Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB031NE7N3 G | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB031NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 304-308 Tag (e) |
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| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2 | auf Bestellung 3216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 175 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB032N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 187W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V | auf Bestellung 1703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB032N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 2800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 187W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | auf Bestellung 2038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 179W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS | auf Bestellung 2879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V | auf Bestellung 1772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N03LG | INF | 07+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 448 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB034N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 22057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | auf Bestellung 3146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06N3GATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: TO263-7 Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06N3GATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB034N06N3GATMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N08N3 G | Infineon | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 113µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V | auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB035N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB035N12NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB035N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 138 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 138A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 246W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB035N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | auf Bestellung 5518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB036N12N3 G | Infineon | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 | auf Bestellung 5518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB036N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB036N12N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB036N12N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | auf Bestellung 5965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 2184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB036N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB037N06N3 G | INF | TO-263 | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N12N3 G | Infineon | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB038N12N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N12N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB038N15NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB038N15NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB038N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB039N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB039N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB039N10N3 G | Infineon | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB039N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB039N10N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB039N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | auf Bestellung 2687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB039N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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