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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.11 EUR
6000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.76 EUR
54+3.13 EUR
60+2.73 EUR
100+2.15 EUR
250+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayP-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
auf Bestellung 11806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.31 EUR
50+3.32 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
auf Bestellung 77424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.25 EUR
100+2.95 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
50+5.57 EUR
100+3.83 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 50A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-26
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-26-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L
auf Bestellung 25200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 4012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
auf Bestellung 17011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+3.27 EUR
100+2.95 EUR
500+2.39 EUR
2000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.11 EUR
4000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
auf Bestellung 14227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 12491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.12 EUR
54+4.34 EUR
100+3.11 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3VishayTrasistor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Substitute: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3; SUD50P10-43L TSUD50P10-43L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 41950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.31 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.11 EUR
4000+1.98 EUR
6000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
58+4.06 EUR
100+3.17 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.89 EUR
100+2.71 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 37A P-Channel
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD54P04-23-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 23mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD5N03-11
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
122+1.4 EUR
139+1.21 EUR
250+1.18 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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SUD70090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
auf Bestellung 4214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
14+1.55 EUR
100+1.42 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
121+1.39 EUR
122+1.32 EUR
139+1.12 EUR
250+1.07 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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SUD70090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 19077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SUD70090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
70+3.34 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SUD70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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SUD70N02
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD70N02-03PVISHAYSOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD70N02-049-E3
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70N02-04PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUD70N02-05+P
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70N02-05PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70N02-05P-T4
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70N03-04PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70N03-06PVISHAY07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 150V 42A N-CH MOSFET
auf Bestellung 19780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.93 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
auf Bestellung 5376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD80460E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42 A, 0.0447 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
122+1.9 EUR
184+1.17 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
auf Bestellung 18869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 42A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 65.2W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 44.7mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.65 EUR
4000+0.61 EUR
6000+0.58 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.21 EUR
4000+1.13 EUR
6000+1.09 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S)
auf Bestellung 26124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+1.98 EUR
100+1.77 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 10980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-BE3VishaySUD90330E-BE3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-252
auf Bestellung 23209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.23 EUR
100+1.61 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.21 EUR
4000+1.13 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
116+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3VishayN-Channel 200 V MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.8A; Idm: 70A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 35.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 42.2mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
auf Bestellung 15346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
82+2.83 EUR
117+1.84 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDAC0-1201UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDAC0-1202UD1SSunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDAC0-1202UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDAC0-1206UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDAC1-1002UD40Sunbank / SouriauCircular MIL Spec Backshells CIRCULAR ASSEMBLY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDB05RX794P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDC208V42PTripp LiteDescription: 3-PHASE DISTRIBUTION CABINET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUDC208V42PTripp LiteRacks & Rack Cabinets Tripp Lite 208V 3-Phase Distribution Cabinet for 20k-60kVA UPS 42 Pole TAA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SudoProc 128SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 128GB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SudoProc 256SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 256GB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SudoProc 32SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 32GB
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SudoProc 64SudoSystem-On-Modules - SOM System on Module 64GB
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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