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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPW60R120CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
10+6.89 EUR
100+5.13 EUR
480+4.3 EUR
1200+3.97 EUR
2640+3.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.12 EUR
35+4.88 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.02 EUR
33+5.12 EUR
100+4.07 EUR
480+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.12 EUR
35+4.99 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R120P7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.82 EUR
25+3.45 EUR
30+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R120P7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.87 EUR
41+4.21 EUR
100+3.42 EUR
480+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6Infineon technologies
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+7.79 EUR
100+5.71 EUR
480+5.09 EUR
1200+4.52 EUR
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IPW60R125C6
Produktcode: 182612
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 30 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2127/96
Montage: THT
auf Bestellung: 13 St.
  • 13 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+9.59 EUR
10+8.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1InfineonIPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Транзистори
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IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+4.76 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.44 EUR
10+7.27 EUR
100+5.71 EUR
480+5.11 EUR
1200+4.52 EUR
5040+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.53 EUR
38+4.44 EUR
120+4.12 EUR
510+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R125C6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.84 EUR
30+5.56 EUR
120+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.52 EUR
38+4.53 EUR
120+4.26 EUR
510+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.57 EUR
34+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
30+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
39+6.08 EUR
100+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.27 EUR
40+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.14 EUR
10+7.31 EUR
100+5.38 EUR
480+4.77 EUR
1200+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CP
Produktcode: 143316
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPINFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPInfineon TechnologiesDescription: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R125CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
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IPW60R125P6
Produktcode: 169145
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPW60R125P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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IPW60R125P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
58+2.96 EUR
120+2.8 EUR
510+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+5.46 EUR
100+4.52 EUR
480+3.83 EUR
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IPW60R125P6XKSA1InfineonN-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+19.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R125P6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
22+4 EUR
30+3.64 EUR
120+3.12 EUR
150+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
58+2.9 EUR
120+2.7 EUR
510+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
30+4.88 EUR
120+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+4.05 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPW60R125P6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R145CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 99993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
141+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+7.02 EUR
100+5.24 EUR
480+4.4 EUR
1200+4.06 EUR
2640+3.81 EUR
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IPW60R145CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPW60R160C6Infineon TechnologiesDescription: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
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IPW60R160C6Infineon technologies
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.88 EUR
33+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1
Produktcode: 206426
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+5.3 EUR
100+4.06 EUR
480+3.61 EUR
1200+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6Infineon
auf Bestellung 31680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.77 EUR
30+4.3 EUR
120+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+6.53 EUR
25+3.28 EUR
100+3.09 EUR
240+2.95 EUR
480+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
30+7.82 EUR
100+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.27 EUR
50+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPInfineon technologies
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPInfineon TechnologiesDescription: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+7.58 EUR
100+5.59 EUR
480+4.96 EUR
1200+4.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
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IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
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IPW60R165CPFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPW60R165CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R165CPFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPW60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R170CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
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