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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 15ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTG04-020MYageoInrush Current Limiter Thermistors
Produkt ist nicht verfügbar
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTG204AH683HT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1ON04+ ;
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1ONSOT163-PT2
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1ON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1ON07+;
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1SOT163
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3441T1SOT163-PT2
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTG3443T1ON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
20+ 1.33 EUR
25+ 1.25 EUR
100+ 1.02 EUR
250+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD1100LT1G
Produktcode: 187236		IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: TSOP-6
Bemerkung: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.43W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD1100LT1GON08+ DIP
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3122C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD3122CT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
987+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 987
NTGD3133PT1GON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
987+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 987
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD3147FT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GonsemiMOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
auf Bestellung 45598 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
41+1.28 EUR
48+ 1.09 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 41
NTGD3148NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD3148NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; 0.9W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD3149CT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4161PT1GON09+
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4167Consemionsemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.5 EUR
335+ 0.45 EUR
337+ 0.43 EUR
396+ 0.35 EUR
398+ 0.34 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 314
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 911000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4167CT1GonsemiMOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
auf Bestellung 45258 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
57+ 0.93 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.46 EUR
396+ 0.38 EUR
398+ 0.36 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 337
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 924679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
29+ 0.92 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Power dissipation: 0.9W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4167CT1G-ND
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD4167PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
auf Bestellung 185907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2061+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2061
NTGD4169FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 185907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGD4169FT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGF3123PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGLA05A2
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGLX25A
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
auf Bestellung 17380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1110+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS1N03LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS1P02LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS1P03LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3130
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3130NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 19A; 600mW; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 0.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
auf Bestellung 8013 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.86 EUR
3000+ 0.78 EUR
6000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
auf Bestellung 16905 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
13+ 2 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTGS3130NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 19A; 600mW; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 0.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.88 EUR
6000+ 0.82 EUR
15000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.6 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.12 EUR
3000+ 1.01 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.97 EUR
6000+ 0.91 EUR
15000+ 0.87 EUR
30000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3136PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A; 700mW; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -20A; 700mW; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
auf Bestellung 55967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.52 EUR
12+ 2.21 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NTGS3136PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 20939 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3341T1
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3433MOTOROLA
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3433T1ON2004
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3433T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 50930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3206+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
NTGS3433T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433T1GonsemiMOSFET -12V -3.3A P-Channel
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 343-357 Tag (e)
43+1.22 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.66 EUR
3000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433T1G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3433VT1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441MOTOROLA
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 48750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2885+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2885
NTGS3441G1
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441LT1ON09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441PT1G
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3206+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
NTGS3441PT1G10+ SOT-163
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 47513 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5770+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5770
NTGS3441T1ON01+ SOT23-5
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441T1ONSOT163
auf Bestellung 12810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441T1ON
auf Bestellung 1921 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441T1ON05+
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 47513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3441T1/PT
auf Bestellung 3110 Stücke:
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NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441T1GonsemiMOSFET 20V 1A P-Channel
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.33 EUR
47+ 1.12 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.46 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3441T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.43 EUR
405+ 0.37 EUR
409+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 362
NTGS3441T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.35A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.35A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
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auf Bestellung 14618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.64 EUR
19+ 1.4 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.46 EUR
360+ 0.42 EUR
362+ 0.4 EUR
405+ 0.34 EUR
409+ 0.33 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 342
NTGS3441T1SOT163-PT2
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3441TI
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3442T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3443ONSOT-163
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3443BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 64592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
auf Bestellung 64592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3206+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3443T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T1ON07+;
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3443T1OnsemiSOT163
auf Bestellung 15080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+ 0.39 EUR
9000+ 0.37 EUR
30000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3443T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 53672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
25+ 1.05 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NTGS3443T1GonsemiMOSFET 20V 2A P-Channel
auf Bestellung 43119 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.32 EUR
47+ 1.13 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.47 EUR
6000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NTGS3443T1GON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NTGS3443T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3445T1G
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3446onsemiMOSFET NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446GonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1ON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3446T1onsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1ON07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3446T1ON09+ ORIGIN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1ON05+
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3446T1GonsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
auf Bestellung 48669 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
50+ 1.06 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.52 EUR
9000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.57 EUR
291+ 0.52 EUR
293+ 0.5 EUR
334+ 0.42 EUR
337+ 0.4 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 273
NTGS3446T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.53 EUR
334+ 0.45 EUR
337+ 0.43 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 293
NTGS3446T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
auf Bestellung 3812 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.59 EUR
20+ 1.35 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3446T1G/446
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3447PT1G10+ SOT-163
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3447PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3447PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1803+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1803
NTGS3447T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3448T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3455T
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3455T1ONSOT23-6 05+
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS3455T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3455T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3455T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.47 EUR
6000+ 0.45 EUR
9000+ 0.42 EUR
30000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 38984 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.2 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.65 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NTGS3455T1GonsemiMOSFET 30V 3.5A P-Channel
auf Bestellung 98805 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.5 EUR
3000+ 0.44 EUR
9000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS3455TI
auf Bestellung 10807 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS4111
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS4111PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4111PT1ON04+
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1GonsemiMOSFET -30V -4.7A P-Channel
auf Bestellung 21296 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
60+ 0.88 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.55 EUR
3000+ 0.45 EUR
9000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; 1.25W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 36253 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.3 EUR
24+ 1.11 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.63 EUR
329+ 0.46 EUR
341+ 0.43 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250
NTGS4111PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; 1.25W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+ 0.41 EUR
9000+ 0.39 EUR
30000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.74 EUR
247+ 0.61 EUR
250+ 0.58 EUR
329+ 0.42 EUR
341+ 0.39 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 212
NTGS4111PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4141Nonsemionsemi NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4141NT1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS4141NT1Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.52 EUR
378+ 0.4 EUR
381+ 0.38 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 301
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.55 EUR
298+ 0.51 EUR
301+ 0.48 EUR
378+ 0.37 EUR
381+ 0.35 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 286
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.46 EUR
205+ 0.35 EUR
280+ 0.26 EUR
295+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 160
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4141NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS4141NT1GonsemiMOSFET 30V 7A N-Channel
auf Bestellung 55122 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
64+0.82 EUR
72+ 0.72 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.35 EUR
9000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 64
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
160+0.46 EUR
205+ 0.35 EUR
280+ 0.26 EUR
295+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 160
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
auf Bestellung 4419 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS4191NT1GON05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS4191NT1GON05+NOP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
auf Bestellung 28851 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
26+ 1.01 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS5120PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
auf Bestellung 10549 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.38 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTGS5120PT1GONSOT-163
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.91 EUR
229+ 0.66 EUR
250+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 172
NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
170+ 0.89 EUR
172+ 0.85 EUR
229+ 0.61 EUR
250+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 145
NTGWWELLERWEL.NT-GW Soldering tips
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+38.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTGWApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
Produkt ist nicht verfügbar
NTGWWellerSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+60.37 EUR
NTGWWELLERDescription: WELLER - NTGW - Lötspitze, konisch, 2mm
Breite der Spitze/Düse: 2
Spitze/Düse: Konisch
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTGWApex Tool GroupSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTGWNApex Tool GroupDescription: TIP CYLINDRICAL NTGW
Produkt ist nicht verfügbar