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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
EMDApex Tool GroupDescription: TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
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EMD 12-H 3 MM KLARPhoenix ContactElectronics housing
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EMD 12-REL/KSR-G 24/21Phoenix ContactElectromechanical Relay Relay Module
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EMD-BL-3V-400-PTPhoenix ContactElectromechanical Relay 400/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
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EMD-BL-C-10Phoenix ContactElectromechanical Relay 5/10A SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
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EMD-BL-V-230Phoenix ContactElectromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
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EMD-BL-V-230-PTPhoenix ContactElectromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay
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EMD-FL-3V-230Phoenix ContactElectromechanical Relay 132 to 230VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-FL-3V-400PHOENIX CONTACTCategory: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
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EMD-FL-3V-400Phoenix ContactElectromechanical Relay 400/230VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-FL-3V-400PHOENIX CONTACTCategory: Monitoring Relays
Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting
Type of module: voltage monitoring relay
Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence
Mounting: for DIN rail mounting
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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EMD-FL-3V-500Phoenix ContactElectromechanical Relay 3 to 500VAC DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-FL-3V-690Phoenix ContactElectromechanical Relay 3 to 690VAC 5A DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-FL-C-10Phoenix ContactUnspecified Connectors EMD-FL-C-10
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EMD-FL-C-10Phoenix ContactElectromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-FL-V-300Phoenix ContactElectromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-SL-C-UC-10Phoenix ContactElectromechanical Relay SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-SL-PH-400Phoenix ContactElectromechanical Relay 400VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-SL-PH-690Phoenix ContactElectromechanical Relay 208 to 690VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Monitoring Relay
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EMD-SL-PS- 24ACPhoenix ContactRelay Accessory Power Module Pluggable
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EMD-SL-PS- 24DCPhoenix ContactRelay Accessory Power Module Pluggable
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EMD-SL-PS-110ACPhoenix ContactRelay Accessory Power Module Pluggable
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EMD-SL-PS45-230ACPhoenix ContactAC to DC Power Modules
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EMD-SL-PTCPhoenix ContactElectromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-SL-V-UV-300Phoenix ContactElectromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay
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EMD-SL-V-UV-300Phoenix ContactIndustrial Relays EMD-SL-V-UV-300
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EMD12 T2RRHOMsot-563 04+
auf Bestellung 11038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD1280AWFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA
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EMD1280AXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER 12V
Packaging: Box
Accessory Type: Adapter
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+87.52 EUR
10+ 80.71 EUR
EMD1280UXFreeWave TechnologiesDescription: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA
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EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
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EMD12FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
auf Bestellung 8321 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
55+0.96 EUR
72+ 0.73 EUR
126+ 0.41 EUR
500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 55
EMD12FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD12FHAT2RROHM SEMICONDUCTOREMD12FHAT2R Complementary transistors
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EMD12T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
auf Bestellung 6630 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
72+ 0.73 EUR
135+ 0.39 EUR
1000+ 0.25 EUR
2500+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56
EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
37+ 0.71 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28
EMD12T2RROHM SEMICONDUCTOREMD12T2R Complementary transistors
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EMD12T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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EMD19T2R
auf Bestellung 5346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD1S-WRECTRONSO-4
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD1S-WRectronBridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP
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EMD1S-WRECTRON
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD1S-WRECTRONSOP-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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EMD2 T2RROHMSOT23-6
auf Bestellung 8621 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2 T2RROHMSOT153-D2
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2 T2R SOT153-D2ROHM
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2000AmphenolEMD2000
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EMD22ROHMEMT6
auf Bestellung 19104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD22ROHM09+
auf Bestellung 49118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD22ROHMSOT26/
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD22 T2RROHMSOT23-6
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD22-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN Digital Transistors
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EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
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EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
938+0.17 EUR
941+ 0.16 EUR
1158+ 0.13 EUR
2000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 938
EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD22FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
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EMD22FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-563
Bauform - HF-Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
auf Bestellung 7870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD22FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.44 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.38 EUR
2500+ 0.36 EUR
5000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 353
EMD22FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
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EMD22FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
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EMD22T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIASED 50V 100MA
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
74+ 0.71 EUR
115+ 0.45 EUR
1000+ 0.28 EUR
2500+ 0.27 EUR
8000+ 0.24 EUR
48000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
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EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.17 EUR
5000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 817
EMD22T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
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EMD22T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Polarisation: bipolar
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EMD22T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 7385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
33+ 0.81 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.31 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
EMD22T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
817+0.19 EUR
1000+ 0.18 EUR
2500+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 817
EMD2794-00BA16GRREMP0738+
auf Bestellung 9979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD29T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10/10kΩ
Frequency: 255MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50/12V
Collector current: 0.1/0.5A
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 43
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
29+ 0.93 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 23
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+0.31 EUR
518+ 0.29 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 499
EMD29T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD29T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+0.31 EUR
518+ 0.29 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.25 EUR
5000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 499
EMD29T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
Produkt ist nicht verfügbar
EMD29T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10/10kΩ
Frequency: 255MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50/12V
Collector current: 0.1/0.5A
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.66 EUR
69+ 1.03 EUR
188+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 43
EMD2FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
62+0.84 EUR
89+ 0.59 EUR
176+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.15 EUR
8000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 62
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Produkt ist nicht verfügbar
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
454+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 454
EMD2FHAT2RROHMDescription: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
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EMD2T2R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD2T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1758+0.089 EUR
1863+ 0.081 EUR
2000+ 0.076 EUR
8000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1758
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 56
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
EMD2T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
auf Bestellung 5316 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
71+ 0.74 EUR
128+ 0.41 EUR
1000+ 0.26 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54
EMD2T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Case: SOT563
Mounting: SMD
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN / PNP
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 56
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
EMD2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD2T2RR
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD3ROHM09+
auf Bestellung 50350 Stücke:
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EMD3ROHM2003 TO23
auf Bestellung 6050 Stücke:
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EMD3ROHM10 EMT6
auf Bestellung 184123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD3ROHMSOT26/
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD3 T2RROHM - JapanNPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200
EMD3001-50VC06GRREMP2008+ SOT23
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
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EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD30T2RROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN
auf Bestellung 7978 Stücke:
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56+0.94 EUR
69+ 0.76 EUR
101+ 0.52 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.27 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56
EMD30T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 15830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD35ROHMSOT26/
auf Bestellung 24000 Stücke:
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EMD35 T2RROHM09+PB
auf Bestellung 23251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD35 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 52816 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD38T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
auf Bestellung 26860 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
53+0.99 EUR
75+ 0.7 EUR
166+ 0.31 EUR
1000+ 0.22 EUR
8000+ 0.2 EUR
48000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 53
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD38T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 27
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin Technologies Inc.Description: LINEAR IC'S
Packaging: Tray
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M08G1-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies Inc.Description: LINEAR IC'S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: RAM
Supplier Device Package: 78-BGA (10x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 14 ns
Memory Organization: 32M x 8
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M08G1-150CBS1REverspin Technologies256Mb / 32Mx8 / 78-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque)
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M08G1-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin Technologies256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M16G2-150CBS1Everspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin Technologies256Mb / 16Mx16 / 96-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque)
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M16G2-150CBS1REverspin TechnologiesMRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3D256M16G2-150CBSCFEverspin TechnologiesMRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3FHAT2RROHM SemiconductorDigital Transistors General purpose (Dual digital transistors), both DTA114E and DTC114E chip in a EMT6 package
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
60+0.87 EUR
76+ 0.69 EUR
144+ 0.36 EUR
1000+ 0.25 EUR
2500+ 0.22 EUR
8000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 60
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3FHAT2RRohm SemiconductorDescription: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.25 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 32
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3T2RROHM10 EMT6
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD3T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
EMD3T2RROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 50MA
auf Bestellung 127153 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
85+ 0.62 EUR
133+ 0.39 EUR
1000+ 0.26 EUR
2500+ 0.25 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54
EMD3T2RROHM09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD4
auf Bestellung 5029 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD4 T2RROHMSOT26/SOT363
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD40-1800LTRMACOMUp-Down Converters
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4000Amphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors Humidity Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4000BAmphenol Advanced SensorsBoard Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
EMD4000BAmphenol TelaireDescription: SENSOR HUMIDITY
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SIP Module
Output Type: Resistive
Mounting Type: User Defined
Output: 72k @ 50%RH
Accuracy: ±5% RH
Operating Temperature: 5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 1VAC
Sensor Type: Humidity
Humidity Range: 20 ~ 95% RH
Response Time: 60 s
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4DXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 7238 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
71+ 0.74 EUR
113+ 0.46 EUR
500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
EMD4DXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD4DXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 7985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.3 EUR
27+ 0.97 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.28 EUR
2000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
EMD4DXV6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD4DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD4DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 104000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin TechnologiesMRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4E001G16G2-150CAS2Everspin Technologies Inc.Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD4SRectron USADescription: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4T2RROHM SEMICONDUCTOREMD4T2R Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
EMD4T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 5974 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
38+ 0.7 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.27 EUR
2000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29
EMD4T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 8910 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
73+ 0.71 EUR
137+ 0.38 EUR
1000+ 0.25 EUR
2500+ 0.24 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
EMD5
auf Bestellung 8115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Produkt ist nicht verfügbar
EMD52T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 259-273 Tag (e)
54+0.98 EUR
72+ 0.73 EUR
126+ 0.41 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.18 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 54
EMD52T2RROHMDescription: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD52T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
33+0.81 EUR
43+ 0.61 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33
EMD53T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
auf Bestellung 6623 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
75+ 0.69 EUR
169+ 0.31 EUR
1000+ 0.2 EUR
2500+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
48000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD53T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
EMD53T2RROHM SEMICONDUCTOREMD53T2R Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
EMD53T2RROHMDescription: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD5550EM09+ SSOP24
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.19 EUR
16000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD59T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
64+ 0.82 EUR
169+ 0.31 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
48000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 47
EMD59T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
EMD59T2RROHM SEMICONDUCTOREMD59T2R Complementary transistors
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5DXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5DXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5DXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5DXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 22781 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD5T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD5T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
auf Bestellung 22781 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD5T2RROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP/NPN
auf Bestellung 7636 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
69+ 0.76 EUR
101+ 0.52 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.22 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56
EMD6ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6-T2R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
EMD62T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased Complex Digital Transistor
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
64+ 0.82 EUR
169+ 0.31 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
8000+ 0.15 EUR
48000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 47
EMD62T2RROHMDescription: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EMD62T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 23
EMD62T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
536+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 536
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 519
EMD6FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist
auf Bestellung 7959 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.93 EUR
77+ 0.68 EUR
135+ 0.39 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.16 EUR
8000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 57
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6T2RRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
auf Bestellung 7799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6411+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6411
EMD6T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
69+ 0.76 EUR
135+ 0.39 EUR
1000+ 0.27 EUR
2500+ 0.25 EUR
8000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
37+ 0.71 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28
EMD6T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD6T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.24 EUR
16000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD72T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD72T2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 18682 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
29+0.91 EUR
42+ 0.63 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
EMD72T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)
auf Bestellung 7970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.88 EUR
79+ 0.66 EUR
138+ 0.38 EUR
500+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 59
EMD72T2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMD811MX07+/08+ SOP8
auf Bestellung 10000 Stücke:
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EMD812MXDIP8
auf Bestellung 25400 Stücke:
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EMD9ROHM04+ SOT-363
auf Bestellung 5500 Stücke:
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EMD9 T2RROHMSOT663
auf Bestellung 32000 Stücke:
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EMD9-T2R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6N/AN/A
auf Bestellung 50 Stücke:
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EMD9FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
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EMD9FHAT2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC
Produkt ist nicht verfügbar
EMD9FHAT2RROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
EMD9FHAT2RRohm SemiconductorDescription: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
auf Bestellung 7813 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 15940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
37+ 0.72 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
2000+ 0.25 EUR
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EMD9T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 70MA
auf Bestellung 77772 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
69+ 0.75 EUR
102+ 0.51 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.26 EUR
8000+ 0.23 EUR
24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
EMD9T2RROHM SEMICONDUCTOREMD9T2R Complementary transistors
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EMD9T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
EMD9T2RROHMSOT363
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMDB409+EM MicroelectronicDescription: DEVELOPMENT & EVALUATION KIT FOR
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM4095
Frequency: 125kHz
Type: RFID Reader
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
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EMDB415+EM MicroelectronicDescription: EM NF4DEVELOPMENT BOARD
Packaging: Bulk
Type: RFID Reader
Supplied Contents: Board(s), Antenna(s)
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EMDC-10-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 to 1000MHz 75 Ohm Coupling +10dB Typ.
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-10-1TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz Iso.17dB Coupling 10dB
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+10.22 EUR
10+ 9.15 EUR
25+ 8.22 EUR
100+ 7.49 EUR
250+ 6.76 EUR
500+ 6.06 EUR
1000+ 5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
EMDC-10-1TR
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMDC-13-1-75TRMACOMSignal Conditioning 5 TO 1000MHz 75ohm Coupling +13dB
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
auf Bestellung 5640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.64 EUR
10+ 6.82 EUR
25+ 6.14 EUR
100+ 5.6 EUR
250+ 5.05 EUR
500+ 4.53 EUR
1000+ 4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4
EMDC-13-2TRTYCO09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMDC-13-2TRMACOMSignal Conditioning 5-1000MHz 50Ohm Coupling +13dB
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-13-2TRMACOM Technology SolutionsDescription: COUPLER,5-1000MHZ
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDC-16-2-75TRMACOMSignal Conditioning
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-16-8-75TRMACOMSignal Conditioning 5-862MHz 75ohm Coupling 16dB typ.
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-17-1-75TRMACOMSignal Conditioning
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-17-3-75TRMACOMSignal Conditioning
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-17-5-75TRMACOMSignal Conditioning
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC-8-1-75M/A-COMSMD 96+
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMDC-8-1-75TRMACOMSignal Conditioning
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC0000Red Lion ControlsDescription: SENSOR THRU-BEAM 304.8MM NPN/PNP
Packaging: Box
Adjustment Type: Adjustable
Sensing Distance: 12" (304.8mm)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 55°C
Output Configuration: NPN/PNP
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 1ms
Ingress Protection: NEMA 1, 2, 3, 3S, 4, 4X, 12, 13
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
EMDC2000Red Lion ControlsDescription: PHOTO-ELECTRIC EMITTER SENSOR
Packaging: Bulk
Sensing Distance: 787.402" (20m)
Sensing Method: Through-Beam
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Output Configuration: NPN
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 750µs, 375µs
Ingress Protection: IP67, NEMA 6
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Infrared (940nm)
Produkt ist nicht verfügbar
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD101G102M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 1000 pF
auf Bestellung 7971 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.61 EUR
25+ 1.08 EUR
50+ 0.86 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 17
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD101W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 10000 pF
auf Bestellung 5058 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
38+ 0.69 EUR
50+ 0.55 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 25
EMDD101W104M1GF001EJohanson DielectricsCap EMI Filters 1210 X7R 100V 0.10uF 20% 7" Reel Embossed Tape
Produkt ist nicht verfügbar
EMDD101W104M1GV001BJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 86953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+ 0.47 EUR
9000+ 0.43 EUR
30000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 89296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.79 EUR
22+ 1.21 EUR
50+ 0.96 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD101W223M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.022 µF
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
32+ 0.83 EUR
50+ 0.58 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
auf Bestellung 29514 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
36+ 0.73 EUR
50+ 0.58 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
EMDD101W473M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.047 µF
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
auf Bestellung 51399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
25+ 1.05 EUR
50+ 0.79 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18
EMDD160W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+ 0.38 EUR
9000+ 0.36 EUR
15000+ 0.35 EUR
30000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 133191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.61 EUR
24+ 1.09 EUR
50+ 0.87 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 17
EMDD500W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.050" (1.27mm)
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+ 0.42 EUR
9000+ 0.39 EUR
15000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDF101W104M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.1 µF
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.66 EUR
23+ 1.16 EUR
50+ 0.98 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDF101W224M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.22 µF
auf Bestellung 6154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
18+ 1.46 EUR
50+ 1.28 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
auf Bestellung 22695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
15+ 1.79 EUR
50+ 1.63 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
EMDF101W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
auf Bestellung 19925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.88 EUR
4000+ 0.85 EUR
10000+ 0.82 EUR
14000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 35216 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
18+ 1.46 EUR
50+ 1.27 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
EMDF160W105M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 16V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 µF
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.68 EUR
4000+ 0.65 EUR
10000+ 0.62 EUR
14000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDF500W334M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.33 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.7 EUR
4000+ 0.67 EUR
10000+ 0.64 EUR
14000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDF501W103M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Capacitance: 10000 pF
auf Bestellung 16634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.05 EUR
18+ 1.49 EUR
50+ 1.31 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13
EMDIN01VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 40A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+50.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
EMDIN01VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 40A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+50.74 EUR
3+ 50.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
EMDIN02VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 80A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
EMDIN02VELLEMANCategory: Energy Meters
Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase
Type of meter: counter
Kind of meter: digital; mounting
Mounting: for DIN rail mounting
Kind of network: single-phase
Measurement: electric energy
Kind of display used: LCD
Maximum current: 80A
Rated voltage: 230V
Operating frequency: 50...60Hz
Accuracy class: 1
Output: pulse output
Operating temperature: -20...65°C
Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm
Kind of measurement: direct
Power consumption: 0.4W
Produkt ist nicht verfügbar
EMDIN03VELLEMANVEL-EMDIN03 Energy Meters
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+127.13 EUR
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+1.03 EUR
4000+ 1 EUR
10000+ 0.96 EUR
14000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDK101W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
auf Bestellung 73788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.81 EUR
13+ 2.11 EUR
50+ 1.92 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+0.93 EUR
4000+ 0.9 EUR
10000+ 0.86 EUR
14000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDK500W404M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.4 µF
auf Bestellung 19643 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
14+ 1.9 EUR
50+ 1.73 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.25 EUR
10+ 5.57 EUR
50+ 5.12 EUR
100+ 4.24 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
EMDK501W153M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1410 (3524 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.070" (1.78mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.015 µF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
EMDL700TriplettDescription: ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
For Measuring: Humidity, Sound, Temperature
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1440.48 EUR
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDR101W474M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
Produkt ist nicht verfügbar
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.4 EUR
50+ 3.12 EUR
100+ 2.59 EUR
500+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
EMDR101W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 100V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.82 EUR
2000+ 1.75 EUR
5000+ 1.69 EUR
10000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 24506 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.5 EUR
10+ 3.37 EUR
50+ 3.07 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
EMDR500W474M1GV001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Part Status: Active
Capacitance: 0.47 µF
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.77 EUR
2000+ 1.65 EUR
5000+ 1.59 EUR
10000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EMDR501W393M1GF001EJohanson Dielectrics Inc.Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812
Tolerance: ±20%
Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive
Thickness (Max): 0.090" (2.29mm)
Capacitance: 0.039 µF
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+4.56 EUR
2000+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
EMDS23D2H-74.250MEcliptekStandard Clock Oscillators 74.25MHz 3.3Volt 50ppm 0C to 70C
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
EMDVK8500EM MicroelectronicDescription: EM8500 ENERGY HARVEST DEV KIT
Packaging: Bulk
Function: Energy Harvesting
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EM8500
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1114.67 EUR
EMDVK9304SOCEM MicroelectronicDescription: EM9304 DEVELOPMENT KIT SOC MODE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: EM9304
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® 5
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+542.93 EUR