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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3J377R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LF
Produktcode: 192928
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 60041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
auf Bestellung 20358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.08 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(BToshibaSSM3J377R,LXHF(B
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
838+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 838 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
405+0.57 EUR
637+0.33 EUR
918+0.24 EUR
1045+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J377R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
405+0.57 EUR
637+0.33 EUR
918+0.24 EUR
1045+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RLF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J377RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R LXHFToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshibaSMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
43+0.5 EUR
100+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LFToshibaMOSFET P-CHAMMEL VDSS:-20V VGSS:-8/+6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
422+0.55 EUR
672+0.32 EUR
893+0.24 EUR
1026+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
452+0.37 EUR
556+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
auf Bestellung 94200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.65 EUR
100+0.44 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaAECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -20V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshibaSSM3J378R,LXHF(B
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
474+0.45 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J378R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
304+0.76 EUR
474+0.45 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J378RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
auf Bestellung 25072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J46CTB(TPL3)ToshibaMOSFET Small Sig FET 1.5V Low RDS 250mOhm
auf Bestellung 2061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.46 EUR
475+0.35 EUR
479+0.33 EUR
938+0.17 EUR
947+0.15 EUR
955+0.14 EUR
1698+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaMOSFETs Nch MOSFET
auf Bestellung 15576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
938+0.18 EUR
955+0.17 EUR
1698+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 4151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(BToshibaSSM3J56ACT,L3F(B
auf Bestellung 9078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
502+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
487+0.35 EUR
590+0.29 EUR
710+0.23 EUR
854+0.19 EUR
1015+0.15 EUR
1257+0.12 EUR
1456+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 487 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
981+0.21 EUR
1224+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 6875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.46 EUR
487+0.33 EUR
590+0.26 EUR
710+0.21 EUR
854+0.17 EUR
1015+0.14 EUR
1257+0.11 EUR
1456+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56ACT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.39 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
981+0.21 EUR
1224+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56ACTL3F(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
873+0.19 EUR
892+0.18 EUR
1467+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.087 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 873 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 17012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.67 EUR
362+0.45 EUR
366+0.43 EUR
873+0.18 EUR
882+0.17 EUR
892+0.15 EUR
1467+0.092 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 31990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
700+0.33 EUR
885+0.24 EUR
1231+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J56MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.31ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.83 EUR
700+0.33 EUR
885+0.24 EUR
1231+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshibaMOSFETs X34 Small Low Ron Pch MOSFETs Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 17897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J64CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
auf Bestellung 9243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.67 EUR
366+0.45 EUR
386+0.4 EUR
740+0.2 EUR
844+0.18 EUR
1096+0.13 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 26774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.7A 3-Pin CST-C T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J65CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
auf Bestellung 6611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm a. 4.5V, in VESM package
auf Bestellung 15112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.82 EUR
506+0.46 EUR
800+0.26 EUR
1170+0.18 EUR
1486+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 7905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.82 EUR
506+0.46 EUR
800+0.26 EUR
1170+0.18 EUR
1486+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshibaMOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
auf Bestellung 11918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.79 EUR
10+0.58 EUR
100+0.33 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.65 EUR
625+0.37 EUR
991+0.21 EUR
1343+0.15 EUR
1690+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J66MFV,L3XHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J66MFV,L3XHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+0.65 EUR
625+0.37 EUR
991+0.21 EUR
1343+0.15 EUR
1690+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3KTOSHIBASOP23
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01F(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01TTOSHIBA
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L)SOT23-KWTOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K01T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02FTOSHIBA
auf Bestellung 12400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F(TE85L
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02F/KU
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K02TTOSHIBA
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETOSHIBA
auf Bestellung 38200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE TPL3.F DOT416-DA PB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)TOSHIBASOT416-DA PB-FRE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F) SOT416TOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE(TPL3.F)SOT416-DAPB-FREE
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FE/DATOSHIBA
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03FETPL3.FDOT416-DAPB-FREETOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TETOSHIBASOT423
auf Bestellung 98471 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K03TE(TE85L,F)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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