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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.37 EUR
565+0.31 EUR
568+0.3 EUR
647+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
auf Bestellung 6401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 6402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
448+0.39 EUR
479+0.36 EUR
484+0.33 EUR
565+0.27 EUR
568+0.26 EUR
647+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 448 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(TToshibaSilicon N-channel MOS
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaMOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
auf Bestellung 5774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.46 EUR
382+0.45 EUR
432+0.39 EUR
436+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.49 EUR
378+0.45 EUR
381+0.43 EUR
382+0.42 EUR
432+0.35 EUR
436+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.58 EUR
315+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(BToshibaMOSFETs SOT346 100V 3.5A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K361TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K361TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FSTOS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FSToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF N CHANNEL 20V500MA SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
516+0.35 EUR
802+0.21 EUR
810+0.2 EUR
1954+0.081 EUR
1969+0.076 EUR
2017+0.071 EUR
2037+0.068 EUR
3718+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 4410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1954+0.09 EUR
1969+0.088 EUR
2017+0.084 EUR
2037+0.081 EUR
3718+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1954 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 6465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET
auf Bestellung 21883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.069 EUR
24000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF
Produktcode: 187939
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(BToshibaSSM3K36FS,LF(B
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
901+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 901 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV(TPL3)ToshibaMOSFET X34 Pb-F VESM S-MOW (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=<1MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 416000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.096 EUR
16000+0.087 EUR
24000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
auf Bestellung 52782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 432430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.61 EUR
419+0.4 EUR
423+0.38 EUR
1005+0.15 EUR
1015+0.14 EUR
1608+0.086 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 23625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1005+0.18 EUR
1015+0.17 EUR
1608+0.1 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.082 EUR
15000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 1005 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM
auf Bestellung 5804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1103+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K36MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFVL3F(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36MFVTL3T
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TUToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LF(BToshibaSSM3K36TU,LF(B
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K36TU,LF(BToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R LXHFToshiba SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
auf Bestellung 29532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.6 EUR
100+0.33 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
686+0.26 EUR
694+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 33559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.67 EUR
352+0.49 EUR
355+0.46 EUR
686+0.23 EUR
694+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 16904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 16904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LF(TToshibaSilicon N-Channel MOS
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.65 EUR
411+0.42 EUR
502+0.32 EUR
593+0.26 EUR
672+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
502+0.35 EUR
593+0.3 EUR
672+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 502 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaN-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 7792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
37+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
auf Bestellung 4744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(BToshiba SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K376R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K376RLXHF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaMOSFET Small-Signal MOSFET
auf Bestellung 8717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.092 EUR
2500+0.083 EUR
10000+0.075 EUR
20000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 11704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
56+0.38 EUR
114+0.19 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.093 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(BToshibaSSM3K37CT,L3F(B
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1330+0.13 EUR
1393+0.12 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3K37CTL3F(TToshibaToshiba
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SSM3K37FSToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaMOSFETs Small Low ON Resistane MOSFETs
auf Bestellung 45783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
16+0.21 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.057 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3K37FS,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
504+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 504 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 122402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
89+0.24 EUR
143+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(BToshibaSSM3K37FS,LF(B
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K37FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.65 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
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 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.079 EUR
16000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 13096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
463+0.18 EUR
792+0.11 EUR
1109+0.076 EUR
1263+0.068 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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SSM3K37MFV,L3FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 28830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3534+0.05 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3534 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
auf Bestellung 20147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
76+0.27 EUR
122+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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SSM3K37MFV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
auf Bestellung 18737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.092 EUR
2500+0.088 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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