nexperia | MOSFETs N-channel LFPAK 80 V 8.5 mΩ standard level MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R0-80YLX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A Power dissipation: 238W Technology: Trench Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 104nC On-state resistance: 21.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 423A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R0-80YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R0-80YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R0-80YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A | auf Bestellung 13281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V | auf Bestellung 3572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 70A | auf Bestellung 2788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R3-40YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R3-40YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V | auf Bestellung 5681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ES,127 | Nexperia | PSMN8R5-100ES,127 | auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESFQ | NXP Semiconductors | PSMN8R5-100ESFQ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESFQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESFQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESFQ | Nexperia | MOSFET PSMN8R5-100ESF SOT226/I2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100ESFQ | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 183W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: I2PAK | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESQ | Nexperia | MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M | auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100ESQ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100ESQ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100ESQ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100ESQ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100PSFQ | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100PSFQ | Nexperia | MOSFET PSMN8R5-100PSF SOT78/SIL3P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100PSQ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100PSQ | Nexperia | MOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 4006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-100PSQ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-100XSQ | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A TO220F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-108ES | Nexperia | MOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-108ESQ | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 108V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-108ESQ | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40HSX | Nexperia | PSMN8R5-40HSX | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40HSX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40HSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40HSX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40HSX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A | auf Bestellung 3252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40HSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V | auf Bestellung 8990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MLDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40MSDX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V Verlustleistung: 59W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V | auf Bestellung 3764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V Verlustleistung: 59W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A | auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40MSDX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia | MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm | auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V | auf Bestellung 28822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 106W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm | auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R7-100YSFQ | Nexperia USA Inc. | Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PSMN8R7-100YSFX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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