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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFH160N15T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.95 EUR
30+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Power dissipation: 880W
Gate charge: 253nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 9mΩ
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.97 EUR
30+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.09 EUR
10+11.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
30+12.78 EUR
60+11.76 EUR
120+10.89 EUR
510+9.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2
Produktcode: 126302
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIXYSMOSFETs 1
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 517-521 Tag (e)
1+39.85 EUR
10+35.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.14 EUR
30+28.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.39 EUR
10+7.63 EUR
120+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.68 EUR
30+8.48 EUR
60+7.75 EUR
120+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N50P. - MOSFET, N-CH, 500V, 16A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.45 EUR
18+13.09 EUR
25+10.09 EUR
50+8.09 EUR
100+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.34 EUR
10+9.56 EUR
120+8.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.61 EUR
30+9.7 EUR
60+8.87 EUR
120+8.18 EUR
510+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.6 EUR
10+13.89 EUR
120+12 EUR
510+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.81 EUR
11+23.16 EUR
12+18.05 EUR
50+14.73 EUR
100+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.05 EUR
30+13.17 EUR
120+11.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90QQ-Class HiPerFet MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90Q
Produktcode: 157422
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.14 EUR
10+24.35 EUR
12+19.09 EUR
50+15.72 EUR
100+14.83 EUR
250+13.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.38 EUR
10+16.42 EUR
120+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+14.64 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+21.77 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PMOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds, TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.07 EUR
30+16.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 170A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.37 EUR
30+24.2 EUR
120+21.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.27 EUR
10+37.04 EUR
120+32.02 EUR
510+30.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.36 EUR
7+35.41 EUR
10+26.5 EUR
50+26.26 EUR
100+26.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH1799IXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH17N80QIXYSMOSFETs 17 Amps 800V 0.60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 94ns
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.72 EUR
5+17.85 EUR
10+16.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.53 EUR
10+24.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.71 EUR
30+19.73 EUR
120+17.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.96 EUR
10+26.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.15 EUR
10+30.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.03 EUR
10+33.05 EUR
50+32.08 EUR
100+31.12 EUR
250+30.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.22 EUR
30+22.25 EUR
120+21.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSMOSFETs 600V 18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PMOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
30+7.88 EUR
120+6.62 EUR
510+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 18A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.51 EUR
10+20.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.04 EUR
30+18.43 EUR
60+17.05 EUR
120+15.9 EUR
510+14.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSMOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.36 EUR
10+19.37 EUR
120+19.35 EUR
510+18.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.93 EUR
30+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.92 EUR
10+8.48 EUR
120+7.81 EUR
510+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.2 EUR
13+6.88 EUR
14+6.13 EUR
30+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.18 EUR
30+9.42 EUR
60+8.62 EUR
120+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.9 EUR
15+15.9 EUR
18+12.32 EUR
50+9.94 EUR
100+9.15 EUR
250+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60IXYSMOSFETs 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60QIXYSMOSFETs 20 Amps 600V 0.35 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.82 EUR
10+18.12 EUR
30+15.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.17 EUR
12+14.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Drain current: 20A
Power dissipation: 500W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 0.52Ω
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.41 EUR
10+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.86 EUR
10+14.36 EUR
120+13.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.83 EUR
30+10.64 EUR
120+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80P (TO-247-3)
Produktcode: 107942
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