Produkte > NSB

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSBC123TF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123TF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1129+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 5520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 254 mW
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3602+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Bulk
auf Bestellung 261500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3847+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC123TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Bulk
auf Bestellung 136000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4013+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4013 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4438+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3865+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3865 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EMXWTBGonsemiDescription: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
50000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EMXWTBGonsemiDigital Transistors NBRT, 50V, XDFNW3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDP6T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
auf Bestellung 7783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDX
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 211695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 211695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1ON
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 624297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124EPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 624000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 448000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4438+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3865+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3865 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124EPDXVT5
auf Bestellung 13642 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 91950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 91950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 66750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 5136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
526+0.33 EUR
710+0.24 EUR
717+0.23 EUR
1246+0.12 EUR
1250+0.11 EUR
1252+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 526 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 254 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Bulk
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2355+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XF3T5G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1035+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1035 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC124XPDXV6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4537+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4537 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.67 EUR
100+0.61 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.19 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.7 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 339mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 8673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 47000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
37+0.57 EUR
100+0.29 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 317830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3463+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.56 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.18 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 631985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
auf Bestellung 631985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3771+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3771 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
8000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 27986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.57 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.17 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5679+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5679 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 400000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 221000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3597+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3597 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
auf Bestellung 7819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.62 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-1123
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 254 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 7799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.71 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
8000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 296000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3527+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Nächste Seite >> ]