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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF7413TRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZIRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413Z PBF
Produktcode: 25377
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 13
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZGTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
auf Bestellung 9393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZPBFTRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z TIRF7413z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTR
Produktcode: 122875
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOIC-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
JHGF: SMD
auf Bestellung 110 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTR
Produktcode: 122859
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
119+0.6 EUR
126+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.94 EUR
209+0.69 EUR
283+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
auf Bestellung 13653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.9 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
22+0.81 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFInternational Rectifier(SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.22 EUR
178+0.81 EUR
258+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.34 EUR
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 8000 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7414IR09+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7414TRIR09+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416DIR09+
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416GIR09+
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416GTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
auf Bestellung 3266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 3 Од
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N Tube
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 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
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IRF7416PBFInternational RectifierMOSFET, -30V, -10A, SO-8 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416QTRPBFIOR
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR JGSEMI TIRF7416 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.73 EUR
8000+0.68 EUR
12000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 73462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.64 EUR
122+1.18 EUR
163+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.59 EUR
4000+0.53 EUR
8000+0.51 EUR
12000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 15824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
97+0.74 EUR
125+0.57 EUR
250+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.39 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 12683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 15824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.75 EUR
1000+0.66 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 34 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8 St.
    1+0.38 EUR
    10+0.36 EUR
    100+0.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7416TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
    auf Bestellung 3990 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.75 EUR
    10+1.71 EUR
    100+1.13 EUR
    500+0.9 EUR
    1000+0.8 EUR
    2000+0.73 EUR
    4000+0.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7416TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2.04V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SOIC
    Part Status: Obsolete
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7418IR09+
    auf Bestellung 169 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7418TRIR09+
    auf Bestellung 9345 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420
    Produktcode: 22021
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 12
    Id,A: 11.5
    Rds(on),Om: 0.026
    Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
    /: SMD
    auf Bestellung 16 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    1+0.84 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420PBFIRF7420PBF Транзисторы HEXFET
    auf Bestellung 11 Stücke:
    Lieferzeit 7-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420PBFInfineonMOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRPB
    auf Bestellung 7500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 111 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    93+1.58 EUR
    103+1.37 EUR
    104+1.31 EUR
    105+1.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 93 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRPBF
    Produktcode: 195254
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 12 V
    Id,A: 9,8 A
    Rds(on),Om: 17,5 mOhm
    Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
    /: SMD
    auf Bestellung 128 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 11,5, Ciss, пФ @ Uds, В = 3529 @ 10, Qg, нКл = 38 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 11,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,9 @ 250 мкA, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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    IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
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    IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
    auf Bestellung 111 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    103+1.42 EUR
    104+1.39 EUR
    105+1.34 EUR
    Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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    IRF7420TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
    Packaging: Bulk
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
    Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    Vgs (Max): ±8V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRF7421IR09+
    auf Bestellung 4060 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    IRF7421D1International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ с диодом Шоттки (Vds=30V, Id=5,8A@T=25C, Id=4,6A@T=70C, Rds=0.035 R , P=2.0W, -55 to +150C), Schottky Vf = 0.39V... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
    FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1PBFInfineon / IRMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    Packaging: Tube
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
    FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Supplier Device Package: 8-SO
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
    FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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    IRF7421D1TRPBFIOR
    auf Bestellung 30000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
    FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Cut Tape (CT)
    auf Bestellung 1368 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    21+0.84 EUR
    28+0.64 EUR
    100+0.53 EUR
    500+0.48 EUR
    1000+0.47 EUR
    Mindestbestellmenge: 21 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Supplier Device Package: 8-SO
    Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
    FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type: Surface Mount
    Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421D1TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421IIR09+
    auf Bestellung 26 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421TRIR09+
    auf Bestellung 3341 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7421TRPBFIRSOP8 07+08+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7422IOR09+
    auf Bestellung 8033 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7422D2IRSO-8
    auf Bestellung 12000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7422D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm
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