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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.95 EUR
32+5.27 EUR
100+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 5415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+5.59 EUR
100+4.57 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.98 EUR
35+4.88 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.46 EUR
25+10.14 EUR
100+9.82 EUR
250+9.57 EUR
500+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
10+6.9 EUR
100+4.94 EUR
500+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.07 EUR
31+7.72 EUR
100+5.7 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.72 EUR
18+9.22 EUR
25+8.79 EUR
100+6.89 EUR
250+6.54 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.65 EUR
22+8.06 EUR
50+6 EUR
200+5.52 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.94 EUR
23+3.71 EUR
100+2.98 EUR
250+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.83 EUR
2000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.97 EUR
35+4.77 EUR
100+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 196000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.44 EUR
98000+4.01 EUR
147000+3.68 EUR
196000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+7.46 EUR
100+5.49 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GInfineonN-channel, 100V, 180A, 2.5mOhm Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.22 EUR
3000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
13+7.04 EUR
15+5.81 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1
Produktcode: 133145
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+9.4 EUR
10+8.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.71 EUR
24+7.24 EUR
50+5.7 EUR
100+5.21 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+6.34 EUR
100+5.49 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 9134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.21 EUR
10+8.18 EUR
50+6.44 EUR
100+5.88 EUR
500+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.72 EUR
24+7.08 EUR
50+5.49 EUR
100+4.94 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+4.51 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.59 EUR
3000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
24+9.77 EUR
100+7.24 EUR
500+6.45 EUR
1000+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB025N10N3GE818XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+5.4 EUR
100+4.02 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.93 EUR
5000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.95 EUR
3000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
10+5.34 EUR
50+4.14 EUR
100+3.76 EUR
500+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.44 EUR
44+3.8 EUR
100+3.02 EUR
250+2.94 EUR
500+2.46 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
50+3.4 EUR
100+2.44 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+5.02 EUR
100+3.58 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.92 EUR
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IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.98 EUR
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.44 EUR
44+3.65 EUR
100+2.86 EUR
250+2.71 EUR
500+2.21 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.02 EUR
55+4.22 EUR
100+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB026N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
100+2.59 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.6 EUR
33+5.11 EUR
50+4.2 EUR
100+3.21 EUR
800+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.21 EUR
50+4.86 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
38+6.2 EUR
100+4.26 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1InfineonIPB026N10NF2SATMA1 IPB026N10NF2S N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.62 EUR
33+5.22 EUR
50+4.37 EUR
100+3.4 EUR
800+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.7 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.26 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.7 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.21 EUR
10+4.77 EUR
100+4.33 EUR
500+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB026N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.45 EUR
25+8.91 EUR
50+8.38 EUR
100+7.91 EUR
250+7.57 EUR
500+7.25 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+8.15 EUR
100+5.99 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.69 EUR
2000+4.46 EUR
5000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3 GInfineon
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
50+2.23 EUR
100+2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3GInfineonN-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G(UMW)UMWIPB027N10N3G(UMW) IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB027N10N3G-VBVBSEMIIPB027N10N3G-VB IPB027N10N3G N-channel, 100V, 120A, 2.3mOhm TO-263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB027N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
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IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
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10+8.2 EUR
50+6.46 EUR
100+5.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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43+4.02 EUR
1000+3.49 EUR
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132+4.93 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.25 EUR
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1000+3.99 EUR
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60000+4.3 EUR
90000+3.93 EUR
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IPB027N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.7 EUR
28+8.54 EUR
50+6.79 EUR
200+5.68 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.61 EUR
3000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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