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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7910TRInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRBF
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7910TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7923TRPBFIOR
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 58515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.49 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
73+2.38 EUR
100+2.25 EUR
200+2.18 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
60+3.9 EUR
100+2.59 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7MS2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+543.38 EUR
10+521.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7NA2907SCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 75A 3-Pin SMD-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+887.26 EUR
10+852.53 EUR
25+792.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMPBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7Y1405CMSCXInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010International RectifierN-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010HRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
224+0.75 EUR
391+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
50+2.8 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
78+2.15 EUR
100+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBF
Produktcode: 25040
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
100+2.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
53+3.28 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 100V 80A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
100+2.49 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
78+2.07 EUR
100+1.83 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.55 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 260W
Gate charge: 81nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.05 EUR
50+1.74 EUR
51+1.69 EUR
55+1.57 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.39 EUR
100+2.13 EUR
500+2 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 577 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.32 EUR
73+2.32 EUR
100+2.01 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
53+3.28 EUR
100+3.11 EUR
250+2.95 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010SPBFInternational RectifierTO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+4.8 EUR
100+3.33 EUR
800+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.89 EUR
1600+1.73 EUR
2400+1.67 EUR
4000+1.61 EUR
5600+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.32 EUR
47+3.61 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInternational RectifierN-CH 100V 80A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.32 EUR
47+3.69 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.9 EUR
1600+1.69 EUR
2400+1.61 EUR
4000+1.52 EUR
5600+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8010STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF80701IOR01+
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807D1IRF2001 SMD8
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807D2IOR01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807VD1IOR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF807VD1TRPBFIR0650NO
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF809IRSOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF809AVSI07+/08+ SOP8
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF810Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 8A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 93400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
650+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF810HARRISIRF810
auf Bestellung 93400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113IR
auf Bestellung 6215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113InfineonN-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFIOR09+
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 24nC
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRIOR
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.36 EUR
141+1.65 EUR
189+1.13 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineonTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF820
Produktcode: 214393
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.9 EUR
10+0.82 EUR
100+0.74 EUR
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IRF820STMN-кан. MOSFET 500V, 4A, 2.5Ом, 80Вт, TO-220 (PowerMesh II) Транзистори
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IRF820SiliconixTranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF820; IRF820 TIRF820
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF820STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
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IRF820Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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IRF820HARRISIRF820
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IRF820
Produktcode: 17799
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/24
Montage: THT
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IRF820
Produktcode: 220162
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
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  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF820N-кан. MOSFET 500V, 2.5A, 3.0Ом, 50Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
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