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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J378R,LFToshibaSMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.39 EUR
556+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
422+0.55 EUR
672+0.32 EUR
893+0.24 EUR
1026+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
auf Bestellung 86515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.54 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
3000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaAECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
474+0.45 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
474+0.45 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 25072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)ToshibaMOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaMOSFETs Nch MOSFET
auf Bestellung 15576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
938+0.19 EUR
955+0.18 EUR
1698+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 4151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.49 EUR
475+0.36 EUR
479+0.35 EUR
938+0.17 EUR
955+0.15 EUR
1698+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(BToshibaSSM3J56ACT,L3F(B
auf Bestellung 9078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.37 EUR
502+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
981+0.21 EUR
1224+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.49 EUR
487+0.36 EUR
590+0.29 EUR
710+0.23 EUR
854+0.18 EUR
1015+0.14 EUR
1257+0.11 EUR
1456+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
981+0.21 EUR
1224+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
487+0.37 EUR
590+0.3 EUR
710+0.24 EUR
854+0.2 EUR
1015+0.17 EUR
1257+0.13 EUR
1456+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 487 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACTL3F(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.7 EUR
362+0.48 EUR
366+0.45 EUR
873+0.18 EUR
892+0.17 EUR
1467+0.095 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 36063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFET P-CH 20V 800MA VESM Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
873+0.2 EUR
892+0.19 EUR
1467+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.09 EUR
15000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 873 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
642+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1125+0.19 EUR
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
642+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1125+0.19 EUR
4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 17897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshibaMOSFETs X34 Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W
auf Bestellung 10790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 26774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaMOSFETs X34 Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W
auf Bestellung 18756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.37 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.69 EUR
366+0.46 EUR
386+0.43 EUR
740+0.21 EUR
844+0.18 EUR
1096+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
auf Bestellung 15112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 6611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.82 EUR
603+0.38 EUR
800+0.26 EUR
1170+0.18 EUR
1427+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.82 EUR
603+0.38 EUR
800+0.26 EUR
1170+0.18 EUR
1427+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshibaMOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
auf Bestellung 11918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.79 EUR
10+0.58 EUR
100+0.33 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.65 EUR
800+0.29 EUR
981+0.21 EUR
1329+0.17 EUR
1619+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
800+0.29 EUR
981+0.21 EUR
1329+0.17 EUR
1619+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3KTOSHIBASOP23
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01TTOSHIBA
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L)SOT23-KWTOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02FTOSHIBA
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F(TE85L
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F/KU
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02TTOSHIBA
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETOSHIBA
auf Bestellung 38200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE TPL3.F DOT416-DA PB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)TOSHIBASOT416-DA PB-FRE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F) SOT416TOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)SOT416-DAPB-FREE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE/DATOSHIBA
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETPL3.FDOT416-DAPB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TETOSHIBASOT423
auf Bestellung 98471 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TE(TE85L,F)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FSTOSHIBASOT423
auf Bestellung 71945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FS(DC)TOSHIBA00+ SOT-323
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SSM3K04FS/DCTOSHIBA
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SSM3K05FUTOSHIBASOT323
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SSM3K05FU(T5LTORIF)TOSHIBASOT23/SOT323
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SSM3K05FU/DF
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SSM3K09FUToshiba
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SSM3K09FUTOSHIBASOT323
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SSM3K09FU(TE85LF)ToshibaMOSFETs
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SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
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SSM3K09FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
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5+0.83 EUR
10+0.37 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
9000+0.27 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
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25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K09FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
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515+0.35 EUR
534+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
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SSM3K09FU,LF(BTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 400mA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 468 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 460 Stücke
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SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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