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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
AIMB-T12251W-00Y0EAdvantechIndustrial Box PCs AIMB-T1000W W/AIMB-225(412HC), FANLESS,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12251W-00Y0EAdvantech CorporationDescription: AIMB-T1000W W/AIMB-225 412HC
Power (Watts): 14.47 W
Watchdog Timer: No
RS-232 (422, 485): 5
USB: USB 2.0 (4)
Ethernet: 10/100/1000Mbps
Video Outputs: DVI, DP, HDMI, VGA
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Function: Thin Barebone System
Size / Dimension: 9.842" x 1.692" (250.00mm x 43.00mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12282A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-228 V1605B, BAREBONE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12310A-00Y0EAdvantech CorpDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 CEL-3765U
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12310A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 CEL-3765U,BAREBO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12313A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I3-5010U, BAREBO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12313A-00Y0EAdvantech CorporationDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I3-5010U
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.842" x 1.692" (250.00mm x 43.00mm)
Function: Thin Barebone System
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DVI, DP, HDMI, VGA
Ethernet: 10/100/1000Mbps
USB: USB 2.0 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Power (Watts): 14.4 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12315A-00Y0EAdvantech CorporationDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I5-5350
Watchdog Timer: No
RS-232 (422, 485): 2
USB: USB 2.0 (2)
Ethernet: 10/100/1000Mbps
Video Outputs: DVI, DP, HDMI, VGA
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Function: Thin Barebone System
Size / Dimension: 9.842" x 1.692" (250.00mm x 43.00mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12315A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I5-5350, BAREBON
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12317A-00Y0EAdvantech CorpDescription: AIMB-T1000A W/AIMB-231 I7-5650
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12317A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000A W/AIMB-231 I7-5650, BAREBON
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-T12325W-00Y10AdvantechEmbedded Box Computers AIMB-T1000W AIMB-232 i5-6300,Fanless BB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U117D-S6A2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.6GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Power (Watts): 7.3W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Speed: 1.6GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 3.0 (4)
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U117NZ-FLA2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.3GHZ 2 CORE 8GB/32GB RAM
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Number of Cores: 2
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Watchdog Timer: Yes
Digital I/O Lines: 8
USB: USB 3.0 (4)
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Form Factor: UTX
Cooling Type: Heat Sink
Core Processor: Intel Atom x5-E3930
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Speed: 1.3GHz
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U117NZ-S6A1EAdvantechSingle Board Computers UTX E3930 HDMI/DP/eDP/2GbE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U117NZ-S6A2EAdvantechSingle Board Computers UTX E3930 HDMI/DP/EDP/2GBE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U117NZ-S6A2EAdvantech CorpDescription: SBC 1.3GHZ 2 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.600" x 4.400" (116.84mm x 111.76mm)
Speed: 1.3GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x5-E3930
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: M.2, mPCIe, mSATA
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 3.0 (4)
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, mSATA, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 2
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217DZ-FLA1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.0GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217DZ-FLA1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3950 HDMI/DP/EDP/3GBE/EMMC/CANBUS/
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217DZ-S6A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.0GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x7-E3950
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217DZ-S6A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3950 HDMI/DP/EDP/2GBE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217EZ-S6A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX E3940 HDMI/DP/EDP/2GBE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U217EZ-S6A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.8GHZ 4 CORE 8GB/32GB RAM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.8GHz
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Core Processor: Intel Atom x5-E3940
Cooling Type: Heat Sink
Form Factor: UTX
Expansion Site/Bus: CAN, M.2, mPCIe, PCIe, SPI
Video Outputs: DP++, eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (3), RJ45 (3)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: eMMC, M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 8GB/32GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233E-U3A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.2GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2.2GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i3-8145UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233E-U3A1EAdvantechIndustrial Motherboards UTX Intel i3-8145UE eDP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233E-U5A1EAdvantechSingle Board Computers UTX Intel i5-8365UE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233E-U5A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.6GHZ 4 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.6GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i5-8365UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233E-U7A1EAdvantech CorpDescription: SBC 1.7GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 1.7GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i7-8665UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-U233L-U3A1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.2GHZ 1 CORE 16GB/0GB RAM
Power (Watts): 6.25W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 5.400" x 4.400" (137.16mm x 111.76mm)
Speed: 2.2GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel Core i3-8145UE
Cooling Type: Fan
Form Factor: M.2 E-Key 2230
Expansion Site/Bus: M.2, PCIe
Video Outputs: eDP, HDMI, LVDS
Ethernet: 10/100/1000 Mbps, GbE (2), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (2)
RS-232 (422, 485): 2
Digital I/O Lines: 16
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: M.2, SATA 3.0 (1)
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 16GB/0GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB-VGA-00A1EAdvantechInterface Modules ADD2 Card with external VGA (PCIe x16) RoHS(AIMB-554/556/562/564/764/763/762)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Cable/adapter structure: HDMI plug; HDMI socket
Connector colour: black
Contact plating: gold-plated
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB258G21201E-TAdvantech CorpDescription: CIRCUIT MOD C2D MINI ITX FSB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMB274L00A1E-ESAdvantechSingle Board Computers miniITX LGA1150, L SKU, VGA/DP-HDMI/Sin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.35 EUR
10+7.44 EUR
100+5.46 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.32 EUR
2000+4.08 EUR
5000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+34.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R010M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+65.8 EUR
5+58.92 EUR
10+52.37 EUR
50+50.34 EUR
100+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R010M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+52.37 EUR
50+50.34 EUR
100+48.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R010M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.79 EUR
10+43.1 EUR
100+41.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R020M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+35.5 EUR
50+33.42 EUR
100+31.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.37 EUR
10+24.54 EUR
100+23.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 2283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.34 EUR
10+28.63 EUR
100+24.75 EUR
500+23.43 EUR
1000+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R020M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R020M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.6 EUR
6+42.72 EUR
10+35.5 EUR
50+33.42 EUR
100+31.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.92 EUR
10+23.99 EUR
12+18.64 EUR
50+17.14 EUR
100+15.9 EUR
250+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.67 EUR
10+20.25 EUR
100+18.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.4 EUR
10+34.72 EUR
25+33.81 EUR
50+31.89 EUR
100+30.04 EUR
250+29.1 EUR
500+28.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.99 EUR
12+18.64 EUR
50+17.14 EUR
100+15.9 EUR
250+15.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R030M1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 70A; 333W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Gate-source voltage: -5...23V
Gate charge: 57nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 333W
Application: automotive industry
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.54 EUR
10+24.35 EUR
12+18.74 EUR
50+16.9 EUR
100+15.05 EUR
250+14.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.3 EUR
11+15.72 EUR
100+13.33 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.35 EUR
12+18.74 EUR
50+16.9 EUR
100+15.05 EUR
250+14.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.99 EUR
10+17.42 EUR
100+13.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.96 EUR
13+13.64 EUR
25+13.13 EUR
50+12.7 EUR
100+11.65 EUR
250+11.4 EUR
500+10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R040M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+11.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R060M1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 202W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 202W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+16.33 EUR
100+14.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R060M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.2 EUR
10+23.98 EUR
25+23.34 EUR
50+22.04 EUR
100+20.73 EUR
250+20.09 EUR
500+19.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R080M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+20.41 EUR
50+19.9 EUR
100+19.41 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+9.2 EUR
100+7.79 EUR
1000+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R080M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+20.41 EUR
50+19.9 EUR
100+19.41 EUR
250+18.91 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R080M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
10+10.61 EUR
100+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R120M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R120M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 22A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.02 EUR
2000+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.27 EUR
10+10.36 EUR
100+7.59 EUR
500+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG120R160M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+9.67 EUR
100+8.07 EUR
500+7.19 EUR
1000+6.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R016M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.3 EUR
10+32.69 EUR
100+26.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+15.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
10+26.75 EUR
100+22.29 EUR
500+19.87 EUR
1000+18.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R020M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.76 EUR
10+21.1 EUR
100+19.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive SiC MOSFET 750V G2
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.72 EUR
10+26.45 EUR
100+22.05 EUR
500+19.65 EUR
1000+16.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.95 EUR
10+18.85 EUR
100+15.62 EUR
500+15.08 EUR
1000+13.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R025M2HXTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R025M2HXTMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.28 EUR
10+18.33 EUR
100+16.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.62 EUR
10+19.42 EUR
100+16.26 EUR
500+16.04 EUR
1000+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R027M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+13.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.12 EUR
10+17.22 EUR
100+14.35 EUR
500+12.79 EUR
1000+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R040M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.72 EUR
11+21.21 EUR
14+16.23 EUR
50+14.33 EUR
100+12.42 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R040M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.41 EUR
10+12.7 EUR
100+10.45 EUR
500+10.42 EUR
1000+9.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.4 EUR
10+14.43 EUR
100+12.02 EUR
500+10.72 EUR
1000+10.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.33 EUR
10+10.5 EUR
100+8.25 EUR
1000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R060M1HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.39 EUR
10+11.1 EUR
25+10.28 EUR
100+9.38 EUR
250+8.94 EUR
500+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.58 EUR
10+11.14 EUR
100+8.21 EUR
500+8.16 EUR
1000+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R060M1HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+8.47 EUR
2000+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R090M1HXTMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+9.45 EUR
100+7.63 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AIMBG75R090M1HXTMA1
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.94 EUR
10+9.14 EUR
25+8.45 EUR
100+7.69 EUR
250+7.32 EUR
500+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 17A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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AIMBG75R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.22 EUR
10+7.52 EUR
100+5.4 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMBG75R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V 17A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.74 EUR
100+4.83 EUR
500+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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AIMBG75R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.97 EUR
31+7.66 EUR
100+5.09 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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