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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
50+3.92 EUR
100+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FFSP0665AON Semiconductor
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0665AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 22 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
50+4.69 EUR
100+3.67 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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FFSP0665BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FFSP0665BON Semiconductor
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FFSP0665BonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SIC DIODE TO220 650V
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.63 EUR
100+4.24 EUR
500+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.59 EUR
50+7.29 EUR
100+6.69 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120Aonsemi / FairchildSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+6.85 EUR
100+6.31 EUR
500+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120AON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP08120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+7.33 EUR
100+6.7 EUR
500+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AON Semiconductor
auf Bestellung 10010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
54+4.32 EUR
100+3.43 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.08 EUR
100+3.36 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 66355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.12 EUR
800+3.22 EUR
1600+3.02 EUR
2400+2.92 EUR
5600+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 13A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865BON Semiconductor
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE TO220 650V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+3.89 EUR
100+3.36 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865BON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 10.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP0865BonsemiDescription: SIC DIODE TO220 650V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 13629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.47 EUR
50+7.27 EUR
100+6.66 EUR
500+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120AonsemiSiC Schottky Diodes TranSic_HV
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.49 EUR
10+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120AON Semiconductor
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP10120Aonsemi / FairchildSiC Schottky Diodes TranSic_HV
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.7 EUR
10+11.83 EUR
25+6.62 EUR
100+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AON Semiconductor
auf Bestellung 3798 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
50+5.43 EUR
100+4.95 EUR
500+4.11 EUR
1000+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.01 EUR
100+5.02 EUR
500+4.36 EUR
1000+4.16 EUR
2500+3.92 EUR
5000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
auf Bestellung 27003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
50+3.59 EUR
100+3.26 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.48 EUR
2000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+3.56 EUR
100+3.01 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065BONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
59+3.99 EUR
100+3.11 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065BON Semiconductor
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.99 EUR
100+3.64 EUR
250+3.62 EUR
500+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.7V
Technology: SiC
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.18 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AON Semiconductor
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+4.24 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
50+5.27 EUR
100+4.8 EUR
500+3.99 EUR
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FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 109 Stücke:
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48+3.64 EUR
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FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1475 Stücke:
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154+4.24 EUR
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FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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FFSP1265AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
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1+7 EUR
10+4.66 EUR
100+4.27 EUR
500+3.83 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1265AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.18 EUR
47+5.01 EUR
100+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.29 EUR
50+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120Aonsemi / FairchildSiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+7.14 EUR
100+6.59 EUR
500+6.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.83 EUR
50+7.46 EUR
100+6.85 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP15120AON Semiconductor
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 1.75V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
10+8.1 EUR
100+5.84 EUR
800+4.66 EUR
1600+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FFSP1665AON Semiconductor
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP1665AonsemiSiC Schottky Diodes 650V 16A SIC SBD
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+7.79 EUR
100+5.71 EUR
500+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120AonsemiSiC Schottky Diodes 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+15.49 EUR
100+11.77 EUR
500+11.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
10+15.98 EUR
100+12.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP20120AON Semiconductor
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 43980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.72 EUR
50+7.34 EUR
100+6.72 EUR
500+5.65 EUR
1000+5.31 EUR
2000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AonsemiSiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 64
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 25A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 25A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
auf Bestellung 43923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.51 EUR
50+9.07 EUR
100+9.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065AON Semiconductor
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BON Semiconductor
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.67 EUR
10+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 20A
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.48 EUR
10+6.31 EUR
100+4.46 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 22.5A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.46 EUR
10+10.5 EUR
100+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085onsemiSiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.16 EUR
10+10.31 EUR
100+7.52 EUR
500+6.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065B-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085ONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Max. forward voltage: 1.7V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.11 EUR
26+9.09 EUR
100+7.79 EUR
500+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.02 EUR
50+8.1 EUR
100+7.44 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.9 EUR
2000+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP2065BDN-F085onsemiSiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN.15
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.66 EUR
10+7.96 EUR
100+7.25 EUR
500+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065AonsemiSiC Schottky Diodes 650V SiC SBD 30A
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.65 EUR
10+11.82 EUR
100+8.98 EUR
500+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FFSP3065AONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP3065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 100
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FFSP3065AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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FFSP3065AON SemiconductorRectifier Diode Schottky SiC 650V 26A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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