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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.98 EUR
11+15.8 EUR
100+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 854 Stücke:
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23+7.56 EUR
25+7.27 EUR
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250+6.78 EUR
500+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+12.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.98 EUR
11+16.15 EUR
100+13.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.69 EUR
11+21.96 EUR
13+16.79 EUR
50+15.68 EUR
100+14.54 EUR
250+14.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.35 EUR
10+17.95 EUR
100+15.1 EUR
500+13.76 EUR
1000+12.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+14.1 EUR
100+13.2 EUR
500+12.22 EUR
1000+11.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+14.1 EUR
100+13.2 EUR
500+12.22 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.67 EUR
10+12.07 EUR
50+9.66 EUR
100+8.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.92 EUR
14+17.12 EUR
17+12.83 EUR
50+11.16 EUR
100+9.48 EUR
250+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52.6mOhm @ 13.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.92 EUR
14+17.12 EUR
17+12.83 EUR
50+11.16 EUR
100+9.48 EUR
250+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+9.84 EUR
100+9.21 EUR
500+8.53 EUR
1000+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.64 EUR
10+12.8 EUR
100+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
15+16.41 EUR
18+12.08 EUR
50+11.11 EUR
100+9.02 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+9.84 EUR
100+9.21 EUR
500+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.17 EUR
10+12.79 EUR
100+10.77 EUR
500+9.59 EUR
1000+8.76 EUR
2000+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
15+16.41 EUR
18+12.08 EUR
50+11.11 EUR
100+9.02 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
21+11.39 EUR
100+7.69 EUR
500+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.85 EUR
20+8.53 EUR
100+6.41 EUR
500+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.76 EUR
10+10.61 EUR
100+8.16 EUR
500+6.89 EUR
1000+6.5 EUR
2000+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.91 EUR
28+6.12 EUR
29+5.78 EUR
100+5.57 EUR
250+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78.1mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 800 V
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
10+9.84 EUR
50+7.83 EUR
100+7.19 EUR
500+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.91 EUR
28+5.99 EUR
29+5.57 EUR
100+5.27 EUR
250+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R078M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
21+11.39 EUR
100+7.69 EUR
500+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.85 EUR
20+8.35 EUR
100+6.18 EUR
500+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.34 EUR
20+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.54 EUR
25+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.51 EUR
10+11.27 EUR
100+9.29 EUR
500+8.29 EUR
1000+7.75 EUR
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.71 EUR
100+7.22 EUR
500+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.29 EUR
19+11.33 EUR
50+9.91 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.34 EUR
20+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.71 EUR
100+7.22 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
10+10.73 EUR
100+7.89 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.29 EUR
19+11.33 EUR
50+9.91 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.51 EUR
10+8.4 EUR
50+6.65 EUR
100+6.08 EUR
500+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
28+8.57 EUR
100+6.06 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115.7mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 800 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
28+8.57 EUR
100+6.06 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.65 EUR
35+4.82 EUR
100+4.64 EUR
250+4.5 EUR
500+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.03 EUR
10+8.33 EUR
100+6.58 EUR
500+5.82 EUR
1000+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.65 EUR
35+4.64 EUR
100+4.39 EUR
250+4.15 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.66 EUR
10+9.22 EUR
100+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.58 EUR
10+10.25 EUR
100+8.29 EUR
500+7.38 EUR
1000+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.61 EUR
20+12.14 EUR
100+9.08 EUR
500+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 19910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.19 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.34 EUR
10000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.51 EUR
22+7.74 EUR
100+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.78 EUR
98+1.74 EUR
100+1.67 EUR
102+1.61 EUR
250+1.56 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.61 EUR
20+12.14 EUR
100+9.08 EUR
500+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+6.19 EUR
500+5.78 EUR
1000+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.51 EUR
22+7.91 EUR
100+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.69 EUR
10+7.13 EUR
50+5.59 EUR
100+5.11 EUR
500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.42 EUR
32+7.35 EUR
100+5.08 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
42+4.05 EUR
43+3.92 EUR
100+3.76 EUR
250+3.64 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.41 EUR
10+6.95 EUR
100+4.96 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.42 EUR
32+7.35 EUR
100+5.08 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
42+3.95 EUR
43+3.77 EUR
100+3.57 EUR
250+3.37 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.79 EUR
23+7.39 EUR
100+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.95 EUR
38+4.21 EUR
100+4.03 EUR
250+3.86 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.57 EUR
100+6.89 EUR
500+6.12 EUR
1000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+7.96 EUR
100+5.74 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.79 EUR
23+7.22 EUR
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.95 EUR
38+4.38 EUR
100+4.26 EUR
250+4.18 EUR
500+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 6004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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