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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW14NK60Z
auf Bestellung 199950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM50
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM50FDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1500STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under toes,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Colour: black; blue
Mounting: clip
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under toes
Quantity in set/package: 1pcs.
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW150NF55STMN-channel 55V - 0.005. - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW150NF55STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-0.005ohms 120A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW150NF55STDO-35
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW150NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1510STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Colour: black; blue
Mounting: clip
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Quantity in set/package: 1pcs.
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.49 EUR
13+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1520STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 1pcs; Features: under heel,resistor 1MΩ
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Colour: black; blue
Mounting: bur
Features of antistatic elements: resistor 1MΩ; under heel
Quantity in set/package: 1pcs.
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.49 EUR
13+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; black,yellow
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Length: 0.3m
Colour: black; yellow
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+38.39 EUR
5+35.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1555STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 600mm; 100pcs; black,yellow
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
Version: ESD
Length: 0.6m
Colour: black; yellow
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+57.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.92 EUR
23+10.53 EUR
100+7.54 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.01 EUR
30+4.18 EUR
120+3.77 EUR
510+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+5.87 EUR
100+4.86 EUR
600+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.91 EUR
100+5.09 EUR
600+4.52 EUR
1200+4.02 EUR
3000+4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.5 EUR
29+8.28 EUR
100+7.15 EUR
500+6.64 EUR
1000+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NA50STMicroelectronicsMOSFET TO-247 N-CH 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NA50
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NB50ST
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NB50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14.6 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NB50STMMOSFET N-CH 500V 14.6A 0.33Om TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTN-MOSFET 14A 500V 160W 0.34Ω Replacement: STW15NB50 STW15NK50Z TSTW15NK50
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
30+6.25 EUR
120+5.2 EUR
510+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.33 EUR
41+4.31 EUR
100+3.82 EUR
250+3.37 EUR
600+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+4.61 EUR
100+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.99 EUR
34+6.91 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50Z
Produktcode: 153069
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMN-channel 500V - 0.30. - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.37 EUR
41+4.24 EUR
100+3.7 EUR
250+3.21 EUR
600+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.32 EUR
38+4.52 EUR
60+4.34 EUR
120+3.46 EUR
270+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9.5 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.49 EUR
20+11.79 EUR
100+9.62 EUR
500+8.57 EUR
1000+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z
Produktcode: 42480
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6100/190
Montage: THT
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 550mOhm; 15A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW15NK90Z TSTW15NK90Z
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.26 EUR
8+11.01 EUR
12+7.49 EUR
30+5.78 EUR
60+5.11 EUR
90+4.82 EUR
120+4.66 EUR
150+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.26 EUR
38+4.39 EUR
60+4.15 EUR
120+3.22 EUR
270+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90Z
Produktcode: 198553
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 15 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6100/190
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+11.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMMOSFET N-CH 900V 15A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.87 EUR
30+11.8 EUR
120+10.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.83 EUR
10+11.16 EUR
100+9.47 EUR
600+9.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1600STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Female press stud; ESD; 10pcs; crimped; press stud female 10mm
Type of antistatic accessories: female press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Connection: press stud female 10mm
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: crimped
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+4.03 EUR
23+3.81 EUR
24+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5m 120A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1610STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Connection: press stud male 10mm
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: crimped
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.32 EUR
21+4.08 EUR
23+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1620STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Male press stud; ESD; 10pcs; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: male press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Connection: press stud male 10mm
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: clinch
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.46 EUR
17+5.18 EUR
18+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1670STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Nozzles set for crimping press stud; ESD
Related items: PRT-STW1610; PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Version: ESD
Antistatic elements application: for attaching grounding points; for male press studs
Type of antistatic accessories: nozzles set for crimping press stud
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+66.38 EUR
3+62.38 EUR
5+58.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NA60STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NA60
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NB60ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NK60ZSTM(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW16NM50NST09+ SOP-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Version: ESD
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Connection: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Type of antistatic accessories: universal press stud
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Connection: press stud female 10mm; press stud male 10mm
Mounting: screwed
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.32 EUR
21+4.08 EUR
23+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1740STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Double male stud snap; ESD; 10pcs; push-in; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: double male stud snap
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Connection: press stud male 10mm
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: push-in
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW1750STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Double female stud snap; ESD; 10pcs; push-in
Type of antistatic accessories: double female stud snap
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Connection: press stud female 10mm
Quantity in set/package: 10pcs.
Mounting: push-in
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW17N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.68 EUR
10+3.67 EUR
100+3 EUR
600+2.92 EUR
1200+2.68 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
30+3.72 EUR
120+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.47 EUR
35+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
30+3.95 EUR
120+3.22 EUR
510+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2
Produktcode: 155497
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
78+2.24 EUR
120+2.14 EUR
510+2 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.51 EUR
30+2.92 EUR
35+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+3.88 EUR
100+3.17 EUR
600+2.64 EUR
1200+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
auf Bestellung 587 Stücke:
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1+8.32 EUR
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STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
30+4.58 EUR
120+3.76 EUR
510+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STW18NB40STTO-247
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STW18NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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