Produkte > IMB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R090M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R090M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 123W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 123W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 123W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R116M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R140M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R181M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R220M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +18V, -15V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V | auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | auf Bestellung 1376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG120R350M1HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 82000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V | auf Bestellung 1081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R025M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R025M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |