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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J01TTE85LSOT23-DETOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J02F
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J02F(TE85L
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SSM3J02F/DD
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J02TTOSHIBA
auf Bestellung 11700 Stücke:
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SSM3J02T/DDTOSHIBA09+
auf Bestellung 39018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J02T\DDTOSHIBASOT-23
auf Bestellung 39100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J05FU,LF
auf Bestellung 42100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 8730 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FU(T5LSONYF
auf Bestellung 24530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
auf Bestellung 5360 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FU,LF(BToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J09FU,LF(BToshibaSSM3J09FU,LF(B
auf Bestellung 2000 Stücke:
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349+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J108TUTOSHIBASOT23
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J108TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J109TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J110TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J111TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
auf Bestellung 8773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
38+0.55 EUR
53+0.4 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
390+0.6 EUR
614+0.35 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1195+0.14 EUR
1283+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
412+0.56 EUR
650+0.33 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J112TUTE85L
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J113TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J113TUToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J113TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 11582 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J113TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-1.7A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
auf Bestellung 5158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J114TU(T5L,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J114TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J115TUTOSHIBASOT23
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU(TE85L)ToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU(TE85L) Transistor
Produktcode: 99554
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU,LFToshibaMOSFETs Vds=-30V Id=-2A 3Pin
auf Bestellung 9845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
auf Bestellung 1348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J117TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 2A 3-Pin UFM
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.27 EUR
656+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 632 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
36+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
51+0.42 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-1.4A VDSS=-30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J118TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 74988 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 6756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.84 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J120TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1484 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TUToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J129TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TUTOS
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU(TE85L)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 4.4A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
auf Bestellung 4068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
auf Bestellung 104998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
32+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J130TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.57 EUR
244+0.95 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J130TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.19 EUR
293+0.57 EUR
320+0.51 EUR
322+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU (Transistor)
Produktcode: 48079
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
auf Bestellung 7233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.73 EUR
268+0.61 EUR
271+0.58 EUR
365+0.42 EUR
366+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 5.4A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.63 EUR
365+0.46 EUR
366+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
auf Bestellung 7801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.67 EUR
100+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J132TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J132TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5.4 A, 0.017 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.65 EUR
243+0.96 EUR
375+0.57 EUR
535+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.51 EUR
489+0.35 EUR
505+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.61 EUR
332+0.5 EUR
335+0.48 EUR
489+0.31 EUR
505+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
auf Bestellung 16140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.54 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 57692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
33+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J133TU,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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