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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BD139CDILNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139BD139 Транзисторы
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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CJTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung: 388 St.
  • 388 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.39 EUR
100+0.88 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.36 EUR
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139On SemiconductorNPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-225AA (компл. BD140) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 8918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
143+0.6 EUR
167+0.51 EUR
236+0.36 EUR
272+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139STNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 (КТ815Г)
Produktcode: 4745
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 190 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
1+0.31 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 100-250HT SEMITranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 11935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.55 EUR
365+0.48 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10CDILTransistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 17 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
378+0.62 EUR
459+0.46 EUR
607+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 9395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.15 EUR
100+0.92 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 11980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.2 EUR
322+0.52 EUR
366+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STTransistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
148+0.58 EUR
170+0.5 EUR
234+0.37 EUR
266+0.32 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
50+1.18 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
303+0.77 EUR
447+0.48 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMTO-126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (SOT-32, STM)
Produktcode: 161642
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ST/CDILTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT
auf Bestellung: 194 St.
  • 194 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.36 EUR
10+0.32 EUR
100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10 (TO-126, Fairchild)
Produktcode: 49049
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FairchildTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-10STUSTMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 300 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
auf Bestellung 4267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.54 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
4000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16LGENPN, bipolar, 80V, 1.5A, TO126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16
Produktcode: 152947
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
LGETransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.24 EUR
10+0.17 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 433899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1444+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1444 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 7730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.67 EUR
196+0.44 EUR
277+0.31 EUR
317+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16ARKTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16JSMSEMITransistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16ONS/FAITO-126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
343+0.68 EUR
455+0.48 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMTO-126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16
Produktcode: 182302
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CDILTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16YFWTransistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 433881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1439+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+0.19 EUR
690+0.12 EUR
770+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 8104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
50+1.24 EUR
100+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+1.3 EUR
308+0.75 EUR
455+0.48 EUR
663+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 32641
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STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: SMD
auf Bestellung: 303 St.
  • 303 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16-CDICDILBD139-16-CDI BD139-16 NPN, bipolar, 80V, 1.5A, 12.5W, TO126 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STUONS/FAITO-126ISO Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 27206
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-6-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139.16CDILNPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139/STST08+;
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1253+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SONSEMIDescription: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
auf Bestellung 6999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1253+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
228+0.74 EUR
280+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1219+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.76 EUR
280+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13910STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916onsemiBipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.38 EUR
100+0.86 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916SONSEMIDescription: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916SONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
121+0.7 EUR
138+0.62 EUR
156+0.55 EUR
172+0.5 EUR
540+0.4 EUR
1020+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
60+0.88 EUR
120+0.77 EUR
540+0.61 EUR
1020+0.56 EUR
2040+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.68 EUR
290+0.58 EUR
354+0.45 EUR
540+0.4 EUR
1020+0.36 EUR
2040+0.35 EUR
5040+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1239+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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200+0.95 EUR
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BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD13916STUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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BD13916STUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke
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BD13916STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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107+2.34 EUR
240+0.98 EUR
270+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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255+0.68 EUR
289+0.6 EUR
353+0.48 EUR
540+0.43 EUR
1020+0.39 EUR
2040+0.38 EUR
5040+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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BD1396S
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BD1396SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD1396STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 22431 Stücke:
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1024+0.54 EUR
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BD1396STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
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1024+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1024 Stücke
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BD1396STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD1396STU - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BD1396STUFAIRCHILDBD1396STU
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1542+0.43 EUR
10000+0.37 EUR
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BD1396STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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