Produkte > EMD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| EMD | Apex Tool Group | Description: TIP REPLACEMENT CONICAL .015" | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD-FL-C-10 | Phoenix Contact | Unspecified Connectors EMD-FL-C-10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD-SL-V-UV-300 | Phoenix Contact | Industrial Relays EMD-SL-V-UV-300 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| eMD1100Z | Hitachi High-Technologies Europe GmbH | miniRide GPS приемник для Q2686H (Wavecom) GPS модулі та аксесуари | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD12 T2R | RHOM | sot-563 04+ | auf Bestellung 11038 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD1280AW | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD1280AX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12V Packaging: Box Accessory Type: Adapter | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD1280UX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD12FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 11845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD12FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD12FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 11845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD12T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 30MA | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD13 | Square D | Industrial Surge Protectors SPD T1 EMD 300KA 120 240V 1P3W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD13F | Square D | Industrial Surge Protectors SPD T1 EMD 300KA 120 240V 1P3W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD19T2R | auf Bestellung 5346 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| EMD1S-W | RECTRON | SOP-4 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD1S-W | Rectron | Bridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2 T2R | ROHM | SOT23-6 | auf Bestellung 8621 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR DUAL NPN/PNP, SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2-TP | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22 | ROHM | 09+ | auf Bestellung 49118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22 T2R | ROHM | SOT23-6 | auf Bestellung 5090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22-13P | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DUAL NPN Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 4775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 80 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT563 Frequency: 250MHz Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Power dissipation: 0.15W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD22T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA | auf Bestellung 6795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | auf Bestellung 4715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2794-00BA16GRR | EMP | 0738+ | auf Bestellung 9979 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD29T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2T2R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 30MA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD2T2RR | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| EMD3 | ROHM | 10 EMT6 | auf Bestellung 184123 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3 T2R | ROHM - Japan | NPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| EMD3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3001-50VC06GRR | EMP | 2008+ SOT23 | auf Bestellung 11400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | auf Bestellung 15830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/200mA 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 9393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD30T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN | auf Bestellung 7978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | auf Bestellung 15830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD35 | ROHM | SOT26/ | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD35 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 52816 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3622F | eRide | miniRide GPS приемник Opus III GPS модулі та аксесуари | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD38T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | auf Bestellung 24785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 7330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD38T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD38T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 380 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA Packaging: Tray Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 380 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 380 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 256MBIT PAR 78BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M08G1-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 380 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3D256M16G2-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD3FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, NPN+PNP, SOT-563, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 650 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | auf Bestellung 18346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| EMD3T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 50MA | auf Bestellung 72715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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