Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPP040N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 : IPP040N06N | Infineon | MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 2096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 Produktcode: 202353
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | auf Bestellung 473 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 97950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 91400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 148000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 115A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04N G | Infineon | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP041N04NG | Infineon technologies | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 764000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 94W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP041N12N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP041N12N3GXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP042N03L G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 553 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 11433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP042N03LG | INFINEON | TO-220 0741+ | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LG | Infineon Technologies | Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | auf Bestellung 71180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 695 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm | auf Bestellung 3396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP044N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 2789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP044N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V | auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon | auf Bestellung 86450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP045N10N3G | Infineon technologies | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPP045N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Packaging: Tube | auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | auf Bestellung 3336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 13386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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