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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.2 EUR
110+1.56 EUR
154+1.09 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F126ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-CH PwrTrench
auf Bestellung 23810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F126onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F126ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1133+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
auf Bestellung 18596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+1.31 EUR
554+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127onsemiDescription: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
auf Bestellung 791049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+1.31 EUR
554+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
100000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127onsemi / FairchildMOSFETs -30V P-CH PwrTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiMOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiDescription: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+2 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127-L701ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+1.31 EUR
553+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiDescription: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4435BZ_F106onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4436BZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 23228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
841+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 841 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4436BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1232+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
10+2.14 EUR
100+1.67 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4D9P20X8onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC4D9P20X8ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
56+4.15 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PonsemiMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
auf Bestellung 10211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PONS/FAIMOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Power dissipation: 41W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510PONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510Ponsemi / FairchildMOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.39 EUR
100+2.32 EUR
250+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510P-F106ON SemiconductorDescription: ST3 20V/8V PCH ERTREN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC510P-F106ON Semiconductor / FairchildMOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614Ponsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
13+1.7 EUR
100+1.33 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
657+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 657 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
657+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 657 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-B8onsemiMOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-B8onsemiDescription: FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-B8ON SemiconductorMOSFET Transistor
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
657+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 657 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-L701onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC5614P-L701onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 8MLP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
81+2.07 EUR
82+1.99 EUR
100+1.75 EUR
250+1.63 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
81+2.12 EUR
82+2.06 EUR
100+1.84 EUR
250+1.77 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
110+1.95 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610Ponsemi / FairchildMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+3.36 EUR
100+2.62 EUR
250+2.49 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
10+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
94+2.49 EUR
110+1.95 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC610PonsemiMOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+3.75 EUR
100+2.59 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
3000+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC612PZON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
auf Bestellung 6720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC612PZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-MLP
auf Bestellung 6720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V
auf Bestellung 20197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6296ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R
auf Bestellung 11624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
147+1.17 EUR
176+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
auf Bestellung 4933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
11+1.99 EUR
100+1.38 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZonsemi / FairchildMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.46 EUR
100+1.18 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.96 EUR
3000+0.84 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
564+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 564 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 191225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
564+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
100000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 564 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
85+1.99 EUR
126+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZonsemiMOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
126+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZ
Produktcode: 130485
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
564+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 564 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6675BZ-TonsemiDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6676BZFairchild SemiconductorDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 192350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
124+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 17969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.15 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.98 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.23 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
84+2.78 EUR
124+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 15015 Stücke:
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FDMC6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDMC6679AZ-PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
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FDMC6680AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDMC6680AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
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FDMC6683onsemi / FairchildMOSFET
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FDMC6683Fairchild SemiconductorDescription: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
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FDMC6683PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
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FDMC6683PZonsemionsemi
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