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PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
4500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 2606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
139+1.68 EUR
197+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+1.5 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
auf Bestellung 5677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
50+1.14 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.2 EUR
6000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PSMN8R3-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R3-40YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.13 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.61 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.21 EUR
6000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100ES,127NexperiaPSMN8R5-100ES,127
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+3.02 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.62 EUR
10000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.14 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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PSMN8R5-100ESFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ESF SOT226/I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN8R5-100ESFQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.14 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
153+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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PSMN8R5-100ESFQNXP SemiconductorsPSMN8R5-100ESFQ
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.49 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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PSMN8R5-100ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100ESQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100ESQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
584+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 584 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100ESQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+1.62 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100ESQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSFQNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN8R5-100PSFQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PSF SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQNexperiaMOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+4.52 EUR
50+4.27 EUR
100+3.67 EUR
250+3.45 EUR
500+3.25 EUR
1000+2.73 EUR
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PSMN8R5-100PSQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
50+4.74 EUR
100+3.53 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100XSQNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-108ESNexperiaMOSFET N-Channel 100V 8.5mohm Fet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 108V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-108ESQNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNexperiaMOSFETs PSMN8R5-40HS/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 3252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+1.98 EUR
100+1.82 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.05 EUR
1500+1 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
78+3 EUR
126+1.71 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
126+1.71 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40HSXNexperiaPSMN8R5-40HSX
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.53 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
10500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
auf Bestellung 8990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
4500+0.43 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.46 EUR
7500+0.44 EUR
10500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.44 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.81 EUR
356+0.49 EUR
360+0.46 EUR
553+0.29 EUR
559+0.27 EUR
730+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
auf Bestellung 3764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.5 EUR
553+0.32 EUR
559+0.31 EUR
730+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
1500+0.54 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-40MSDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
108+2.17 EUR
132+1.63 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 303A
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
auf Bestellung 28821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.51 EUR
50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
50+1.86 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1500+1.01 EUR
3000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
auf Bestellung 1049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
108+2.17 EUR
132+1.63 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.17 EUR
4500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+4.11 EUR
100+2.89 EUR
500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
63+3.69 EUR
100+2.84 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 22320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.22 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.78 EUR
10000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.15 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3200+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.63 EUR
800+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.97 EUR
56+4.18 EUR
100+2.38 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 3793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.78 EUR
100+2.4 EUR
250+2.39 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 6806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.51 EUR
500+2.21 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.28 EUR
44+3.93 EUR
100+2.61 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127
Produktcode: 152615
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
50+4.66 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNexperiaMOSFETs PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+13.55 EUR
100+9.32 EUR
500+3.22 EUR
800+3 EUR
4800+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R0-25MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.24 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.5 EUR
1500+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 55A; Idm: 219A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH