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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7304TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7305IOR
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306
Produktcode: 3760
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 4
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.7 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 82 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306QPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306QTRPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306QTRPBFIOR
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRJSMSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRInternational Rectifier HiRel ProductsIRF7306TR
auf Bestellung 15218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
721+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
745+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 745 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
13+1.44 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.73 EUR
118+1.22 EUR
164+0.86 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
8000+0.55 EUR
12000+0.53 EUR
20000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.58 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,P-CH,LL,2W,-30V,4A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
auf Bestellung 3343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.56 EUR
64+1.13 EUR
92+0.78 EUR
107+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
8000+0.54 EUR
12000+0.51 EUR
20000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307
Produktcode: 21981
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF
Produktcode: 28597
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N+P (4.7A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9, td(off)+tf = 32, Id2 = 4,
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 61 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QTRPBFIOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRUMW(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRIOR
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRТранзистор польовий 2N, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660, 610, Qg, нКл = 20, 22, Rds = 53, 100 мОм, Ugs(th) = 700 мВ, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 300 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A
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IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
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IRF7307TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный и P-канальный ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В, Qg, нКл = 20 @ 4.5 В, Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7309InfineonN/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
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15+2 EUR
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IRF7309
Produktcode: 19215
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: N+P (3A)
JHGF: SMD
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IRF7309International Rectifier(SO-8) Транзистори
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IRF7309HRInternational RectifierTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
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IRF7309PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBFInfineonTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
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IRF7309PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7309PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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IRF7309PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
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IRF7309PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
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IRF7309QTRPBFIOR
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IRF7309QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRF7309TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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118+1.25 EUR
178+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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140+1.05 EUR
184+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IRF7309TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 43694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRF7309TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.85 EUR
140+1.01 EUR
183+0.75 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
8000+0.55 EUR
12000+0.53 EUR
20000+0.51 EUR
28000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 6607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
    1+0.35 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF.Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 3 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7309TRPBF/IRIR08+;
    auf Bestellung 20000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730AIR
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF730APBF
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 400V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
    Verlustleistung: 74W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
    auf Bestellung 16152 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF730APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
    Mounting: THT
    Case: TO220AB
    Kind of package: tube
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Kind of channel: enhancement
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 5.5A
    Gate charge: 22nC
    On-state resistance: 1Ω
    Power dissipation: 74W
    Gate-source voltage: ±30V
    Pulsed drain current: 22A
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    IRF730APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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    IRF730APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF730APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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    5+4.24 EUR
    50+2.09 EUR
    100+1.88 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB Транзистори
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    IRF730APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF730APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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    50+2.09 EUR
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    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    IRF730APBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
    Mounting: THT
    Case: TO220AB
    Kind of package: tube
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Kind of channel: enhancement
    Drain-source voltage: 400V
    Drain current: 5.5A
    Gate charge: 22nC
    On-state resistance: 1Ω
    Power dissipation: 74W
    Gate-source voltage: ±30V
    Pulsed drain current: 22A
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    IRF730APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
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    10+2.06 EUR
    100+1.68 EUR
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    1000+1.36 EUR
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    IRF730ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRF730ASVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
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    IRF730ASIRTO-263
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