Produkte > ssm
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SSM3K339R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1258 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF Produktcode: 177600
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
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| SSM3K339R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K339R,LF | Toshiba | MOSFETs Small Signal MOSFET | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F | auf Bestellung 4680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 16471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K339R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.185 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 13111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K339RLF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K341R | Toshiba | N-канальний ПТ, Udss, В = 620, Id = 6, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23F Очікується: 1200 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 85 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R LXHF | Toshiba | SOT23 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 140535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET | auf Bestellung 124932 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A SOT-23F | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 16033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2.4W; SOT23F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 2.4W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 4601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LF(T | Toshiba | MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LVARF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET | auf Bestellung 7443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(B | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(B | auf Bestellung 12096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(B | Toshiba | SOT23 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(T | Toshiba | SSM3K341R,LXHF(T | auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341R,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341RLVARF(T | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341RLXGF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341RLXHF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF | Toshiba | MOSFET N-CH 60V 6A UFM Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V | auf Bestellung 3067 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: UFM Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | auf Bestellung 80931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 6A UFM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: UFM Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A UFM | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UFM Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive UFM | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF | Toshiba | MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET | auf Bestellung 8853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF(B | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 3-Pin UFM | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF(B | Toshiba | MOSFETs UFM N-CH 60V 6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K341TU,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K341TU,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K341TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K344R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K344R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 10 V | auf Bestellung 24001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K344R,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V | auf Bestellung 4648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K344R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K344R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K345R,LF | Toshiba | MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V | auf Bestellung 52090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF(B | Toshiba | SSM3K345R,LF(B | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K345R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K345R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K345R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K345R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K345R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K345RLF(T | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K347R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K347R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 12430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K347R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K347R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: SOT-23F Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K347R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K347R,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K357R | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SSM3K357R,LF Produktcode: 197600
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| SSM3K357R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V | auf Bestellung 8191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 67 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K357R,LF | Toshiba | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C; SSM3K357RLFT-TOS-0; SSM3K357R,LF(T; SSM3K357R,LF TSSM3K357R Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K357R,LF | Toshiba | MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V | auf Bestellung 5554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(B | Toshiba | SSM3K357R,LF(B | auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 10173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - SSM3K357R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 10163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LF(T | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 650mA; 1.5W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 650mA Power dissipation: 1.5W Case: SOT23F Gate-source voltage: 12V On-state resistance: 1.8Ω Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LXGF(T | Toshiba | Silicon N-Channel MOS | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357R,LXGF(T | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K357RLF(T | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K357RLXGF | Toshiba | SOT23 N CHAN 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35AFS,LF | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SSM3K35AFS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V | auf Bestellung 15628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SSM3K35AFS,LF | Toshiba | MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V | auf Bestellung 114748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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