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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J145TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J145TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J145TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.103 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTOSHIBA
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14T/KDL
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J14TTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 60872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.079 EUR
20000+0.071 EUR
30000+0.067 EUR
50000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15CT,L3FToshibaMOSFETs Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-30V, Id:-0.1A, Pd: 0.1W
auf Bestellung 18745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.48 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.096 EUR
10000+0.071 EUR
20000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed S-Mini (SOT-346)
auf Bestellung 10588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.077 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: S-Mini
auf Bestellung 22546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.063 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
849+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 849 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(BToshibaSSM3J15F,LF(B
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
849+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 849 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: p-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FSTOSHIBASOT423
auf Bestellung 83535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS(TE85L,F)TOSHIBA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 9736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
85+0.25 EUR
137+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaSSM3J15FS,LF(B
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FS,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.045 EUR
15000+0.044 EUR
21000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 8998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 38297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
92+0.23 EUR
197+0.11 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FVToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FVTOSHIBA
auf Bestellung 17200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
auf Bestellung 14326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
112+0.19 EUR
229+0.092 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.068 EUR
2000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1693+0.1 EUR
1707+0.1 EUR
3068+0.055 EUR
3096+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 55765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
15+0.24 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.061 EUR
8000+0.048 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.37 EUR
730+0.24 EUR
737+0.23 EUR
1676+0.094 EUR
1693+0.089 EUR
1707+0.084 EUR
3068+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 19240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
986+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 986 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TETOSHIBA
auf Bestellung 10200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DQ
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15TE(TE85L)SOT416-DQ
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
auf Bestellung 69019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.48 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
auf Bestellung 11696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.93 EUR
250+0.88 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J168F,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
auf Bestellung 8899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT
auf Bestellung 7599 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16CT,L3FToshibaMOSFETs X34 Pb-F CST3 S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FSToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R SSM3J16FS(TE85L,F) TSSM3j16fs
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
33+0.64 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1276+0.14 EUR
1278+0.13 EUR
1433+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1276 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FVTOSHIBA
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FV(TPL3,Z)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 7556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16FVTL3AP
auf Bestellung 944000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J16TE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J302F
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304TTOSHIBA07+
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(T5L)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J304T(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 5589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J306T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J306T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J307T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J313T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T(T5L.F.T)Toshiba
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J314T(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.5A 3-Pin TSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J317T
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J317T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshibaMOSFETs P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
auf Bestellung 12605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J327R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.084 EUR
30000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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