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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J13TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.7 EUR
148+1.14 EUR
211+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J13TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J13TRROHMDescription: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
118+1.98 EUR
179+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J13TRROHM SemiconductorMOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.39 EUR
100+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.57 EUR
9000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 4364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J1TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+2.01 EUR
100+1.45 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J1TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
auf Bestellung 3446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 6461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4FRATRROHMDescription: ROHM - QS8J4FRATR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V Vds -4A 0.06Rds(on) 8.4Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 84mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
102+2.28 EUR
146+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
123+1.37 EUR
164+0.99 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRROHMDescription: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.02 EUR
102+2.28 EUR
146+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
123+1.39 EUR
164+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J5TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 5A 8PIN
auf Bestellung 3464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J5TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8J5TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K11TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 3.5A
Gate charge: 3.3nC
On-state resistance: 75mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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QS8K11TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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QS8K13TCRROHMDescription: ROHM - QS8K13TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.02 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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QS8K13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
111+1.55 EUR
146+1.15 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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QS8K13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.32 EUR
111+1.51 EUR
146+1.11 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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QS8K13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
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91+1.93 EUR
129+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.82 EUR
250+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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QS8K21TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 45V 4A 8PIN
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS8K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 4A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
129+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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QS8K21TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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QS8K2TRROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 30V 3.5A 8PIN
Produkt ist nicht verfügbar
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QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
194+0.87 EUR
278+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+0.89 EUR
278+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS8K2TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8K51TRROHM SemiconductorMOSFET
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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QS8K51TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.93 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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QS8MKa-Ro electronics
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QS8M-MQ00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM The factory is currently not taking orders for this product.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M-MQ00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/MQ/1600/1024S/4GF/E85 socketed module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M-ND00Ka-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M-ND00/SOCKKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M/ND/1400/512S/4GF/E85 socketed module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M-SVMQKa-Ro electronicsComputer-On-Modules - COM QS8M Evaluation Kit including QS8M-MQ00
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+431.67 EUR
5+431.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M-SVNDKa-Ro electronicsDaughter Cards & OEM Boards QSBASE2 incl. USB cable / USB serial adaptor / QS8M-ND00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M11TCRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/PCH 30V 3.5A/3A 8PIN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M11TCR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M11TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M12TCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M12TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M13TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M13TCRROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.65 EUR
100+1.27 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M13TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M1FU7TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M31TRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QS8M31TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/7.2nC
On-state resistance: 137/266mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 3/-2A
Pulsed drain current: 4...6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Case: TSMD8
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.34 EUR
92+0.93 EUR
135+0.63 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M31TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
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QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
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QS8M31TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
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QS8M31TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
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QS8M51FRATRROHMDescription: ROHM - QS8M51FRATR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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QS8M51FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/-1.5A; Idm: 6A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2/-1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMD8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 355/540mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7/17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS8M51FRATRROHMDescription: ROHM - QS8M51FRATR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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