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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
NTG04-015MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG04-015MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG04-020MYageoInrush Current Limiter Thermistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG05-010MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG05-010MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 5A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 5A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG06-005MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG06-005MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 5ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG06-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,13mm, 1ohm 7A, +/-20% box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG07-002MD0.8YAGEODescription: YAGEO - NTG07-002MD0.8 - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 13mm, 7A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 7A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 13mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG204AH683HT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1ON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1ON07+;
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1ON04+ ;
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1ONSOT163-PT2
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1 SOT163-PT2ON
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1SOT163
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3441T1SOT163-PT2
auf Bestellung 2797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTG3443T1ON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100Lonsemionsemi NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1onsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1onsemiMOSFET NFET TSOP6 3.3A 20V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GONSEMI2009 SC-74
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1G
Produktcode: 187236
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IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: TSOP-6
Bemerkung: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GonsemiDescription: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 3.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GonsemiMOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GON08+ DIP
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GONSEMINTGD1100LT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD1100LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3122C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3122CT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1G - NTGD3133PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1GON
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 560mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
987+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 987
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1HonsemiDescription: PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
809+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 809
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3133PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3133PT1H - NTGD3133P - PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3147FT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3147FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 11852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GonsemiMOSFETs NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
auf Bestellung 15821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.69 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GONSEMINTGD3148NT1G Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3148NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3149CT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3149CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD3149CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GON09+
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4161PT1GNO10+ SOT23-6
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167Consemionsemi COMP TSOP6 30V 2.9A 0.090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.38 EUR
442+0.32 EUR
447+0.31 EUR
487+0.27 EUR
492+0.26 EUR
505+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1162346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
22+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1157750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GonsemiMOSFETs COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
auf Bestellung 34235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.90 EUR
10+0.62 EUR
100+0.46 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.6A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.33 EUR
487+0.29 EUR
492+0.28 EUR
505+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 447
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167CT1G-ND
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4167PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 44907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2328+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2328
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
auf Bestellung 185907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGD4169FT1G - NTGD4169FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 185907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGD4169FT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGF3123PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGLA05A2
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGLX25A
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS1135PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
auf Bestellung 17380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS1N03LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS1P02LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS1P03LT1G
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3130NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH
auf Bestellung 8013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.53 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.6A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GONSEMINTGS3130NT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3130NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GonsemiMOSFET PFET TSOP6 20V/8V TR
auf Bestellung 5648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.56 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
auf Bestellung 55967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
12+1.50 EUR
100+1.15 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 20939 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1901 pF @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.66 EUR
6000+0.61 EUR
15000+0.59 EUR
30000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3136PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.1 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3136PT1GONSEMINTGS3136PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3341T1
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433MOTOROLA
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3433T1 - NTGS3433T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 50930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3206+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1ON2004
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GonsemiMOSFET -12V -3.3A P-Channel
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 339-343 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.74 EUR
100+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3433VT1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441MOTOROLA
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 48750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2664+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2664
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441BT1G - NTGS3441BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441G1
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441LT1ON09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441PT1G - NTGS3441PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3206+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441PT1G10+ SOT-163
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441PT1G
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1ON
auf Bestellung 1921 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1ON05+
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 47513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5770
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1ON01+ SOT23-5
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3441T1 - NTGS3441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 47513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1ONSOT163
auf Bestellung 12810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1/PT
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 18421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
23+0.78 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GONSEMINTGS3441T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GonsemiMOSFET 20V 1A P-Channel
auf Bestellung 8458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.90 EUR
10+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.41 EUR
405+0.35 EUR
409+0.34 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 362
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.30 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.43 EUR
360+0.40 EUR
362+0.38 EUR
405+0.33 EUR
409+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 342
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441T1SOT163-PT2
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3441TI
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3442T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443ONSOT-163
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443BT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443BT1G - NTGS3443BT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 64592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443BT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 819 pF @ 10 V
auf Bestellung 60688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2959
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1OnsemiSOT163
auf Bestellung 15080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1ON07+;
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 24334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
22+0.80 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP NTGS3443T1G TNTGS3443
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GONSEMINTGS3443T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GonsemiMOSFET 20V 2A P-Channel
auf Bestellung 43119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3443T2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3445T1G
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446onsemiMOSFET NFET TSOP6 20V 5.1A 45MOH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446GonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1ON07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1ON09+ ORIGIN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1ON05+
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1onsemiMOSFET 20V 5.1A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1ON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
auf Bestellung 5342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GonsemiMOSFETs 20V 5.1A N-Channel
auf Bestellung 31456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.61 EUR
100+0.47 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.54 EUR
291+0.49 EUR
293+0.47 EUR
334+0.40 EUR
337+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 273
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 4331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.50 EUR
334+0.43 EUR
337+0.41 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 293
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3446T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1GONSEMINTGS3446T1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3446T1G/446
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447PT1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3447PT1G - NTGS3447PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1803+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1803
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447PT1G10+ SOT-163
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3447T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3448T1G
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1ONSOT23-6 05+
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 38984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
22+0.81 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 5 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.30 EUR
9000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GONSEMINTGS3455T1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GonsemiMOSFETs 30V 3.5A P-Channel
auf Bestellung 139225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.59 EUR
100+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS3455T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.87V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS3455TI
auf Bestellung 10807 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1ON04+
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GONSEMINTGS4111PT1G SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.30 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.27 EUR
21000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GonsemiMOSFETs -30V -4.7A P-Channel
auf Bestellung 20870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.47 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4111PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.59 EUR
329+0.43 EUR
341+0.40 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.20 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 30835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.39 EUR
21+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.70 EUR
247+0.58 EUR
250+0.55 EUR
329+0.40 EUR
341+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4111PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141Nonsemionsemi NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.49 EUR
378+0.38 EUR
381+0.36 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 301
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.70 EUR
180+0.40 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.52 EUR
298+0.48 EUR
301+0.46 EUR
378+0.35 EUR
381+0.33 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.20 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
180+0.40 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
auf Bestellung 9599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
37+0.49 EUR
100+0.37 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GonsemiMOSFET 30V 7A N-Channel
auf Bestellung 55122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.49 EUR
100+0.37 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 24 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS4141NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0215 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0215ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 59064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4141NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4191NT1GON05+NOP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS4191NT1GON05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS5120PT1GONSOT-163
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTGS5120PT1GonsemiMOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm
auf Bestellung 60341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.45 EUR
100+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
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NTGS5120PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTGS5120PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.072 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
auf Bestellung 24797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.30 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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NTGS5120PT1GONSEMINTGS5120PT1G SMD P channel transistors
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NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.86 EUR
229+0.62 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 172
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NTGS5120PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
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170+0.84 EUR
172+0.80 EUR
229+0.58 EUR
250+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 145
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NTGS5120PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 30 V
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3000+0.31 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
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NTGWWellerSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
auf Bestellung 2 Stücke:
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NTGWApex Tool Group B.V.Soldering Tips For micro soldering pencil
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NTGWApex Tool GroupSoldering Irons Weller Cylind Tip For WMP Solder Penc
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NTGWWELLERDescription: WELLER - NTGW - Lötspitze, konisch, 2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Konisch
Zur Verwendung mit: Mikro-Lötkolben der Baureihe WMP von Weller
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 7 Stücke:
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NTGWNApex Tool GroupDescription: TIP CYLINDRICAL NTGW
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