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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 161486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
15+1.46 EUR
100+1.07 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
162+1.44 EUR
246+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
162+1.44 EUR
246+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.49 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 94A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS1D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
41+5.76 EUR
100+3.99 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS1D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.99 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.02 EUR
500+3.37 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.15 EUR
42+5.55 EUR
100+4.02 EUR
500+3.37 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+5.52 EUR
100+4.28 EUR
500+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
auf Bestellung 5254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.51 EUR
100+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFN5
Case: DFN5
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -900A
Drain current: -222A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
FET Type: P-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D3P04M8LT1G Transistor
Produktcode: 200395
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
53+4.45 EUR
100+3.02 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D0P04M8LT1GOn SemiconductorMV8 P INITIAL PROGRAM 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.62 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
auf Bestellung 16818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
1500+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+5.38 EUR
100+3.8 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GONN
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
42+5.55 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1G
Produktcode: 188443
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
auf Bestellung 5923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.77 EUR
100+3.47 EUR
500+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4841NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1436 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFS4C01NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
31+7.7 EUR
100+5.59 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 217500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.82 EUR
3000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.59 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 217500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
10+7.83 EUR
100+6.33 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+6.59 EUR
25+6.58 EUR
100+4.93 EUR
250+4.9 EUR
500+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.1 EUR
10+5.63 EUR
100+4.65 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+7.16 EUR
100+5.8 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
58+4.01 EUR
100+2.57 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.17 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.36 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
10+2.96 EUR
100+2.25 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 12264 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
85+1.98 EUR
87+1.88 EUR
100+1.63 EUR
250+1.55 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.57 EUR
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
85+2.02 EUR
87+1.95 EUR
100+1.71 EUR
250+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.51 EUR
3000+1.38 EUR
7500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 24,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1972 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 3,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,61, 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 116 А,... Транзистори Корпус: PowerTDFN
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
auf Bestellung 3119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.96 EUR
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.69 EUR
10+2.56 EUR
100+1.8 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C301NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
auf Bestellung 20651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.61 EUR
100+2.62 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.18 EUR
1500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C302NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
1500+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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