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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSP250,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP250,135 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250,135NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP250GEG
Produktcode: 30597
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254A
Produktcode: 79931
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PhilipsTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Id, A: 0,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 65/
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.35 EUR
10+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254A,126NXPаналог BSS92, VP2410L (TO-92) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP254A,126NXP USA Inc.Description: MOSFET P-CH 250V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP255PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP280INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 H6327Infineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295 L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295-E6327SIEMENSSOT89
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327InfineonMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 16522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
123+1.89 EUR
148+1.45 EUR
200+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.75 EUR
231+0.74 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.31 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 1.8A 60V 1.8W 0.3Ω BSP295 TBSP295
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.21 EUR
152+1.54 EUR
180+1.19 EUR
222+0.96 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
auf Bestellung 308310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
831+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327InfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP295L6327HTSA1 - BSP295 SIPMOS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 308219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 308219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
960+0.67 EUR
1017+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296INF09+
auf Bestellung 11018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 E6327INFINEON00+;
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 E6433Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 L6327INFINEONSMD 01+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6327Infineon technologies
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1094+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1094 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.62 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
401+0.43 EUR
451+0.37 EUR
455+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.7 EUR
155+0.55 EUR
184+0.46 EUR
194+0.44 EUR
203+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
315+0.74 EUR
356+0.61 EUR
412+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 31989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
302+0.77 EUR
332+0.64 EUR
368+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.5 EUR
387+0.43 EUR
434+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
178+1.31 EUR
252+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
171+1 EUR
200+0.96 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.08 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.65 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP296NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
178+1.31 EUR
252+0.84 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.45 EUR
8000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BSP296NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSP297InfineonN-MOSFET 0.66A 200V 1.8W 1.8Ω BSP297 TBSP297
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.27 EUR
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BSP297InfineonТранзистори
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BSP297TECH PUBLICN-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223 BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC TBSP297 TEC
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP297 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP297 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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2+2.78 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP297 L6327Infineon
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP297 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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BSP297E6327InfineonТранзистори
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BSP297H6327Infineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSP297H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSP297H6327XTSA1InfineonN-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Транзистори
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BSP297H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
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BSP297H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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