Produkte > NVT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| NVTFS4C06NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NTWG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM | auf Bestellung 4989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C06NWFTWG | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C08NTAG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C08NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C08NTWG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTAG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C08NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10N | onsemi | onsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C10NTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM | auf Bestellung 1016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 2899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C10NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C10NWFTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | auf Bestellung 2899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NETAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETWG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETWG | onsemi | NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NETWG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 554862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 553500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8 Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 13W Gate charge: 15.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NTWG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFETWG | onsemi | NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFETWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFETWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C13NWFTAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM | auf Bestellung 3583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C13NWFTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C25NTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM | auf Bestellung 17621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C25NTAG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8 Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 8.6W Gate charge: 10.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 22.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C25NWFTAG | onsemi | MOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVTFS4C305NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN | auf Bestellung 23580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C305NETAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C306NTAG | onsemi | NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM | auf Bestellung 1446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C306NTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 71A T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C308NTAG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C308NTAG | onsemi | NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS4C308NTAG | ON Semiconductor | NVTFS4C308NTAG | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS4C308NTAG | onsemi | Description: NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5116PL | onsemi | onsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | onsemi | MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm | auf Bestellung 13493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 3.2W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | On Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTWG | ONN | auf Bestellung 4398 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVTFS5116PLTWG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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