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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 19500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+3.84 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.31 EUR
10000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
63+3.69 EUR
100+2.84 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+4.11 EUR
100+2.89 EUR
500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.67 EUR
1600+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
42+5.57 EUR
100+3.19 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.17 EUR
100+2.15 EUR
500+1.63 EUR
800+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3200+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.14 EUR
44+3.84 EUR
100+2.55 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.81 EUR
2500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 3793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.78 EUR
100+2.4 EUR
250+2.39 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127
Produktcode: 152615
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R7-80PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 6806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNexperiaMOSFETs SOT404 100V 75A
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+5.46 EUR
100+5.01 EUR
500+4.82 EUR
800+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
50+4.66 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R9-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R0-25MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.24 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.5 EUR
1500+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 55A; Idm: 219A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 45W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25YLC,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-25YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30YL
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30YL,115NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R0-30YL,115Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1803 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.39 EUR
50+1.02 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 57A
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.65 EUR
100+1.02 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R1-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
54+4.32 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
3000+1.13 EUR
4500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R3-60HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0093 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0093ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.93 EUR
100+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+3.42 EUR
100+2.45 EUR
500+1.92 EUR
800+1.77 EUR
2400+1.71 EUR
4800+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.08 EUR
1600+1.94 EUR
2400+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN9R5-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+4.96 EUR
100+3.97 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.7 EUR
2500+2.53 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R5-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 89 A, 0.00816 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00816ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00816ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
41+5.66 EUR
50+4.71 EUR
100+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 52.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1444+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs N-channel 30 V 9.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.7 EUR
100+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-100YSFXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 1626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
102+2.28 EUR
132+1.63 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
50+1.93 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
23+0.92 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
1500+0.42 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9R8-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
137+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN9RO-25YLC115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 25V 380A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.77 EUR
100+3.56 EUR
500+3 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPowerS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR51-25YLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR55-40SSHJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 40V 500 A
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.28 EUR
10+9.67 EUR
100+7.06 EUR
500+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR55-40SSHJNexperia USA Inc.Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
10+9.85 EUR
100+7.19 EUR
500+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMNR55-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.54 EUR
13+18.33 EUR
16+13.65 EUR
50+11.97 EUR
100+10.31 EUR
250+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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