Produkte > IRG
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRG4BC30W2S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 23A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 25ns/99ns Switching Energy: 130µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF Produktcode: 53372
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRG4BC30WPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC30WSTRR | Infineon Technologies | Description: IGBT D2PAK Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 100 W Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Input Type: Standard Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40F | International Rectifier | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 49A; 200A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40F TIRG4bc40f Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40F-S | auf Bestellung 1072 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF Produktcode: 89446
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF | Infineon | IRG4BC40FPBF TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 49A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off) Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 49 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 196 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40FPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 DC-Kollektorstrom: 49 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40K | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 620µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40KPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40KPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40KPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 42A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40KPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4BC40KPBF - IRG4BC40 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PAR tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40KPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40KPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 5523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40KPBF Produktcode: 124588
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| IR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 А Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 30/190 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRG4BC40KPBF | International Rectifier | Description: IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 9572 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40KPBF-IR | International Rectifier | Description: IGBT, 42A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40S | International Rectifier | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40S IRG4BC40S TIRG4bc40s Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40SPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4BC40SPBF - IRG4BC40 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PAR tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | IGBTs 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 60A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/650ns Switching Energy: 450µJ (on), 6.5mJ (off) Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40SPBF | Infineon | IRG4BC40SPBF IGBT 600V 60A 160W TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40SPBF Transistor Produktcode: 54514
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRG4BC40U Produktcode: 24013
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| IR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRG4BC40U | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | International Rectifier | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4BC40UPBF - IRG4BC40 DISCRETE IGBT WITHOUT ANTI-PAR tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 40A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 34ns/110ns Switching Energy: 320µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF(Transistor) Produktcode: 45570
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRG4BC40UPBF-INF | Infineon Technologies | Description: ULTRAFAST SPEED IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40W | International Rectifier | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 147nC; -55°C~150°C; IRG4BC40W TIRG4bc40w Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40W Produktcode: 31011
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| IR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/170 | auf Bestellung: 8 St.
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| IRG4BC40W | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-LPBF | International Rectifier | Description: IGBT 600V 40A TO-262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40W-LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40W-LPBF - IGBT, N-Kanal, 40 A, 2.36 V, 160 W, 600 V, TO-262, 3 Pin(s) MSL: MSL 2 - 1 Jahr Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.36 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-262 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-LPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40W-LPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160W 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 15040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BC40W-LPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-S | International Rectifier | 40A; 600V; 160W; IGBT IRG4BC40W-S TIRG4bc40w-s Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BC40W-SPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40W-SPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 160 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-STRRP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-STRRP | Infineon / IR | IGBT Modules 600V 40AD2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-STRRP | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 160W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40W-STRRP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WL | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WLPBF | Vishay | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 160 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | IGBTs 600V Warp 60-150kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC40WPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BC40WPBF - IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 DC-Kollektorstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BC50U | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-L | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW IRG4BH20K-L TIRG4bh20k-L Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BH20K-L | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-262 Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-LPBF | Infineon Technologies | IGBTs 1200V UltraFast 4-20kHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-LPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A TO-262 Power - Max: 60 W Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Gate Charge: 28 nC Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Supplier Device Package: TO-262 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-S | International Rectifier | Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C; IRG4BH20K-S TIRG4bh20k-s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRG4BH20K-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Power - Max: 60 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRG4BH20K-SPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.17 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: IRG4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 11 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | International Rectifier | IGBT, 1200V 5A D2Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | IRG4BH20K-SPBF Транзисторы | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A D2PAK Power - Max: 60 W Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Gate Charge: 28 nC Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-SPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BH20K-STRL | Infineon / IR | IGBT Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 11A D2PAK Power - Max: 60 W Current - Collector (Ic) (Max): 11 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 28 nC Test Condition: 960V, 5A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 450µJ (on), 440µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 23ns/93ns Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4BH20K2S | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4CC30UB | Infineon Technologies | Description: IGBT CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4CC50UB | Infineon Technologies | Description: IGBT DIE Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Supplier Device Package: Die Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Input Type: Standard Mounting Type: Through Hole Package / Case: Die Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4CC50WC | Infineon Technologies | Description: IGBT CHIP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC10UD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP Power - Max: 25 W Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 15 nC Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | auf Bestellung 1383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4IBC10UDPBF | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.8A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | auf Bestellung 14550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4IBC10UDPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRG4IBC10UDPBF - IRG4IBC10 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 6.8A TO220AB FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Td (on/off) @ 25°C: 40ns/87ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 27 A Power - Max: 25 W | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRG4IBC20FD | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP Power - Max: 34 W Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 14.3 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 27 nC Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns Supplier Device Package: PG-TO220-FP Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC20FD | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRG4IBC20FD Produktcode: 77977
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| IR | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,66 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 14,3 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 7,7 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 34 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 43/240 | auf Bestellung: 6 St.
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