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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 58888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1920+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1920 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2360T
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243
Produktcode: 41963
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243On SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE253) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 8042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 12643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
248+0.69 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON-SemiconductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
150+1.55 EUR
227+0.95 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 4A TO-225 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.83 EUR
169+0.99 EUR
212+0.76 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.43 EUR
94+0.92 EUR
125+0.69 EUR
140+0.61 EUR
200+0.55 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.06 EUR
213+0.81 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 12643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.2 EUR
211+0.8 EUR
248+0.65 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE243MJE253
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253
Produktcode: 41964
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253On SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253ONSEMI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
auf Bestellung 8879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
150+1.55 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.43 EUR
96+0.89 EUR
127+0.67 EUR
143+0.6 EUR
250+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 17196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE253GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 6MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
273+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.21 EUR
210+0.8 EUR
273+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GSTMTRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.81 EUR
100+0.7 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
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MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 6MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
50+1.11 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
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MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MJE271
auf Bestellung 14408 Stücke:
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MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
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MJE271STMTRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 Транзистори
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MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 9677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
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MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE271GON Semiconductor
auf Bestellung 7478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.03 EUR
10+5.99 EUR
100+4.74 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.61 EUR
2500+3.42 EUR
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MJE2801T PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 10A 75W TH TRANSISTOR-BIPOLA
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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MJE2955MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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MJE2955
Produktcode: 24030
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 2 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 100
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1+0.48 EUR
10+0.43 EUR
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MJE2955-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
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MJE2955/3055ST08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE2955ET4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
50+2.28 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
141+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955T
Produktcode: 57977
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 2 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
verfügbar: 23 St.
  • 23 St. - stock Köln
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.74 EUR
238+0.7 EUR
245+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsТранзистор PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.74 EUR
238+0.73 EUR
245+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
68+1.25 EUR
94+0.9 EUR
107+0.8 EUR
200+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.33 EUR
140+1.15 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
187+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.93 EUR
100+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
510+0.35 EUR
521+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
93+0.92 EUR
113+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
510+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON Semiconductor
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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