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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.69 EUR
366+0.46 EUR
386+0.43 EUR
740+0.21 EUR
844+0.18 EUR
1096+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 6611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
auf Bestellung 15112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshibaMOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
auf Bestellung 11918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.79 EUR
10+0.58 EUR
100+0.33 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3KTOSHIBASOP23
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01TTOSHIBA
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L)SOT23-KWTOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02FTOSHIBA
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F(TE85L
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F/KU
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02TTOSHIBA
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETOSHIBA
auf Bestellung 38200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE TPL3.F DOT416-DA PB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)TOSHIBASOT416-DA PB-FRE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F) SOT416TOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)SOT416-DAPB-FREE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE/DATOSHIBA
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETPL3.FDOT416-DAPB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TETOSHIBASOT423
auf Bestellung 98471 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TE(TE85L,F)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FSTOSHIBASOT423
auf Bestellung 71945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FS(DC)TOSHIBA00+ SOT-323
auf Bestellung 6999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K04FS/DCTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 68640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FU(T5LTORIF)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K05FU/DF
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUTOSHIBASOT323
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU(TE85LF)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.35 EUR
534+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.62 EUR
582+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1397+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FU,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FUDTC114EE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K09FULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K101TUTOSHIBASOT-23 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K102TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 75018 Stücke:
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SSM3K104TUTOSHIBASOT-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SSM3K104TU,LF(BToshibaSSM3K104TU,LF(B
auf Bestellung 32000 Stücke:
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1707+0.31 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1707 Stücke
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SSM3K105TUTOS
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SSM3K105TUTE85L
auf Bestellung 96000 Stücke:
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SSM3K106TU(T5L,T)ToshibaMOSFETs Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
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SSM3K106TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=1.2A 3Pin
auf Bestellung 772 Stücke:
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SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
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SSM3K106TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TUTOSHIBASOT-323
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SSM3K116TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=30V Id=2.2A 3Pin
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SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
27+0.8 EUR
100+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
auf Bestellung 3070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.57 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K116TU,LF(BToshibaField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
auf Bestellung 2923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 365 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.02 EUR
353+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K116TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K116TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K119TU
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SSM3K119TU,LF(BToshibaSSM3K119TU,LF(B
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
587+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 587 Stücke
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SSM3K121TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU(TE85L)ToshibaMOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K121TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K121TU,LXGF(TToshibaSilicon N Channel MOS Type Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.71 EUR
508+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU(TE85L)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 5698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
36+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm at 4V, in UFM package
auf Bestellung 15667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(BToshibaSSM3K122TU,LF(B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.44 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K122TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K122TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.123 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.123ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TUToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
533+0.32 EUR
543+0.3 EUR
830+0.19 EUR
835+0.18 EUR
900+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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