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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
86+2.71 EUR
250+2.12 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.56 EUR
120+1.43 EUR
143+1.18 EUR
200+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
250+2.12 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 90W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
131+1.78 EUR
197+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 2200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 90W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 2343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
131+1.78 EUR
197+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Drain current: 134A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 4.2mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R003PLLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
auf Bestellung 14688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm
auf Bestellung 4766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.4 EUR
25+2.2 EUR
100+1.78 EUR
250+1.69 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R008QMLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQToshibaSilicon N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
auf Bestellung 3815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.27 EUR
50+2.49 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQToshiba100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3. Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
auf Bestellung 8699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 5003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
66+3.55 EUR
250+2.95 EUR
1000+2.52 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 5003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
66+3.55 EUR
250+2.95 EUR
1000+2.52 EUR
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R10AQMLQ(M1ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.93 EUR
100+1.34 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 4754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 44W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
101+2.31 EUR
151+1.42 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
300+0.57 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.9 EUR
101+2.31 EUR
151+1.42 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PLToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.76 EUR
71+2.38 EUR
76+2.13 EUR
82+1.9 EUR
100+1.59 EUR
250+1.4 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 94A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.76 EUR
71+2.44 EUR
76+2.21 EUR
82+2.01 EUR
100+1.73 EUR
250+1.56 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 2600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 116W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.04 EUR
49+4.83 EUR
100+2.52 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R506PLLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PC,LQToshibaMOSFETs SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PC,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 118A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PCLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 61517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.87 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.74 EUR
15000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
auf Bestellung 4479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
129+1.31 EUR
191+0.84 EUR
250+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.63 EUR
289+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
73+3.2 EUR
108+1.99 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 3000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
108+1.99 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R704PLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1QToshibaMOSFETs SOP8 100V 150A N-CH MOSFET
auf Bestellung 26465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.64 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1QToshibaX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 12784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.42 EUR
15000+1.27 EUR
30000+1.17 EUR
45000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.23 EUR
152+1.11 EUR
153+1.06 EUR
155+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshibaMOSFETs 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
auf Bestellung 8484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.82 EUR
100+1.5 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
153+1.12 EUR
155+1.08 EUR
250+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 8789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.08 EUR
100+2.67 EUR
250+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQ(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 6941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.67 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
auf Bestellung 4243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 3100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 6941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.57 EUR
39+6.06 EUR
100+4.02 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APL1LQ(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APLL1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R70APLLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.71 EUR
100+1.19 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
107+2.18 EUR
160+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 3400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 36W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
107+2.18 EUR
160+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
auf Bestellung 8211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
10+5.22 EUR
100+3.68 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 995000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.07 EUR
500000+0.96 EUR
750000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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