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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJ13SR103Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 10KOHM 0.75W PC PIN SIDE
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR104Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 100K OHM 0.75W PC PIN
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RJ13SR105Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 1M OHM 0.75W PC PIN SIDE
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RJ13SR200Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 20 OHM 0.75W TH
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RJ13SR201Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 200 OHM 0.75W TH
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RJ13SR202Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 2K OHM 0.75W TH
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RJ13SR203Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 20K OHM 0.75W TH
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RJ13SR204Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 200K OHM 0.75W PC PIN
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RJ13SR205Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 2M OHM 0.75W TH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR253Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 25K OHM 0.75W TH
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RJ13SR254Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 250K OHM 0.75W TH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR500Copal Electronics Inc.Description: TRIMMER 50 OHM 0.75W TH
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RJ13SR501Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 500OHM 0.75W PC PIN SIDE
Part Status: Active
Resistive Material: Cermet
Termination Style: PC Pins
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: Rectangular - 0.535" x 0.492" Face (13.60mm x 12.50mm)
Adjustment Type: Side Adjustment
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Tolerance: ±10%
Power (Watts): 0.75W, 3/4W
Packaging: Bulk
Number of Turns: 1
Resistance: 500 Ohms
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR502Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 5K OHM 0.75W PC PIN SIDE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR503Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 50KOHM 0.75W PC PIN SIDE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR504Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 500K OHM 0.75W PC PIN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ13SR505Nidec Copal ElectronicsDescription: TRIMMER 5M OHM 0.75W PC PIN SIDE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14TE ConnectivityAluminium Die-cast Enclosure
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+200.06 EUR
2+190.11 EUR
3+180.06 EUR
5+171.06 EUR
10+164.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14RAYCHEM RPGCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 160mm; Y: 360mm; Z: 90mm; ALUEIN-RJ; grey
Manufacturer series: ALUEIN-RJ
Mechanical impact resistance: IK09
Enclosure material: aluminium
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: grey
Dimension Y: 360mm
IP rating: IP66
Dimension Z: 90mm
Dimension X: 160mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14 Stecker 6P4C (KLS12-RJ12-6P4C - KLS)
Produktcode: 143400
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KLSSteckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Funktionsbeschreibung: Stecker 6P4C
Typ: RJ14
Stecker/Buchse: Stecker
...C (Anzahl der Kontakte): 6P4C
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1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-1.5K?F\R-25FTE52????\????0408\0782
auf Bestellung 3742 Stücke:
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RJ14-1/4W-100?±1%N/AN/A
auf Bestellung 60 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-100k?±1%N/An/a
auf Bestellung 10 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-10LKN/AN/A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-130k?±2%N/An/a
auf Bestellung 10 Stücke:
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RJ14-1/4W-2.4K?F??????????
auf Bestellung 300 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-2.7k?±2%N/AN/A
auf Bestellung 30 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-22k?±1%N/AN/A
auf Bestellung 409 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-27.1K?F??????????
auf Bestellung 270 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-2k?±1%N/AN/A
auf Bestellung 10 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-3.01K?F????
auf Bestellung 20 Stücke:
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RJ14-1/4W-33k?±1%N/An/a
auf Bestellung 15 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-4.7K?F\R-25FTE52-4K7????\????0642
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-6.8k?±2%N/AN/A
auf Bestellung 20 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1/4W-9.1k?±2%N/An/a
auf Bestellung 10 Stücke:
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RJ14-10
auf Bestellung 2756 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-100
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-100K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJ14-10K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJ14-1102-FT52NWY01+
auf Bestellung 5255 Stücke:
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RJ14-15K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-1K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-2.2K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-2.7K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-200
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-2002-FT52?????04+
auf Bestellung 11005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-2402-FT52NANWUN/A
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-4.7K
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-4702-FT52??????????
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ14-51R1-FT52NANWUSHIYIN/A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ15-1002-FT52????????05+
auf Bestellung 4013 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ15-14-N-5M X2XGXXXDPepperl+Fuchs, Inc.Description: INDUCTIVE NAMUR
Packaging: Box
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ15-153-JT52?????N/A
auf Bestellung 9405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR005CSSamsung Electro-MechanicsRes Thick Film 0612 0.005 Ohm 1% 1W ±100ppm/°C Sulfur Resistant Wide Terminal SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR005CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.005 OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 5 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR010CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 10M OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 10 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR010CSSamsung Electro-MechanicsThick Film Wide Terminal Type Current Sensing Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR020CSSamsung Electro-MechanicsThick Film Wide Terminal Type Current Sensing Resistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1W 1206 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 20 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1632FR050CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 50M OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
Power (Watts): 0.75W, 3/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1632
Height - Seated (Max): 0.028" (0.71mm)
Resistance: 50 mOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ18TE ConnectivityAluminium Die-cast Enclosure
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+252.63 EUR
2+240.08 EUR
3+227.47 EUR
5+216.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1A60D90EPCarlo Gavazzi Computing SolutionsRJ1A60D90EP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+260.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1C-12SWorld Products Inc.RJ1C-12S
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.27 EUR
60+5.18 EUR
100+2.27 EUR
260+1.77 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1C-24SWorld Products Inc.RJ1C-24S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.79 EUR
50+7.06 EUR
100+3.02 EUR
250+2.63 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G04BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.84 EUR
100+3.64 EUR
500+3.22 EUR
800+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.95 EUR
100+2.77 EUR
250+2.61 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G08CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package (LPTL), suitable for switching.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.54 EUR
23+10.09 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G10BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1G10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1430 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.54 EUR
23+10.09 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G12BGNTLLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Gate charge: 165nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.08mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
10+7.45 EUR
100+6.02 EUR
500+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.18 EUR
30+5.83 EUR
50+5.49 EUR
100+5.18 EUR
250+4.95 EUR
500+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1G12BGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+7.44 EUR
25+7.16 EUR
100+5.34 EUR
500+4.44 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L04BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L04BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.39 EUR
500+3.25 EUR
800+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L04BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L04BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.72 EUR
40+5.94 EUR
100+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L08CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching.
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+4.05 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.15 EUR
2000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
57+3.02 EUR
100+2.86 EUR
250+2.71 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L08CGNTLLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
23+10.31 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L10BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET : RJ1L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L10BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1L10BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
23+10.31 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
50+4.75 EUR
100+4.49 EUR
250+4.25 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.59 EUR
50+3.94 EUR
100+3.68 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12BGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs LPTL N CHAN 60V
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.03 EUR
10+10.56 EUR
100+7.72 EUR
500+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12BGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
50+4.75 EUR
100+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
77+2.25 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.15 EUR
50+3.94 EUR
100+3.72 EUR
250+3.52 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12CGNTLLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 120A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
10+8.4 EUR
100+6.78 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1L12CGNTLLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+11.36 EUR
100+9.32 EUR
500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1N04BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1N04BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+5.13 EUR
100+4.16 EUR
500+3.69 EUR
800+3.17 EUR
2400+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1N04BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RJ1N04BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 5300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9 EUR
43+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJ1N10BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+9.38 EUR
100+7.81 EUR
500+6.97 EUR
800+6.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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