Produkte > AFT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| AFT | Laird Connectivity Inc. | Description: RF ANT 507MHZ WHIP STR NMO 24" | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT | TE Connectivity / Laird External Antennas | Antennas WHIP,AB,1/4,SELECT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT | Laird Connectivity | Antennas WHIP,AB,1/4,SELECT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Technology: LDMOS Gain: 18.5dB Power - Output: 70W Configuration: Dual Frequency: 520MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 75W 12.5V TO270WB4G | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MP075GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Power - Output: 70W Configuration: Dual Frequency: 520MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Technology: LDMOS Gain: 18.5dB | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MP075GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W GULL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075N | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075N-54M | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075N-54M | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AFT05MP075N-54M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075NR1 Produktcode: 183593
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AFT05MP075NR1 | NXP | Description: NXP - AFT05MP075NR1 - HF-FET-Transistor, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 690W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: AFT05MP075N productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MP075NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Configuration: Dual Power - Output: 70W Gain: 18.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 400 mA | auf Bestellung 2512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MP075NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075NR1 | NXP | 70W TO-270WB-4 MOSFETs ROHS Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MP075NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Current - Test: 400 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 18.5dB Power - Output: 70W Configuration: Dual Frequency: 520MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MP075NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 75W 12.5V TO270WB4 | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MP075NR1 | NXP | Description: NXP - AFT05MP075NR1 - HF-FET-Transistor, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 520MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 690W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: AFT05MP075N productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS003NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS003NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS003NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 3W Gain: 20.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT-89A Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS003NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS003NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 3W Gain: 20.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT-89A Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004-200M | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors AFT05MS004-200M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004-200M | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004N | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004NT1 | NXP | Description: NXP - AFT05MS004NT1 - HF-FET-Transistor, 7.5V/4W, getestet, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 28W Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhancement Output power: 4.9W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 20.9dB Efficiency: 74.9% | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V | auf Bestellung 24223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP | FET RF 30V 520MHZ PLD Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS004NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 4.9W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT-89A Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 5903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP | Description: NXP - AFT05MS004NT1 - HF-FET-Transistor, 7.5V/4W, getestet, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 Produktcode: 183649
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Lieblingsprodukt
| Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| AFT05MS004NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 4.9W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT-89A Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS004NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006N | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP | Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP | Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS006NT1 | NXP | RF MOSFET LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W-2 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS031GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 31W Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 10 mA | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS031GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 31W Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 10 mA | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS031GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 13.6 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 17.7dB Power - Output: 31W Frequency: 520MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS031NR1 | NXP | RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT05MS031NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT05MS031NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 13.6 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 17.7dB Power - Output: 31W Frequency: 520MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AA | auf Bestellung 2179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT09H310-03SR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 900MHZ310W NI1230S-4S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Current - Test: 680 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 17.9dB Power - Output: 56W Frequency: 920MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09H310-03SR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09H310-04GSR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09H310-04GSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET 28V NI1230 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gain: 17.9dB Power - Output: 56W Configuration: N-Channel Frequency: 920MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S-4 GW Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 680 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 70 V Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09H310-04GSR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09H310-04GSR6 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 900MHZ 310W NI1230-4GS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4G | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W GULL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Current - Test: 550 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Technology: LDMOS Gain: 15.7dB Power - Output: 1W Frequency: 870MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Current - Test: 550 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 15.7dB Power - Output: 1W Frequency: 870MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MP055NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R | auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MP055NR1 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Package / Case: TO-270AB Packaging: Bulk Current - Test: 550 mA Voltage - Test: 12.5 V Voltage - Rated: 40 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS (Dual) Gain: 15.7dB Power - Output: 57W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 764MHz ~ 941MHz Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT09MS007N | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 5899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 Produktcode: 107764
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS007NT1 | NXP | Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP | Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015N | NXP Semiconductors | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 16W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 16W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP | RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| AFT09MS015NT1 Produktcode: 134147
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| AFT09MS031GNR1 | NXP | Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W tariffCode: 85412900 MSL: MSL 3 - 168 hours productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |